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World File Search System二极管
HTS激发中速风发生器的数值建模，带有二极管原子定子馈送
涡轮额定功率的增加超过≥14MW，需要替代稀土永久磁铁（PM）发电机是风能领域的当前趋势。1个高温超导（HTS）在电兴奋的同步发电机中是一种有前途的替代方案，在过去十年中，它一直是几个研究项目的主题。2对于多种优势，HTS激发大多是在无齿轮，直驱动（DD）同步发电机（额定速度NN≈10RPM）的背景下进行讨论的，例如减少的发电机质量M Gen和增加机械电源转换的发电机效率η。在EcoSwing项目3中已证明了无齿轮3.6 MW发电机的技术可行性。避免使用齿轮以更高的可靠性和较低的维护工作能力产生非常大的DD发电机，以实现大发电机扭矩。较大的发电机尺寸随迄今为止昂贵的HTS材料带来了大量。
方案和详细的教学大纲
单位 - i引言，半导体中的运输现象，p-n结的形成，p-n连接的性质，p-n结二极管；半导体二极管，V-I特征，温度对V-I特征的影响，理想二极管，二极管方程，二极管电阻，二极管电容：过渡和扩散电容。单元 - II整流电路和直流电源：二极管电路的负载线分析，半波整流器：电压调节，波纹因子，整流比率，更新的比率，变压器利用率。全波整流器，桥梁整流器。电源过滤电路：电感过滤器，电容器过滤器，LC滤波器，多LC滤波器，CLC或P滤波器。Zener二极管：使用Zener二极管分解机制，特性，规格，电压调节器电路。单元-III晶体管：简介，构造，类型：NPN和PNP，当前组件。晶体管作为放大器，晶体管特性，晶体管电路配置：共同基座（CB）配置，公共发射极（CE）配置，公共收集器配置（CC），早期效果。ebers-moll模型，最大电压评级。单位 - IV晶体管偏置和热稳定：工作点，偏置稳定性，稳定性因子，发射极偏置，收集器 - to - 基本偏见，电压分隔符，发射极偏置，发射器旁路电容器。偏见补偿。单元 - V场效应晶体管（FET）：引言，构造，操作，V-I特征，转移特性，漏液特征，小信号模型。教科书的名称：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：简介，结构，操作和特征，耗尽MOSFET，增强MOSFET。
B. Tech ECE-AI（电子与通信工程-人工智能）课程结构
UNIT-I 12 小时 回顾半导体物理、p-n 结二极管、p-n 二极管特性及其操作、p-n 结电容（耗尽和扩散）、p-n 二极管击穿 二极管应用：削波和钳位电路、整流电路、齐纳二极管、齐纳二极管作为调节器、电压倍增器、p-n 二极管的开关行为 双极结型晶体管：晶体管的介绍和类型、结构、CB、CE 和 CC 模式下的 BJT 特性、工作点、交流/直流负载线、漏电流、饱和和截止工作模式、Ebers-moll 模型 偏置稳定：稳定需求、各种偏置方案、相对于 Ico、V BE 和 β 变化的偏置稳定性、稳定因素、热稳定性。
混合gan-sic功率开关可用于最佳开关...
