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World File Search System二硫化钼
二硫化钼MOS2和Q-BWF线形状（...
最近，我们考虑了与石墨相比，石墨烯和氧化石墨烯的拉曼光谱如何出现。在评论中，我们提到了Breit-Wigner-Fano（BWF）线的形状，Ferrari和Robertson，2000年被告知代表碳质材料的G带。BWF是一种用于考虑不对称和FANO共振的修改后的洛伦兹函数（请参阅Miroshnichenko等，2010，介绍Fano理论和模型）。例如，Hasdeo等，2014，使用“石墨烯拉曼光谱中的Breit-Wigner-Fano线形状”，因为“声子光谱与电子孔对激发光谱之间的干扰效果”（Hasdeo等人，2014年，Hasdeo hasde-hole taime coptation Spectra之间）。让我们强调，也可以通过使用分裂的洛伦兹函数来获得不对称性。表征BWF函数的内容是“形状共振”的存在，如Bianconi，2003年的图2所示，或者如其他地方给出的（Tanwar等，2022），抗抗抗耐药性的“蘸酱”。
二硫化钼（MOS2）纳米材料的合成及应用研究进展
1 无机和分析化学，2 制药，3 无机和分析化学，维沙卡帕特南，530003，印度。摘要：纳米材料的生产和应用研究已经开展多年。由于基本元素钼和另一种化学元素硫（氧族元素）的性质不同，它们具有各种吸引人的特性。尽管我们对二硫化钼纳米粒子的成核、发展和结构所涉及的过程以及其生物特性和催化活性背后的机制的理解取得了重大进展，但仍存在许多困难。纳米材料的进化有助于在纳米级改变材料的形状和结构，以实现所需的应用。为了区分半导体相和金属相，人们开发了准二维 (Q2D) 材料，例如石墨烯和 2D 蜂窝硅，以及层状过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如二硫化钼 (MoS 2 ) (WS2)。因为它在从块体转变为纳米级时能够表现出广泛的特性。其中，二硫化钼 (MoS 2 ) 是一种有趣的多功能材料。由于其 (1.9 eV) 直线带隙值，单片 MoS 2 无疑能够实现后硅电子学。在室温下，它具有高开/关电流比和大约 200 cm 2 (Vs -1 ) 的迁移率。MoS 2 的结构也是其两个特性的决定因素。它对气体传感很有用，因为它具有六边形结构，其中 S-Mo-S 原子层共价连接，相邻的 MoS 2 层之间有范德华连接。由于 MoS 2 具有良好的特性，因此具有多种实际应用。我们力求在这篇综述中涵盖当前的合成技术及其在 2D MoS 2 材料中的应用。关键词：过渡金属二硫化物 (TMD)、二硫化钼 (MoS 2 )、二硫化钼材料的合成技术以及二硫化钼的应用。
二硫化钼中纳米片和纳米花的抗菌活性：综合综述
与传统抗生素不同，由 2D 纳米材料制成的抗菌剂可以以较少的量使用，从而降低副作用和耐药性问题的风险。由于 MoS 2 等 TMD 具有移动性、稳定性、价格合理、与身体相容性、多功能性和易于生产等特点，它们在医学领域对抗癌症和细菌方面显示出良好的前景 [11]。研究人员正在探索 MoS 2 的各种应用，包括增强性能、医疗用途和电子产品。虽然 MoS 2 纳米材料具有显着的属性，但如果不进行适当修改，则在医学中使用它们会受到限制。通过加入其他功能来增强 MoS 2 可以扩展其潜在应用。此外，将 MoS 2 与其他抗菌材料结合可以大大提高其有效性 [12]。
金纳米风险的扭曲外观二硫化钼层之间生长的金纳米虫
我们将外延的概念扩展到了“扭曲外观”的制度，并在两个受相对方向影响的两个底物之间的表层晶体取向。，我们在两个去角质的六角钼二硫化物（MOS 2）的两个底物之间退火纳米厚的金（AU）纳米颗粒，其基础平面的不同方向具有相互扭曲的角度，范围为0°至60°。透射电子显微镜研究表明，当双层的扭曲角度很小（<〜7°）时，AU在顶部和底部MOS 2之间对齐。对于较大的扭曲角，Au只有一个小的不良对象，而底部MOS 2则与双层MOS 2的扭曲角差异大致变化。四维扫描透射电子显微镜分析进一步揭示了与扭曲的外交相关的au纳米虫的周期性应变变化（<|±0.5％|），与两个MOS 2扭曲层的Moiré注册表一致。e
吸附金属酞菁对二硫化钼缺陷光致发光猝灭的机理研究
图 2. (a) 机械剥离的 MoS 2 的光学显微照片，其中单层区域突出显示。(b) 沉积 1 nm CoPc 之前和之后单层 MoS 2 的拉曼光谱。A 1g 和 E 2g 峰之间的间隔约为 19 cm -1 ，表明为单层 MoS 2 。1100 – 1500 cm -1 范围内的拉曼模式是 CoPc 的特征。(c) 机械剥离的 MoS 2 和含有 1 nm CoPc 的 MoS 2 的 300 K PL 光谱。A 激子和相关的三子在 675 nm 处很突出，由于 B 激子的存在，可以看到一个小的高能肩。(d) MoS 2 和含有 1 nm CoPc 的 MoS 2 的 10 K 光致发光。在此温度下，除了 660 nm 和 600 nm 处的 A 和 B 激子外，MoS 2 缺陷发射在 700 nm 处也变得明显，
