基于半导体过渡金属二分法的晶体管可以提供高载体的迁移率,强旋转 - 轨道耦合以及在量子接地状态下固有强的电子相互作用。这使它们非常适合在低温下用于纳米电子产品。然而,在低温温度下与过渡金属二甲基化金属层建立强大的欧姆接触非常困难。因此,无法达到费米水平靠近带边缘的量子极限,从而探测了分数填充的Landau级级别中的电子相关性。在这里我们表明,使用窗户接触技术可以在从Millikelvins到300 K的温度范围内创建与N型钼二硫化物的欧姆接触。我们观察到超过100,000 cm 2 v -1 s -1的场效应,在低温下的传导带中,超过3,000 cm 2 v -1 s -1的量子迁移率超过3,000 cm 2 v -1 s -1。我们还报告了在最低的双层钼二硫化物中,填充4/5和2/5的分数量子厅状态的证据。
钾双离子电池(K-DIBS)由于其高安全性和功率密度引起了极大的兴趣。但是,为K-Dibs实现高率和良好的环状阳极仍然是一个巨大的挑战。在此,层次的TIS 2被认为是K-Dibs的有吸引力的阳极,该阳极的排放能力为91.0 mA H G-1,同时被放电/充电到半细胞中的2000个周期。有趣的是,这种稳定的能力归因于K +诱导的相变的机理。原位特征和第一原理计算表明,插入的K +最终是产生热力学稳定的TI-S层之间的支柱,最终最终是TIS 2相。可靠的K 0.25 Tis 2相显示扩大的层间空间,增强的电子电导率以及较低的扩散屏障,可以使K +的高度稳定和快速存储。此外,首次报道了基于Tis 2阳极和中碳微粒阴极的新型K-DIB。K-DIB在100 mA g-1处实现75.6 mA H G-1的可逆能力,并在5000 mA g-1时保持了85.8%的容量保留/充电,可容纳85.8%的能力保留。这种机械研究为分层硫化物/硒化的反应过程提供了新的见解,并将促进其在安全和高功率K-DIB中的应用。
氧[17-22],电化学氧化[23,24]和光化学氧化技术[25]已成为替代天然方法。 但是,这些方法具有重要的限制:底物必须是具有不愉快气味的硫醇。 这阻止了他们大规模的广泛使用。 最近,研究工作重点是探索替代试剂,这些试剂比硫醇具有无味和更稳定的优势。 这些替代方法包括氯化磺酰氯[26],磺酰基氢氮[27],二硫化碳[28]和硫酸钠(方案1)[29-32]。 在可用的替代方案中,硫酸钠特别有趣,因为它更稳定,更易于运输,并且广泛用于有机合成[33-37]。 使用亚硫酸钠作为建造二硫化物的起始材料时,通常需要将等效的还原剂引入等效的还原剂,例如PPH 3 [29],HI [30],HPO(OET)2 [31]或铁粉[32]或铁粉[32] 尽管已经进行了许多关于硫酸钠二硫化物合成的研究,但在不使用其他氧化还原试剂的情况下,开发了合成硫酸钠二硫化物的方法的发展仍然是一项具有挑战性的任务。氧[17-22],电化学氧化[23,24]和光化学氧化技术[25]已成为替代天然方法。但是,这些方法具有重要的限制:底物必须是具有不愉快气味的硫醇。这阻止了他们大规模的广泛使用。最近,研究工作重点是探索替代试剂,这些试剂比硫醇具有无味和更稳定的优势。这些替代方法包括氯化磺酰氯[26],磺酰基氢氮[27],二硫化碳[28]和硫酸钠(方案1)[29-32]。在可用的替代方案中,硫酸钠特别有趣,因为它更稳定,更易于运输,并且广泛用于有机合成[33-37]。使用亚硫酸钠作为建造二硫化物的起始材料时,通常需要将等效的还原剂引入等效的还原剂,例如PPH 3 [29],HI [30],HPO(OET)2 [31]或铁粉[32]或铁粉[32]尽管已经进行了许多关于硫酸钠二硫化物合成的研究,但在不使用其他氧化还原试剂的情况下,开发了合成硫酸钠二硫化物的方法的发展仍然是一项具有挑战性的任务。
