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World File Search System二阶效应
10987061.pdf - 启蒙论文 - 格拉斯哥大学
线弹簧模型分析表明，相邻共线缺陷之间的相互作用是二阶效应，对部件寿命影响不大，实验观察也支持了这一观点。此外，现有的缺陷评估方法在处理缺陷相互作用方面充其量是不切实际的，而且对于本文考虑的情况来说，通常过于保守。数值研究和实验数据都表明，缺陷一融合，融合裂纹的凹角部分就会出现应力强度因子的显著放大。这种放大导致该部分快速扩展，形成单个半椭圆形裂纹。根据这一分析和支持性实验观察，得出结论，这种行为持续时间足够短，可以将其忽略，以用于寿命预测计算。
实现快速增长的空间能力
图 1：国防情报局的反太空威胁连续体（DIA，2022 年） ..... 9 图 2：轨道类型和用途（DIA，2022 年） ...................................................................................... 12 图 3：美国空军 C-17 运输机上的便携式三星座 GNSS 接收器（作者照片） ............................................................................. 38 图 4：AN/TRN-47 TACAN（CWO Bryan Nygaard） ............................................................................. 44 图 5：第一太空旅士兵提供隶属于机动部队的次要太空任务（SSGT Dennis Hoffman） ............................................................................................................. 48 图 6：太空监视网络地理位置（USSTRATCOM 图表） ...................................................................................................... 80 表 1：按太空任务区域划分的需求、损失和二阶效应 ............................................................................................. 25 表 2：太空发射设施 ............................................................................................................................. 78 表3：卫星控制网主要设施...................................................................................................... 78 表 4：空间监视网主要设施................................................................................................... 79 表 5：常见低地球轨道极地轨道风险概况........................................................................................ 82
低压高输出电阻电流镜设计
如今，尤其是对于便携式设备而言，低功耗是延长电池寿命的基本约束。在这种情况下，传统电路无法满足要求。需要重新设计采用较低技术的电路，使其在减少供电的情况下也能正常工作，这是设计师的主要关注点。虽然规模化技术有助于通过要求低供电来降低功耗，但同时，如果设计是模拟的，二阶效应就会变得突出。在数字中，这种影响不会使性能下降太多。在任何 IC 中，性能都由用于构建它的组件决定。如果 IC 中使用的子块消耗的功率较低，则意味着整个系统的性能会更好。对于模拟 IC，电流镜是广泛用于大多数电路的基本块之一。电流镜的理想特性包括大动态范围、宽带宽、低输入电阻和高输出电阻。然而，在纳米技术中，
χ（3）混合非线性光子学
摘要：光学非线性过程在广泛的应用中是必不可少的，包括超快激光器，显微镜和量子信息技术。在不同的非线性过程中，二阶效应通常不堪重负，除了中心对称系统，二阶易感性在其中消失了，从而允许使用第三阶非线性。在这里，我们演示了一个混合光子平台，可以灵活地调整二阶和三阶敏感性之间的平衡。通过用原子上稀薄的钨化装饰超高的二氧化硅微腔，我们观察到腔体增强的第二谐波产生和汇总频率产生，并以连续波激发的功率水平仅为几百微米。我们表明，可以通过仔细选择二维材料的大小和位置来实现单个设备中二阶和三阶非线性的共存。我们的方法可以推广到其他类型的腔体，从而释放具有对新应用的非线性敏感性的混合系统的潜力。关键字：二维材料，超高Q微腔，第二谐波一代，非线性光学元件，过渡金属二核苷
预测新兴技术对未来的影响...
