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World File Search System二极管
狄拉克半金属 ${\rm{C}}{{{\rm{d}}}_3}{\rm{A}}{{{\rm{s}}}_2}$ 介导的非对称 SQUID 中的时间反演对称性破缺和零磁场约瑟夫森二极管效应
pn 结中的二极管效应在现代微电子学中起着重要作用。由于电子（n）和空穴（p）掺杂区之间的反演对称性破缺，电子传输是非互易的，即电流只能朝一个方向流动。这种非互易性质已广泛应用于晶体管、发光二极管、太阳能电池等电子设备中。最近，类似的二极管效应在超导系统中引起了极大的兴趣 [1-66]。与 pn 结中的二极管效应一样，超导二极管效应 (SDE)，或者具体来说是约瑟夫森结 (JJ) 中的约瑟夫森二极管效应 (JDE)，有望找到重要应用，如无源片上回转器和循环器 [66]。这类设备在量子计算应用中将特别有影响力。此外，SDE/JDE 可用作研究新型超导特性（如有限动量库珀对）的替代方法 [2, 10]。在典型的 JJ 或超导量子干涉装置（SQUID）中，IV 曲线在装置处于正常状态的高电流范围内呈线性，如图 1（d）所示。电压 V DC 在所谓的再捕获电流 I + r（对于电流向下扫描）处突然降至零，并在很大的电流范围内保持在零，直到达到开关电流 − I − c。本文中，我们将该开关电流视为 JJ 的临界电流（I c ），并在本文中始终使用临界电流这一术语。超过 − I − c 后，IV 曲线变为线性，装置再次进入正常状态。对于电流向上扫描曲线，可以观察到 IV 曲线的类似形状，并标记出相应的 − I − r 和 I + c 的位置。一般而言，只要存在时间反演对称性 (TRS) 或反演对称性，I + c = I − c 就与电流扫描方向无关。然而，当两种对称性都被破坏时，临界电流会根据电流扫描的方向显示不同的值，这种现象称为 JDE [ 1 , 2 ]。在非中心对称超导系统或非对称 SQUID 等器件结构中，反演对称性会被破坏
超快软恢复整流二极管...
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HTS激发中速风发生器的数值建模，带有二极管原子定子馈送
涡轮额定功率的增加超过≥14MW，需要替代稀土永久磁铁（PM）发电机是风能领域的当前趋势。1个高温超导（HTS）在电兴奋的同步发电机中是一种有前途的替代方案，在过去十年中，它一直是几个研究项目的主题。2对于多种优势，HTS激发大多是在无齿轮，直驱动（DD）同步发电机（额定速度NN≈10RPM）的背景下进行讨论的，例如减少的发电机质量M Gen和增加机械电源转换的发电机效率η。在EcoSwing项目3中已证明了无齿轮3.6 MW发电机的技术可行性。避免使用齿轮以更高的可靠性和较低的维护工作能力产生非常大的DD发电机，以实现大发电机扭矩。较大的发电机尺寸随迄今为止昂贵的HTS材料带来了大量。
钙钛矿发光二极管上的路线图
Ziming Chen 1 , ∗ , Robert L Z Hoye 2 , 3 , ∗ , Hin-Lap Yip 4 , 5 , ∗ , Nadesh Fiuza-Maneiro 6 , Iago López-Fernández 6 , Clara Otero-Martínez 6 , Lakshminarayana Polavarapu 6 , Navendu Mondal 1 , Alessandro Mirabelli 7 , Miguel Anaya 7 , Samuel D Stranks 7 , Hui Liu 8 , Guangyi Shi 8 , Zhengguo Xiao 8 , Nakyung Kim 9 , Yunna Kim 9 , Byungha Shin 9 , Jinquan Shi 10 , 11 , Mengxia Liu 10 , 11 , Qianpeng Zhang 12 , Zhiyong Fan 12 , James C Loy 13 , Lianfeng Zhao 14 , Barry P Rand 14 , 15 , Habibul Arfin 16 , Sajid Saikia 16 , Angshuman Nag 16 , Chen Zou 17 , Lih Y Lin 18 , Hengyang Xiang 19 , Haibo Zeng 19 , Denghui Liu 20 , Shi-Jian Su 20 , Chenhui Wang 21 , Haizheng Zhong 21 , Tong-Tong Xuan 22 , Rong-Jun Xie 22 , Chunxiong Bao 23 , Feng Gao 24 , Xiang Gao 25 , Chuanjiang Qin 25 , Young-Hoon Kim 26 , 27