Zhu,S.,Duan,R.,Chen,W.,Wang,F.,Han,J.,Xu,X.,Wu,L.&Wang,Q。J.(2023)。 在中红外的分层铂二硫化物中的Ultrastrong光学谐波产生。 ACS Nano,17(3),2148-2158。 https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c08147在中红外的分层铂二硫化物中的Ultrastrong光学谐波产生。 ACS Nano,17(3),2148-2158。 https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c08147ACS Nano,17(3),2148-2158。 https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c08147https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c08147https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c08147
摘要:应变工程改变了原子级薄过渡金属二硫化物光学和电子性质。二维材料中高度不均匀的应变分布很容易实现,从而能够控制纳米级的性质;然而,探测纳米级应变的方法仍然具有挑战性。在这项工作中,我们通过开尔文探针力显微镜和静电门控表征非均匀应变单层 MoS 2,将应变的贡献与其他静电效应隔离开来,并能够测量长度小于 100 纳米的二维应变张量的所有分量。这些方法的组合用于计算由压电效应产生的静电势的空间分布,提供了一种表征非均匀应变和压电性的强大方法,可以扩展到各种二维材料。关键词:二维材料、过渡金属二硫化物、应变、压电性、开尔文探针力显微镜
10:10 - 13:35研究氢存储的高熵合金Jacuquline Tau,Rosinah Modiba,Ntombizodwa Mathe,Nana Arthur和Sisa Pityana,CSIR,南非,南非;查尔斯·W·西亚西亚(Charles W Siyasiya),比勒陀利亚大学,南非,10:35 - 11:00,在酸性培养基中用金属有机框架和钼二硫化物修饰的聚苯胺的氢进化反应10:10 - 13:35研究氢存储的高熵合金Jacuquline Tau,Rosinah Modiba,Ntombizodwa Mathe,Nana Arthur和Sisa Pityana,CSIR,南非,南非;查尔斯·W·西亚西亚(Charles W Siyasiya),比勒陀利亚大学,南非,10:35 - 11:00,在酸性培养基中用金属有机框架和钼二硫化物修饰的聚苯胺的氢进化反应
摘要:2-羟基油酸 (6,2OHOA) 是一种用于膜脂治疗的强效无毒抗肿瘤药物,由于其能够在水中形成纳米颗粒 (NPs) 而被选为自组装诱导剂。为此,它通过含二硫化物的连接体与一系列抗癌药物结合,以增强细胞渗透并确保药物在细胞内释放。对合成的 NP 制剂针对三种人类肿瘤细胞系 (双相间皮瘤 MSTO-211H、结直肠腺癌 HT-29 和胶质母细胞瘤 LN-229) 的抗增殖评估表明,纳米组装体 16 – 22a,bNPs 在微摩尔和亚微摩尔浓度下表现出抗增殖活性。此外,含二硫化物的连接体促进细胞效应的能力已在大多数纳米制剂中得到证实。最后,17bNP 诱导胶质母细胞瘤 LN-229 细胞内 ROS 增加,类似于游离药物 8 ,并且通过使用抗氧化剂 N -乙酰半胱氨酸进行预处理可以降低这种升高的产生。此外,纳米制剂 18bNP 和 21bNP 证实了游离药物的作用机制。
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元(3R-TMD)表现出较高的载流子迁移率,滑动铁电性,并相干增强了非线性光学响应。然而,很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法,用于它们的几种成分,包括二硫化钼(MOS 2),二苯胺钼,二硫化牛二硫化物,二硫化钨,二硫代二硫化钨,二硫化二硫化物,二硫化硫化物,二氮氮化物,二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列,并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性,高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应(比单层大5个数量级)。t