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World File Search System二硫属
材料/产品安全数据表 (MSDS-PSDS)
锂金属与水反应会产生氢气 (H 2 ) 以及氧化锂 (Li 2 O) 和氢氧化锂 (LiOH) 粉尘。亚硫酰氯在 140°C 以上热分解时会产生氯气 (Cl 2 )、二氧化硫 (SO 2 ) 和二氯化二硫 (S 2 Cl 2 )。亚硫酰氯在室温下与水反应会产生盐酸 (HCl) 和二氧化硫 (SO 2 )。四氯铝酸锂 (LiAlCl 4 ) 与水反应会产生盐酸 (HCl) 烟雾、氧化锂 (Li 2 O)、氢氧化锂 (LiOH) 和氢氧化铝 (Al(OH) 3 ) 粉尘。
宣布属的州和县办事处
《 2024年进一步的持续拨款和其他扩展法》（Pub。L. 118-22）2018年农业法案的扩展条款，并授权CRP登记量低于2024年9月30日的法定限制。2024年3月2日，USDA宣布将从2024年3月4日，至2024年3月29日举行。当前未注册CRP的土地可能会在一般CRP注册期间入学62。此外，计划于2024年9月30日到期的合同的CRP参与者可能会提交根据合同注册的土地要约，如果被接受，将于2024年10月1日开始合同。对于一般CRP注册62，FSA将使用环境福利指数（EBI）对其他合格的选择进行排名。环境资源结果评估工具（TERRA）和保护在线系统（COLS）必须用于所有通用CRP注册62优惠。这些工具将对适用的土壤，保护优先区，野生动植物以及水和空气质量区域使用更新的数据库。B目的
Parabioxys 属的一个新记录（...
Bioxys 属 Starý & Schlinger, 1967、Parabioxys Shi & Chen, 2001 和 Sergeyoxys Davidian, 2016（膜翅目：茧蜂科：蚜虫亚科）是全球已知仅包含一个物种的属（Starý and Schlinger 1967；Chen and Shi 2001；David ian 2016）。Bioxys 和 Parabioxys 这两个属分别在韩国和朝鲜有记录（Starý et al. 2010；NIBR 2023），而 Sergeyoxys 属则在俄罗斯远东地区有记录（Davidian 2016）。Starý 和 Schlinger（1967）将 Bioxys 确立为一个新属，其特征是原来的成对的叉子融合为一个独特的中间叉子。然而，Takada (1968) 描述了 Trioxys machilaphidis Takada, 1968，后来得出结论，它与 B. japonicus Starý & Schlinger, 1967 同义，建议将 Bioxys 视为 Trioxys Haliday, 1833 的一个亚属，而不是一个属。Starý (1975) 后来将 Bioxys 视为一个独特的属，认为独特的中叉可以独立于 Trioxys 中已知的成对叉发育，从而突出了 Bioxys 的独特性。
家庭，属和物种的新记录
多年来，研究人员一直在寻求阐明Chalcidoidea内的进化关系，Chalcidoidea是寄生虫黄蜂的超家族，其特征是它们的非凡多样性和生态重要性（Cruaud等，2024）。从历史上看，某些家庭，例如翼展病，被认为是无法自信地分配给定义明确的分类学群体的物种的存储库（Gibson等，1997）。分子系统发育的进步已经阐明了许多这些关系，从而导致了大量的分类修订（Burks等，2022）。一些亚家族和部落已升至家庭等级，而其他部落已被重新分配给Chalcidoidea中的不同家庭。这是宏观西尼亚·格雷厄姆（Macromesinae Graham）的最新重新分类，1959年和Eunotinae Ashmead，1904年，它们分别升至家族地位，分别为Macromesidae和Eunotidae（Burks等，2022）。在较早的分类中，Macromesinae被视为一个小的亚家族，包括一个属，包括一个属，Macromesus Walker，1848年，大约有12种描述的物种（Askew＆Shaw，2001; Narendran等人，2001年； 2001年； UCD社区，20233）。大多数宏观的种类是树皮甲虫和鼻甲虫的寄生虫（鞘翅目：姜黄科，scolytinae，
用于化学和生物传感的硅杂化纳米结构的界面工程
