XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System二硫属
附件二、host professor information form_NCU.xlsx
人工智能（AI），深度学习，智能无人机，智能运输系统（ITS），强化学习（RL），神经建筑搜索（NAS），车辆品牌和模型识别，基于KINECT - 基于Kinect的在线手写识别系统，人员计数，行为分析，车牌检测和识别系统
二维过渡金属二硫属化物介导的光驱动 CH 活化
记录版本：该预印本的一个版本于 2024 年 7 月 2 日在《自然通讯》上发表。已发布的版本请参阅 https://doi.org/10.1038/s41467-024-49783-z 。
章 二 郎) 68 号 STtJDIESON THE BIOSYNTHESISOF ...
微生物对生物素的生物合成研究 (主审员) 论文研究委员会 绪方光一教授 镰田久明教授 岩井和夫教授
二维过渡金属二硫属化物中激子动力学的瞬态纳米显微镜
2D 过渡金属二硫属化物的电子和光学特性主要受强激子共振控制。激子动力学在许多微型 2D 光电器件的功能和性能中起着关键作用；然而，纳米级激子行为的测量仍然具有挑战性。据报道，这里使用近场瞬态纳米显微镜探测衍射极限以外的激子动力学。作为概念验证演示，研究了单层和双层 MoS 2 中的激子复合和激子-激子湮没过程。此外，通过访问局部位置的能力，可以解决单层-双层界面附近和 MoS 2 纳米皱纹处有趣的激子动力学。如此纳米级的分辨率凸显了这种瞬态纳米显微镜在激子物理基础研究和功能器件进一步优化方面的潜力。
单层过渡金属二硫属化物中的应变相关发光和压电性
通过机械变形改变过渡金属二硫属化物光学和电子特性的研究已非常广泛。它们在破裂前能够承受大变形的能力使带隙具有很大的可调谐性，而且，空间变化的应变已被证明可以控制带隙的空间分布并导致载流子漏斗等效应。单层过渡金属二硫属化物表现出显著的压电效应，可以与空间不均匀的应变分布耦合以影响电子和光学行为。我们通过实验和理论研究了结构中光致发光的一个例子，该结构具有与单光子发射器中相似的应变分布，但这里是通过纳米压痕产生的。使用纳米压痕引起的应变的机械模型，我们表明压电效应可以导致电荷密度达到 10 12 e/cm 2
基于Co3O4-RGO材料的改性隔膜制备及其在锂硫电池 ...
近年来，由于能源短缺和环境污染，低成本，高能量密度和环保特征的锂硫电池（LSB）引起了广泛的关注。然而，由锂多硫化物（Lips）引起的班车效应大大降低了LSB的cy效和寿命。为了解决此问题，我们通过一步热液方法设计了一个CO 3 O 4 -RGO复合材料，该方法用于修改聚丙烯（PP）分离器。CO 3 O 4 -RGO复合材料具有较高的电子电导率和吸附性能，可提供电子传输的通道并有效抑制嘴唇的班车。用CO 3 O 4 -RGO-PP分离器组装的锂硫电池具有令人满意的特定能力。在0.1 c时，第一个散落能力达到1365.8 mAh·g -1，并且在100个周期后，放电能力保持在1243.9 mAh·g -1。在0.5°C时350个循环后，放电能力为1073.9 mAh·g -1，每个周期的平均容量衰减率为0.0338％。这些结果表明CO 3 O 4 -RGO- PP分离器将在高性能LSB中具有良好的应用前景。
微生物硫代谢及其驱动下建立的生物生态关系
微生物，动物和植物中的代谢途径表现出各种关系。基于微生物硫代谢，本文总结了微生物，动物和植物中硫的四个主要代谢途径，并强调了相似性，差异和关系。微生物是生物硫循环的主要驱动力，参与硫的所有主要代谢途径。微生物通过微生物减少了硫磺硫，可减少甲烷在环境中的挥发。微生物或植物的同化硫还原性的动物有机硫来源，而动植物则缺乏异化或同化硫还原的功能。硫氧化发生在所有三种生物体中，具有相似的途径，其中硫转移酶多样化氧化产物。植物中的硫矿化尚不清楚，但是动物或微生物的矿化使植物中的硫硫底物可促进其他无机硫底物。 在本质上，基于硫代谢的生态关系，例如肠道微生物与宿主动物之间的关系，根际微生物与植物根，衰减的动物和植物的微生物矿化，以及微生物氧化的微生物矿化，硫磺的硫化和减少，显着增强了硫磺的硫磺含量。硫矿化尚不清楚，但是动物或微生物的矿化使植物中的硫硫底物可促进其他无机硫底物。在本质上，基于硫代谢的生态关系，例如肠道微生物与宿主动物之间的关系，根际微生物与植物根，衰减的动物和植物的微生物矿化，以及微生物氧化的微生物矿化，硫磺的硫化和减少，显着增强了硫磺的硫磺含量。
超声和二硫代醇的协同作用
抽象目的：与植入物相关的感染代表了导致发病率和死亡率增加的重要并发症。确定引起感染的微生物剂对于成功治疗至关重要。尽管周围关节感染（PJIS）随着时间的推移而发生的发生率，但尚无100％灵敏度的诊断测试来准确识别这些感染。本研究的目的是确定将超声处理与Dithiothreitol（DTT）相结合是否提高了诊断植入物相关感染的准确性和敏感性。方法：具体来说，本研究包括30名因怀疑感染而因植入物去除的患者。植入物分为两个段：使用超声处理方法处理一个段，另一种是通过组合DTT和超声处理来处理的。结果：对于合并组而言，平均值为81.17 +/- 67.53 cfu/ml，对于组合组，平均值为109.7 +/- 62.78 cfu/ml。结论：我们的研究结果表明，DTT和超声处理的组合增加了菌落数量约为28.53 CFU/ML，这增强了检测到骨科植入物相关感染的可能性。
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。