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World File Search System二极管
硅碳化物schottky屏障二极管 - 应用注释
图3.1显示了Gen-3 SIC SBD的原理结构，这是Sanan半导体提供的最新一代SIC二极管。该设备结合了一个金属半导体连接，称为Schottky屏障，而不是表征标准SI二极管的传统P-N结。shottky屏障是在肖特基金属和轻微掺杂的N型外延之间形成的。基板的特征是高度掺杂的N型SIC晶圆，可提供机械稳定性。当应用正向电压时，电子是多数电载体，导致单极电流。此外，由于活动区域中存在几个P+岛，该设备在电涌操作过程中作为PN二极管行为，并产生额外的电流流动。此设计可防止高电压下降，这将带来二极管的破坏。
质子损伤效应在双层γ/β-GA2O3二极管
钙稳态和胎儿骨发育，但同时也暗示了许多生物学功能作为激素。7因此，许多研究强调了其在怀孕期间的骨骼和非骨骼作用，例如胎儿植入以及胎盘形成和功能8或肺活性。9 - 11有趣的是，VD对于大脑发育也很重要，尤其是在多巴胺系统上，轴突连通性和神经元差异。12在过去的十年中，几项研究暴露了妊娠VD缺乏症（VDD）对脑部开发的不利序列和生命后期神经疾病的发作。本综述的目的是评估母体VDD对春季神经发育及其长期神经系统后果的影响的现有证据。
基于自旋扭转二极管的无线电接收器作为能量探测器
光子微生物（例如蓝细菌和微藻）可以在地下遗产地点易于增殖，在地下遗产地点引入人工照明设备已经显着改变了以前稳定的环境条件。在Reims（France）中雕刻在地下粉刷香槟地窖中的浅浮雕上的延长的Lampenflora生物膜生长（法国）代表了一个经常性的生物殖民化问题，需要定期清洁。这项工作的目的是使用基于多氧碱离子液体（POM-ILS）的预防性杀生物处理来限制Lampenflora在粉笔底物上的生长。在实验室进行的杀生物测定法显示了两种不同的无色POM-POM-il涂层比商业预防性RI80更有效，对从肥大的BAS浮雕，pseudostichoccus monallantoides和chofloris zofloris zofingiensis中分离出的两种藻类菌株。但是，当应用于湿粉笔时，只有一个POM-IL变体能够持续预防生物膜生长，这复制了地窖的更为剧烈的自然环境条件，并且可以限制杀生物涂层的性能。至关重要的是，涂层浓度研究表明，来自先前实验的POM-IL涂层平板如何保留其杀生物活性，并在重新接种具有藻类和蓝细菌的涂层平板后可以防止亚次依次重新固定。因此，POM-ILS代表了在Pommery Champagne Cellar独特的地下环境中消除粉笔浮雕上Lampenflora增长的出色候选人。
PESD1CAN CAN 总线 ESD 保护二极管 - 全部产品
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大电流真空二极管中“异常”电子的物理性质
简介/目的：从理论上解释亚纳秒真空二极管中存在一组电子，其动能远高于施加电压（乘以基本电荷值）qU max 。方法：采用基于 Vlasov-Poisson 微分方程组数值解的数学方法，用于各种设计的一维真空二极管。结果：详细显示了所谓的“异常”电子出现在表征真空二极管中建立电流流动过程的瞬态时间域中。结论：令人信服地表明，“异常”电子的存在与二极管设计或额外电流载体的存在无关。在电压脉冲前沿为亚纳秒的真空二极管中，超过 qU max 的能量可能超过 20%。
二极管无环状液体染料激光器的时间动力学
据报道，垂直外部空腔中的高度稳定的二极管无环状液体染料激光。设计很简单（无需制造过程步骤，不需要流体电路），紧凑（〜cm尺寸）和具有成本效益。报道了18％的光学效率为18％，具有出色的光稳定性 - 在50 Hz处140万脉冲后，没有效率下降，该值与流动系统相当，并且远高于有机固态激光器可实现的值。我们表明，热效应在稳定性和该激光器的动力学上都是中心的。在不同的泵脉冲持续时间/重复速率上详细研究了激光堆积和关闭动力学；他们揭示了脉搏缩短，泵脉冲持续时间和重复速率增加，这被证明是由于热透镜衍射损耗引起的。此激光结构提供了一个非常方便，简单的平台，用于测试或收集解决方案可供处理的增益材料。
单线双向对称（BISY）ESD保护二极管二极管Vlin系列用于汽车网络（例如Lin-Bus）提供±16 V
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Philip 1550nm DFB 激光二极管模块的空间验证 ...
在欧洲航天局资助的一项计划下，一种新型激光二极管模块已经创建并按照符合 ESCC-23201 的空间标准进行了测试。该模块由 Gooch & Housego 制造，即将进入欧洲航天市场，用于光信号处理和电信系统。发射来自 1550nm DFB 半导体激光二极管，该二极管以恒定的标称电流和温度驱动。结合优于 ±0.1nm 的波长稳定性和高达 3.2GHz 的内部数据速率，创新的子设计和封装提供了独特的功率能力，包括初始光纤功率 >90mW，典型电功耗 <4.1W，降至同类产品的 25%。AdvEOTec（法国）的验证测试表明，该产品符合一系列全面的航天标准，例如质子辐照、湿度、热/冷存储、快速减压、振动和 1,000g 冲击，以及对 ±8kV ESD、10 -5 mbar 真空和 100krad 伽马辐照的免疫力。Thales Alenia Space（法国）建立的寿命测试建模和生产筛选独特方法暂时确认了 15 年的航天标准使用寿命。所展示的航天标准产品旨在至少供应 5 年。
4H-SiC 合并 PIN 肖特基二极管，带浮动背对...
4H-SiC功率器件具有独特的高压、高频、高温特性，有着巨大的应用潜力。[1 – 3 ] 4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）由于其单极导电模式，广泛应用于高频领域。然而，较大的漏电流限制了它的击穿性能和高压应用。[4 – 6 ] 4H-SiC P–I–N二极管由于其双极导电模式，广泛应用于大功率场合。[7 – 9 ] 然而，较差的反向恢复特性限制了它在高频领域的应用。4H-SiC合并P–I–N肖特基（MPS）二极管是一种很有前途的器件，它将肖特基和PN结集成在一个芯片上，实现了优异的击穿性能和快速的反向恢复特性。[10 – 14 ]