我们邀请了 30 位专家预测美国、俄罗斯和中国 12 项新兴技术在 2040 年前的发展轨迹，并评估它们对军备竞赛稳定、危机稳定和人道主义原则未来可能产生的影响。结果显示，平均而言，它们的影响预计为负面，有些技术会对所有三个因变量产生负面影响。我们使用机器学习算法根据技术的预期影响对其进行聚类。这一过程确定了由各种高影响力技术组成的技术集群，这些技术具有共同的关键影响特征，但不一定具有共同的技术特征。我们将这些综合效应称为“负多重性”，反映了新兴技术预计对国际稳定和人类安全产生的以负面为主的、并发的、在某些情况下相似的一阶和二阶效应。预计到 2040 年，美国、俄罗斯和中国的技术发展轨迹将会趋于一致，再加上地缘政治竞争所造成的不利环境，这表明一场技术军备竞赛即将出现，有可能严重阻碍国际军备控制努力以规范新兴技术。
电致伸缩聚合物纳米复合材料
所有介电材料都具有电活性，即能够在施加的电场作用下改变其尺寸或形状。(Dang et al, 2012) 电活性聚合物 (EAP) 及其聚合物纳米复合材料由于其低模量、高应变能力、易于低成本加工和可定制的机电耦合特性，特别适用于从致动器、传感器到发电机等应用。通常，EAP 诱导的应变能力比刚性和易碎的电活性陶瓷高两个数量级。与形状记忆合金和聚合物相比，它们显示出更快的响应速度。(Yuan et al, 2019) 由于这些特性，EAP 可以与生物肌肉相媲美，并长期被称为“人造肌肉”。(Bar-Cohen, 2002) 社区甚至发布了一项挑战，要求开发一种由人造肌肉驱动的机械臂，以赢得与人类对手的腕力比赛。除了致动器之外，EAP 还显示出其在传感应用中的潜力，例如触觉传感、血压和脉搏率监测以及化学传感。（Wang 等人，2016 年）此外，EAP 甚至可以作为发电机中的关键活性材料。随着便携式电子设备（例如无线传感器和发射器）和无线微系统的功能不断增加，其能量需求也急剧增加。而电池的使用由于环境问题和有限的使用寿命而很麻烦，因此需要定期更换。解决这一挑战的明显解决方案是开发完全依赖从人体或周围环境中获取的能量的自供电系统。EAP 已被证明能够获取振动机械能（Lallart 等人，2012 年）和海浪能（Jean 等人，2012 年）。EAP 可以根据其所属的晶体类别（即中心对称或非中心对称）分为不同的亚组。当具有对称中心的介电材料受到电场刺激时，对称性将抵消阳离子和阴离子的运动，不会导致晶体的净变形。然而，化学键不是谐波的，键的非谐性会引起二阶效应，导致晶格的净变形很小。（Vijaya，2013）发现变形与电场的平方成正比，与电场的方向无关。这种效应称为电致伸缩。由于这种非谐波效应存在于所有介电体中，因此所有介电体都是电致伸缩材料。
Profirescu Ovidiu George - 欧洲通行证 CV
主要活动和职责 以下学科的研讨会和实验室教学活动：电子器件、基础电子电路、微电子软件工具、计算机辅助设计技术 集成电路领域的研究活动： 1. I. Cimpian、OG Profirescu、A. Ungureanu、F. Babarada、E. Lakatos、C. Amza、MOSFET 模拟-TCAD 工具/包、CAS 2003 国际半导体会议论文集、Vol. 2，页235-238，10月2003； 2. F. Babarada、E. Lakatos、MD Profirescu、C. Amza、E. Manea、N. Dumbravescu 和 OG Profirescu，MOSFET 工艺优化和特性提取，CAS 2004 年国际半导体会议论文集，第 3 卷。 2，页319-322，10月2004； 3. OG Profirescu、F. Babarada、MD Profirescu、C. Ravariu、E. Manea、N. Dumbravescu、C. Dunare 和U. Dumitru，《MOSFET 电导建模（包括失真分析方面）》，CAS 2005 国际半导体会议论文集，第 3 卷。 2，页439-442, 2005； 4. F. Babarada，MD Profirescu，C. Ravariu，A. Rusu，OG Profirescu，E. Manea，C. Dunare，《MOSFET 失真分析建模》，ICMNT'06，阿尔及利亚，2006 年； 5. F. Babarada, C. Maxim, C. Ravariu, I. Campian, OG Profirescu, MD Profirescu, E. Manea, N. Dumbravescu 和 C. Dunare, 微电子交互式远程学习, ICL'06, 菲拉赫 - 奥地利, 2006 年; 6. F. Babarada、MD Profirescu、C. Ravariu、OG Profirescu、E. Manea、N. Dumbravescu、C. Dunare 和V. Dumitru，《MOSFET 建模（包括失真分析的二阶效应）》，ASM 06，Rhodes-Greece，2006 年； 7. C. Amza、I Cimpian、MD Profirescu、OG Profirescu，《伪晶 HEMT 结构的集合蒙特卡罗模拟》，《CAS 2007 国际半导体会议论文集》，锡纳亚 - 罗马尼亚，第 15 卷。 2，页419-422, 2007； 8. V. Moleavin、MD Profirescu、OG Profirescu，《数字 IC 的电热仿真环境》，《CAS 2007 国际半导体会议论文集》，罗马尼亚锡纳亚，第 15 卷。 2，页493-496, 2007； 9. OG Profirescu、C. Dinca、C. Stanescu，《CMOS LDO 中的噪声》，CAS 2007 国际半导体会议论文集，IEEE 目录号。 07TH8934，页563-566，十月2007； 10. V.Moleavin、OG Profirescu、MD Profirescu，《数字集成电路的功能热模拟模型》，罗马尼亚科学院院刊，A 系列，第 15 卷。 9号1，页69-74, 2008；