药物开发 - 二极管 - digital.pdf
参考| EFPIA。efpia在数字关键数据2021中的制药行业；可从以下网站获得：https：//www.efpia.eu/media/602709/the-pharmaceutical-industry-in-in-fures-finfures-2021.pdf。| Richards，N。和I. Hudson，英国药品法规：应对当前挑战。Br J Clin Pharmacol，2016年。82（6）：p。 1471-1476。| FDA。药物开发过程。2018;可从以下网站获得：https：//www.fda.gov/patients/learn-about-drug-and-drug-and-device-approvals/drug-development-process。| Anderson，M。等人，在控制成本的同时促进创新：英国对卫生技术评估的方法。卫生政策，2022年。126（3）：p。 224-233。
消除钙钛矿发光二极管中成分调制的不利影响，实现超高亮度和稳定性
过量卤化铵作为成分添加剂被广泛用于钙钛矿发光二极管 (PeLED)，旨在通过控制晶体度和钝化缺陷来实现高性能。然而，对于过量有机铵成分是否会影响薄膜的物理/电学性质以及由此导致的器件不稳定性，我们仍然缺乏深入了解。本文指出了在具有过量卤化铵的高效甲脒铅碘化物 (FAPbI 3 ) 基 PeLED 中性能和稳定性之间的权衡，并探索了其潜在机制。系统的实验和理论研究表明，过量卤化盐诱导的离子掺杂极大地改变了 PeLED 的性质（例如，载流子注入、场相关离子漂移、缺陷物理和相稳定性）。证明了表面清洁辅助交联策略可以消除成分调制的不利影响并在不牺牲效率的情况下提高操作稳定性，同时实现 23.6% 的高效率、964 W sr − 1 m − 2 的高辐射度（基于 FAPbI 3 的 PeLED 的最高值）和 106.1 小时的长寿命在大直流密度（100 mA cm − 2）下。研究结果揭示了过量卤化物盐与器件性能之间的重要联系，为合理设计稳定、明亮、高效的 PeLED 提供了指导。
由光电二极管中的周期性表面纹理启用了独特的高光谱响应设计
摘要：跨学科（例如医疗保健，汽车，取证和天文学）的高光谱成像的应用受到复杂的过滤器和分散透镜的要求。通过利用具有工程光谱响应和高级信号处理技术的设备，可以使光谱成像过程在各个领域更容易接近。我们提出了一种使用光子捕获表面纹理（PTST）的光谱响应设计方法，该方法消除了外部衍射光学元件的必要性，并促进了系统的微型化。我们已经开发了一个分析模型，以在PTST存在下使用硅的有效折射率来计算电磁波耦合。我们已广泛验证了模拟和实验数据的模型，以确保我们的预测准确性。我们观察到峰耦合波长与PTST周期之间存在强烈的线性关系，以及与PTST直径的中等比例关系。此外，我们确定了跨间距与波传播模式之间的显着相关性。模型的实验验证是使用配备PTST的光电二极管通过互补的金属氧化物 - 氧化 - 兼容器兼容的过程进行的。此外，我们演示了这些配备PTST的光二极管的电气和光学性能，以显示高速（响应时间：27 PS），高增益（乘法增益，M：90）和低工作电压（击穿电压：〜8.0 V）。最后，我们利用制造的配备PTST光电二极管的独特响应来模拟高光谱成像，提供原理证明。这些发现对于高性能光谱仪的片上整合，保证实时数据操作以及高光谱成像系统的成本效益的产生至关重要。关键字：雪崩光电二极管，高光谱成像，多光谱成像，光子捕获功能，光谱响应工程■简介
ER/O/B CODOPED SI发光二极管的分析影响 - 激发理论
er掺杂的Si发光二极管可能在硅光子学和光学量子计算中找到重要的应用。这些二极管在反向偏置时表现出比正向偏置高2个数量级的数量级。但是，这些设备中影响激发的物理学在很大程度上尚未探索。在这项工作中，我们制造了一个ER/O/B CODOP的SI发光二极管，该二极管通过对电子的撞击激发表现出很强的电致发光。建立了一种分析影响 - 激发理论，以预测与实验数据非常吻合的电致发光强度和内部量子效率。从配件中，我们发现可兴奋的ER离子达到了1个创纪录的浓度。8×10 19厘米-3及其45％的通过撞击激发处处于激发状态。 这项工作对基于半导体的稀土元素开发有效的经典和量子光源具有重要意义。通过撞击激发处处于激发状态。这项工作对基于半导体的稀土元素开发有效的经典和量子光源具有重要意义。