p 掺杂二硫化钼中光驱动瞬态皮秒顶层半导体到金属相变
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料，具有可定制的电子特性，因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在，以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体，间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成，具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性，其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层，带隙逐渐加宽，单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道，插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积，其中硫原子占据 2H 相六边形的中心，从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定，例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]
引用本文 Hemadri K, Ajith ADS, Kukanur V, Nagaral M. 用不同合金增强 Al6262 的磨损率和摩擦系数的测定
对基于铝合金 6262 的混合金属基复合材料在干滑动条件下进行了摩擦学研究，该复合材料加入了不同重量百分比的碳化钨 (WC) 和二硫化钼 (MoS 2)。具体来说，碳化钨的加入量为 3%、6% 和 9%，而二硫化钼的加入量为 2%、4% 和 6%。这些混合复合材料的制造采用搅拌铸造技术。实验设计遵循 L27 正交阵列，并采用田口优化来确定输入参数的最佳组合。采用正交阵列、信噪比和方差分析来研究开发的复合材料的最佳测试参数。最佳配方可产生最小的磨损率和摩擦系数，即 9% WC、6% MoS2、负载为 10N、滑动速度为 1 m/s 以及滑动距离为 400 m。使用扫描电子显微镜 (SEM) 对 Al6262/WC/MoS 2 混合复合材料进行表征。
亚太地区主要国家量子技术政策与研发趋势
量子纠缠、拓扑绝缘体、几何拓扑、超导量子比特、稀磁半导体、随机预言模型、细胞自动机、玻色-爱因斯坦凝聚态、钻石、成像、单分子磁性、电磁感应透明性、分组密码、激子、分子间通信、粒子群优化、二硫化钼、约瑟夫森结、石墨烯、加法数学
二维原子晶体，用于突出电气装置的Young-Jun Yu电子和电信研究所（ETRI），218 GAJ
下一代电子产品不仅需要较小，而且还需要更灵活。为了满足此类需求，已经深入研究了使用二维原子晶体的电子设备。尤其是在多功能研究领域具有前所未有的性能实现的石墨烯会导致2D原子晶体游行。在本演讲中，我将介绍石墨烯对突出的电晶体管实现的电气表征和应用。即使是上升的2D原子晶体，例如六角硼（H-BN），二硫化钼（MOS 2）和用于现场效应晶体管（FET）的有机薄膜，以符合胜任的增强。
在拓扑上绝缘的MOS2的纳米带中的子带中的1 t - 相位
连续的小型化将硅技术的特征大小降低到纳米尺度，在此尺寸不太尺寸的降低不足以提高性能。使用具有先进特性的新材料已成为必须满足降低功率以提高性能的需求。拓扑绝缘子具有高电导性拓扑保护的边缘状态，对散射不敏感，因此适用于节能的高速设备。在这里，我们通过采用有效的kbh phamiltonian来评估1T'钼二硫化物的狭窄纳米带中的子带结构。高电导性拓扑保护的边缘模式，其能量位于散装带隙内的在与传统电子和孔子带相等的基础上进行了研究。 由于边缘模式在相对侧之间的相互作用，线性光谱中的一个小间隙在狭窄的纳米孔中打开。 与垂直的平面电场相比，该差距与垂直的纳米替宾的行为相比，与垂直的平面电场急剧增加。 传统电子和孔子带之间的间隙也随垂直电场而增加。 两个间隙的增加导致弹道纳米托电导和电流的迅速减少，该电场可用于设计二硫化钼纳米吡啶基的电流开关。在与传统电子和孔子带相等的基础上进行了研究。由于边缘模式在相对侧之间的相互作用，线性光谱中的一个小间隙在狭窄的纳米孔中打开。与垂直的平面电场相比，该差距与垂直的纳米替宾的行为相比，与垂直的平面电场急剧增加。传统电子和孔子带之间的间隙也随垂直电场而增加。两个间隙的增加导致弹道纳米托电导和电流的迅速减少，该电场可用于设计二硫化钼纳米吡啶基的电流开关。