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World File Search System二茂铁
用于高稳定、高效锂掺杂 Spiro-OMeTAD 基钙钛矿太阳能电池的多面二茂铁中间层
近年来，金属卤化物钙钛矿作为光伏器件中很有前途的光收集层，引起了越来越多的研究关注。迄今为止，使用螺环-OMeTAD 作为空穴传输层 (HTL) 是生产 PSC 的先决条件，其最高 PCE 可达 25% 以上。[1–3] 然而，在实现创纪录的 PCE 的同时，使用螺环-OMeTAD 也显著导致了钙钛矿层的快速降解。使用螺环-OMeTAD 给 PSC 带来的额外不稳定性源于添加到螺环-OMeTAD 中的掺杂剂，这些掺杂剂是改善 HTL 低固有电导率所必需的。[4–6] 截至撰写本文时，性能最高的 PSC 是使用锂双（三氟甲烷磺酰基）酰亚胺 (LiTFSI) 掺杂的螺环-OMeTAD 制备的，能够
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。