这些和其他有吸引力的特点引起了人们对这种技术日益增长的兴趣，包括材料科学的基本方面和控制界面特性的化学方法。纳米材料合成方法和纳米制造技术的最新进展为具有极高界面面积和极小尺寸的化学传感器创造了机会，分别可以提高灵敏度和响应时间。以前的报告描述了独特的传感器类别，它们利用各种类型的纳米材料和设备架构进行有针对性的应用，活性材料包括有机半导体[3,4]、无机薄膜和纳米线[5–9]、碳纳米管[10]、石墨烯[11]和过渡金属二硫代化合物[12]。在所研究的广泛材料中，单晶硅及其衍生物尤其令人感兴趣，因为其具有优异、可重复和良好控制的电子特性，可实现卓越的性能和节能运行，并与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，用于集成多路复用和信号处理。各种研究都表明了此类化学传感平台的用途，重点是制备、组装、界面工程、电气性能和应用。与其他纳米材料（例如石墨烯、过渡金属二硫属化物、黑磷）相比，这些纳米材料通常包含一系列不受控制的活性位点（例如空位、晶粒边界和缺陷），对基面传感产生不利影响，而现代方法可以常规形成单晶硅，质量优异，成本低，面积大，结构和材料特性近乎完美。[13] 受控生长和/或光刻
二维晶体沟道MOS晶体管结构的电荷特性
摘要 — 二维 (2D) 半导体晶体可用于进一步提高场效应晶体管的效率和速度。此类晶体管不受传统 MOS 晶体管在尺寸减小时产生的一些不利影响。本研究提出了以二维晶体为沟道的晶体管 MOS 结构模型，并研究了其电荷特性。在 MoSe 2 、WS 2 、WSe 2 、ZrSe 2 、HfSe 2 和 PtTe 2 等代表性二维晶体的电物理特性变化范围内对这些特性进行了数值模拟。发现了结构电物理参数通过化学势的自洽相关性，并证明了场电极电位和栅极绝缘体电容对它们的影响。对该晶体管结构的传输特性陡度与电压增益的计算表明，对于禁带宽度在0.25–2.1 eV范围内的过渡金属二硫属化合物（TMD）沟道，上述参数的幅度分别可达0.1 mA/V和1000。
大麻二酚在...
DOI: 10.56083/RCV4N10-148 Receipt of Originals: 09/11/2024 ACCEPTANCE FOR PUBLICATION: 10/01/2024 ANA ANGÉLICA FERREIRA BENTO CARDOSO LION IN MEDICINE INSTITUTION: UNIVERSITY CENTER TANCREDO DE ALMEIDA NEVES (UNIPTAN) EDUARDA COSTA GOMES IN MEDICINE INSTITUTION: UNIVERSITY CENTER PRESIDENT TANCREDO DE ALMEIDA NEVES地址：米纳斯总部，电子邮件：mariaedadacg1234@icloud.com douglas robertoguimarãessilva silva食品科学：联邦拉夫拉斯大学（UFLA）地址：SãoJoãoJoãodelRei，巴西邮件，巴西邮件已被讨论，因为它因其替代性而被讨论，以使其因自动降低而造成自动化。抗炎和抗焦虑特性。 也就是说，目前的工作旨在对大麻二酚在治疗自闭症谱系障碍治疗的科学文献进行综述。 使用的方法是一本综合文献综述，DOI: 10.56083/RCV4N10-148 Receipt of Originals: 09/11/2024 ACCEPTANCE FOR PUBLICATION: 10/01/2024 ANA ANGÉLICA FERREIRA BENTO CARDOSO LION IN MEDICINE INSTITUTION: UNIVERSITY CENTER TANCREDO DE ALMEIDA NEVES (UNIPTAN) EDUARDA COSTA GOMES IN MEDICINE INSTITUTION: UNIVERSITY CENTER PRESIDENT TANCREDO DE ALMEIDA NEVES地址：米纳斯总部，电子邮件：mariaedadacg1234@icloud.com douglas robertoguimarãessilva silva食品科学：联邦拉夫拉斯大学（UFLA）地址：SãoJoãoJoãodelRei，巴西邮件，巴西邮件已被讨论，因为它因其替代性而被讨论，以使其因自动降低而造成自动化。抗炎和抗焦虑特性。也就是说，目前的工作旨在对大麻二酚在治疗自闭症谱系障碍治疗的科学文献进行综述。使用的方法是一本综合文献综述，
行动计划二.xlsx
使用气候影响评估工具审查所有现有服务，就好像它们是新建议一样 - 像往常一样业务将导致像往常一样的有害排放水平。注意：《气候影响评估条例》第4（2）条2023指出：“一项积极或被动地继续进行公共机构的现有行动或活动的决定应被视为该公共机构的建议，如果尚未审查到2027年3月31日的交付方式和交付机制。”
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性