对于SIC MOSFET和GAN HEMTS，可以利用第三个象限传导能力用于自由式，而无需外部二极管。在这种情况下，第三象限反向传导是通过电源设备的车身二极管或通道进行的，电流从源到排水侧的流动。SIC具有P-I-N身体二极管，但是，GAN没有任何固有的二极管。反向传导通过SIC和GAN的通道发生的固有二极管发生。gan的反向传导特征往往较差，尤其是在应用阳性闸门源偏置的情况下（图2）[3]由于较高的耗尽电压下降的来源。反向导出时间是较高和较低开关之间的停留时间是GAN性能的关键因素之一。
在常规超导微支架中涡旋限制的临界电流的非核心
，已被称为超导二极管效应。效果的根源取决于对称性破坏机制。我们研究了NBN和NBN/磁绝缘子（MI）杂种的超导微桥。应用二极管效率为30％时，当施加了小至25 mt的平面磁场时。在NBN和NBN/MI杂种中，我们发现当磁场平行于样品平面时，二极管效应消失。我们的观察结果与涡旋表面屏障确定的临界电流一致。超导带的两个边缘的不等障碍导致二极管效应。此外，观察到矩阵的最高可达10 K，这使得基于二极管应用的设备可能在更大的温度范围内的设备潜力。
工业电子 - CUCEI - 瓜达拉哈拉大学
综合主题内容（在计划及其概念结构的开发中要解决）主题单元 1：半导体的基本理论 1.1 绝缘体 1.2 导体 1.3 本征和非本征半导体。 1.4 PN结。主题单元 2：二极管 2.1 二极管模型。 2.2 二极管极化。 2.3 二极管排列。 2.4 二极管的类型。主题单元 3：双极结型晶体管。 3.1 BJT晶体管的结构3.2 BJT晶体管的模型。 3.3 BJT晶体管的极化。主题单元 4：金属氧化物半导体场效应晶体管 4.1 MOSFET 晶体管的结构。 4.2 MOSFET晶体管模型。 4.3 MOSFET 晶体管偏置。主题单元 5：放大器 5.1 放大器的特性。 5.2 无源负载放大器5.3 有源负载放大器。 5.4 差分放大器。 5.5 多级放大器。
2EDL05x06xx 系列 600V 半桥栅极驱动器，带集成自举二极管 (BSD)
图 11 所示的电路描绘了三相逆变器的一条支路；图 12 和 13 显示了 Q1 和 D2 之间电流换向的简化图示。电源电路中从芯片粘合到 PCB 轨道的寄生电感被集中到每个 IGBT 的 LC 和 LE 中。当高端开关打开时，V S1 低于 DC+ 电压，其电压降与电源开关和电路的寄生元件有关。当高端电源开关关闭时，由于连接到 V S1 的电感负载（这些图中未显示负载），负载电流会瞬间流入低端续流二极管。该电流从 DC 总线（连接到 HVIC 的 COM 引脚）流向负载，并在 V S1 和 DC 总线之间产生负电压（即，HVIC 的 COM 引脚的电位高于 VS 引脚）。
根据CMOS技术的垂直P – N结光二极管的光学性能的文章仿真研究
摘要：CMOS光二极管已在微系统应用中广泛报道。本文使用COMSOL多物理学对P – N结光电二极管的设计和数值模拟，用于三种CMOS技术（0.18 µm，0.35 µm，0.35 µm和0.7 µm）和三个不同的P – N交界结构：N+/P-Substrate，P-Substrate，P+/N-N-Well/n-Well/n-Well/well/p-Subsulate。对于这些模拟，根据不同的技术设定了深度连接和掺杂剂浓度。然后，每个phodiode均在分光光度法上进行了分光光度法的特征，响应性和量子效率。获得的数值结果表明，当需要可见的光谱范围时，0.18和0.35 µM CMOS技术是具有效率最高峰的最高峰的技术，与0.7 µM技术相比。此外，比较了三个最常见的P – N垂直连接光电二极管结构。N+/p-Substrate Juints Photodiode似乎是可见范围内具有最高量子效率的一种，与文献一致。可以得出结论，光电二极管的特征曲线和暗电流值与文献中的报告一致。因此，这种数值方法允许预测光电二极管的性能，帮助在其微加工之前为每个必需的应用程序选择最佳的结构设计。
frenkel缺陷促进二极管碘化物钙钛矿中的极化激子解离
作者的完整清单：Yuhan的Guan； Zhang Zhang的Zhejiang师范大学，XU；加利福尼亚州立大学Northridge，Guangjun的物理和天文学Nan； Zhejiang普通大学物理学系
