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World File Search System二硫代菌
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
筛选合成生长素样和细胞分裂素...
这项研究致力于基于合成低分子氮的杂环化合物，硫代吡啶胺的衍生物的合成低分子杂化化合物的开发。在合成化合物的调节活性，在小麦植物的营养阶段研究了硫吡汀的衍生物。对植物生长调节活性进行了比较分析，例如生长素1-萘乙酸（NAA）和细胞分裂素N-（2-氟甲基）-7 H--吡啶-6-胺（kinetin），已知的合成化合物和诸如sod剂量的衍生物， 6-甲基-2-甲基-4-羟基苯胺（Methyur，kamethur）和新的合成化合物，例如硫代吡啶胺的衍生物。形态学参数，例如平均芽和根长（MM），10植物（G）（G）的平均生物量（G）和生化参数，例如光合色素含量（mg/g FW）。由于筛查的结果，新的合成化合物，选择了硫吡咪定的衍生物，这些衍生物在小麦植物的形态计量和生化参数上显示了与生长素Naa和cytokin kinetin kinetin或合成化合物的调节活性或超过麦芽素Naa和canteratious or inious of sod sods of SODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSODSOD， 6-甲基-2-甲基-4-羟基苯胺（Methyur，Kamethur）。讨论了新合成化合物的调节活性的激素样特异性和选择性，即硫代吡啶的衍生物对小麦生长的衍生物。对植物生长调节活性与合成化合物的化学结构（硫代吡啶胺的衍生物）之间的关系进行了分析。建议在农业产业中使用选择最高的生长素样和细胞分裂素样调节活性的硫代吡啶的衍生物，显示出最高的生长素样和细胞分裂素样调节活性。
高性能锂硫电池
如图 1a 所示，采用熔盐蚀刻和功能基团置换法，用 ZnCl₂ 和 Li₂S 从 Ti₃AlC₂ MAX 相合成 Ti₃C₂S₂ MXene。首先，将 Ti₃AlC₂ MAX 与 ZnCl₂ 混合，并在 500°C 下退火，生成 Ti₃C₂Cl₂ MXene。随后，在 800°C 下用 Li₂S 将 –Cl 基团替换为 –S 基团，从而获得 Ti₃C₂S₂ MXene。首先使用 X 射线衍射 (XRD) 分析验证样品的身份和晶体结构。结果表明，Ti₃C₂Cl₂ 和 Ti₃C₂S₂ MXene 中 Ti₃AlCl₂（JCPDS：#52–0875）的 (002) 峰强度均向较低角度移动（图 S1），表明晶体结构发生了显著变化，MAX 相成功剥离。Ti₃C₂Cl₂ 和 Ti₃C₂S₂ MXene 的 (002) 峰位于 8.96° 和 7.93°，分别对应层间距 9.82 Å 和 11.14 Å。使用扫描电子显微镜 (SEM) 检查 Ti₃C₂S₂ MXene 的形态，如图 1b-d 所示。SEM 图像证实 MXene 剥离成 2D 层状手风琴状结构。元素映射分析 (EDS) 进一步证实了 Ti、C、Cl 和 O 元素的均匀分布（图 1e）。这些结果最终证明了 Ti₃C₂S₂ MXene 的成功合成。
基于硫的反应的理论评估作为...
作者：ML De Sciscio · 2022 · 被引用 7 次 — 理论评估。基于硫的反应作为生物抗氧化防御的模型。Int.J. Mol.Sci.2022, 23, 14515。 https://doi.org/10.3390/。
基于硫的控制工程赋予了可变性
Vito Genna 1,2，Javier Iglesias 2，Laura Reyes-Franco 1，Nuria Villegas 1，Kevin Guckian 3，Punit Seth 4，Brad Wan 4，Cristina Cabrero 5，Montserrat Terrazas 1.6 * div>
钠硫（NAS®）电池
N 4至20MW尺寸安装在阿布扎比的11个变电站中。n Abu Dhabi具有1GW的PV，可在2026年延长6.5GW PV。n 5.6 GW核电运行计划从2026年开始。n储备量对于频率控制和能量转移是必需的。
希尔斯代尔教育委员会
新泽西州公开会议法的颁布是为了确保公众有权提前获得通知并参加讨论或处理影响其利益的任何事务的公共机构会议。根据该法案的规定，希尔斯代尔教育委员会已发布本次会议的通知，会议日期、时间和地点张贴在希尔斯代尔大道希尔斯代尔区政厅；希尔斯代尔大道 509 号希尔斯代尔公共图书馆；希尔斯代尔教育委员会办公室，拉克曼路 32 号希尔斯代尔；并于 2024 年 1 月 4 日发送给委员会指定的报纸：《记录报》和《里奇伍德新闻》。本次会议的议程已于 2024 年 6 月 21 日发布并发送给《里奇伍德新闻》和《记录与先驱报》。4. 点名
