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World File Search System二极管
发光二极管（LED）
构造LED（发光二极管）是使用半导体磁盘（如砷化衣或硝酸甘油）构建的。它包含一个具有正电荷载体和带负电荷载体的N型区域的P型区域，形成了P-N连接。该连接促进了从N型到P型区域的电子10次，从而导致重组和光子发射。发射的光子根据半导体的能量带隙创建可见光，LED的设计影响了效率和方向性。LED的工作原理1.血管导向器结构：LED由一个半导体组成，该半导体具有P型（带正电荷）和N型（负电荷）区域。当跨P-N连接施加电压时，电子从N型移动到P型区域。2.电子孔重组：电子和孔（缺少电子）在连接处相遇并重组。此过程释放
操作相干短脉冲激光二极管 st905a13-to...
将激光二极管连接到驱动器时，将串联电感降至最低将使脉冲的上升时间保持在最低水平，从而实现最短的脉冲。这意味着引线应尽可能短，激光二极管应尽可能靠近驱动器安装。如果无法将激光二极管直接连接到驱动器，则需要使用低电感传输线。传输线电感的典型值约为每英寸 20 nH。这意味着在 10 ns 内切换 40 A 的电流（di/dt 为 40 A/10 ns）将导致 80 V 的瞬态电压。较长的传输线会导致更高的感应瞬态电压，从而导致脉冲上升时间显著增加并限制性能。[2] 很好地概述了电气连接如何影响脉冲性能。
操作相干短脉冲激光二极管 st905a13-to...
将激光二极管连接到驱动器时，将串联电感降至最低将使脉冲的上升时间保持在最低水平，从而实现最短的脉冲。这意味着引线应尽可能短，激光二极管应尽可能靠近驱动器安装。如果无法将激光二极管直接连接到驱动器，则需要使用低电感传输线。传输线电感的典型值约为每英寸 20 nH。这意味着在 10 ns 内切换 40 A 的电流（di/dt 为 40 A/10 ns）将导致 80 V 的瞬态电压。较长的传输线会导致更高的感应瞬态电压，从而导致脉冲上升时间显著增加并限制性能。[2] 很好地概述了电气连接如何影响脉冲性能。
海洋环境中的磷光灯发光二极管：当前状态和未来趋势研究纤维素纳米晶对聚丙烯酯微乳剂的影响
2.4.1。液滴尺寸。用激光差异方法（Mastersizer 3000，Malvern Inc）测量了液滴尺寸及其大小分布。2.4.2。界面张力。使用dunoüy板法（BZY-2张力计，亨普仪器）测量油/水接口处的界面张力。2.4.3。zeta电位。在室温下，用痕量激光多普勒电溶剂方法（Zetasizernano Zs，Malvern Inc.）测量丙烯酸酯迷你乳液的Zeta电位。用水将样品稀释一百次，每个样品的pH在5处控制以防止pH干扰。对于每个样品，重复测量三次。2.4.4。sem。在3 kV加速电压下，通过扫描电子微拷贝（SEM）（RIGMA/VP，Carl Zeiss显微镜LTD）研究了带有或没有CNC的聚丙烯酸酯样品的形态。将聚丙烯酸酯乳液稀释一千次，掉在硅片上，在空气中干燥，放在平台上进行观察。
钙钛矿自旋发光二极管二极管具有同时高的电致发光不对称和高外部量子效率
在具有直接循环极化发射的发光二极管中，实现高电发光的非对称因子和高外部量子效率同时在发光二极管中具有挑战性。在这里，我们表明，基于手性钙钛矿量子点，可以同时在发光二极管中同时实现高发光的不对称因子和高外部量子效率。特定的，手性的钙钛矿具有手性诱导的自旋选择性可以同时用作局部的辐射辐射推荐中心，用于自旋极化载体的循环极化载体，从而抑制了旋转的放松，从而抑制了旋转的旋转，并改善了旋转的旋转，并促进了旋转的旋转效果，并促进了旋转的旋转效果，旋转了旋转的效果，供应型旋转效果。属性，以便可以促进产生设备的授权电源。我们的设备同时表现出高电致发光的非对称因子（R：0.285和S：0.251）和高外部量子效率（R：16.8％和S：16％），证明了它们在构建高表现性手性光源方面的潜力。
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
用于 LiDAR 应用的盖革和线性模式的微芯片激光器和雪崩光电二极管面包板
1 里斯本大学理学院天体物理和引力中心 (CENTRA)，坎普大区，里斯本 1749-016，葡萄牙； ana.sousa@synopsisplanet.com （广告）; pintografael@gmail.com （RP）; bac@sim.ul.pt （BC）; bnarribas@gmail.com（印度）； hugo.onderwater@synopsisplanet.com （HO）; prgordo@fc.ul.pt (PG) 2 Synopsis Planet，Advance Engineering Unipessoal LDA，2810-174 Almada，葡萄牙 3 里斯本大学科学学院天体物理和空间科学研究所，Campo Grande，1749-016 Lisbon，葡萄牙； maabreu@fc.ul.pt 4 里斯本大学高等技术学院（IDMEC），Av. Rovisco Pais 1, 1049-001 里斯本，葡萄牙 5 蔚蓝海岸大学，蔚蓝海岸天文台，法国国家科研中心，拉格朗日实验室，06304 尼斯，法国； patrick.michel@oca.eu * 通信地址：ruimelicio@gmail.com;电话：+351-218-417-351
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。
1-325 GHz 频段高度可调高 Q 值反转模式 MOS 变容二极管
对高速数据传输的迫切需求加上纳米技术节点的发展，正推动通信标准（如 5G）向毫米波频段发展。毫米波频段的使用还涉及汽车雷达、成像或医疗应用。在更高的频段，用户可以受益于更宽的带宽，从而可以获得所需的数据速率或雷达分辨率的提升。另一方面，消费类应用需要低成本的解决方案，例如 CMOS 或 BiCMOS 技术提供的解决方案。然而，虽然 BiCMOS 技术中晶体管的工作频率 (𝑓)/𝑓 *+,) 高于 400 GHz 以满足毫米波应用 [1]，但这些技术中无源可调元件的种类仅限于少数几种变容二极管或开关电感器。可调元件可用于执行必要的射频功能，例如 VCO 调谐 [2]、相移控制，尤其是构建波束控制系统以补偿自由空间中路径损耗的增加 [3]，或用于校准目的 [4] 等。可调设备的性能可通过调谐范围和品质因数来量化
最近朝着具有增强的光谱和操作稳定性的钙钛矿发光二极管的进展
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