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World File Search System互连的
针对节能硅互连的芯片集成锗 Pin 光电探测器的全面研究
摘要 — 光学互连是片上通信中铜基布线的有前途的替代品。集成 IV 族纳米光子学的最新进展应该能够解决与速度、能耗和成本相关的一系列挑战。单片集成锗 pin 光电探测器位于绝缘体上硅 (SOI) 波导上，是这一蓬勃发展的研究领域中不可或缺的设备。在这里，我们全面研究了异质结构 pin 光电探测器的光电特性。所有光电探测器均采用工业级半导体制造工艺在 200 毫米 SOI 基板上制造。在 1 V 的低偏置电压下，pin 光电探测器的暗电流为 5 nA 至 100 nA，暗电流密度为 0.404 A/cm 2 至 0.808 A/cm 2，响应度在 0.17 A/W 至 1.16 A/W 范围内，截止频率为 7 GHz 至 35 GHz。这些成就使它们有望用于以 40 Gbps 运行的节能光链路，器件能量耗散仅为每位几 fJ。
3D 高密度互连的测试和特性
和 Y 方向................................................................................................................................ 43 图 37：整体测试错位流程.................................................................................................... 44 图 38：电阻和电容值分布（W14 间距 =1.44μm）.................................................... 44 图 39：DFT 测试标准的历史......................................................................................................... 48 图 40：IEEE 1149.1 边界扫描测试......................................................................................................... 49 图 41：边界扫描寄存器（BSR）架构......................................................................................... 49 图 42：基于 IEEE 1149.1 的 3D DFT 架构（来源 [62]）.................................................... 50 图 43：IEEE Std 1500 包装器组件（来源 [58]）............................................................. 51 图 44：包装器边界寄存器（WBR）架构......................................................................................... 51 1500（来源 [62]）................................................. 52 图 46：IEEE 1687 概念网络 .............................................................................. 53 图 47：基于 IEEE P1687 的 3D DFT 架构（来源 [64]） ................................................ 53 图 48：串行控制机制（SCM）（来源：[68]） ................................................................ 55 图 49：WBR/DWR 面积与可用面积之比的变化作为
Su-8低损耗光学耦合互连的热稳定性在850 nm
摘要 - 在光子电路和组件之间的超低损失光学耦合在许多应用中至关重要，例如光子量子计算，传感或光学通信。本文通过表征其光学偶联效率（CE）和几何形状鲁棒性来表征基于SU-8的锥度光学互连的热稳定性，当时聚合物承受高温。在1分钟至120分钟内，将锥度从280°C加热到400°C。实验结果表明，耦合效率降解与高温期的持续时间是线性的，而温度和持续时间之间的关系则符合定义的CE损失的对数模型。它提供了一种有用的方法来预测超过给定CE损失之前的最大温度和持续时间，因此可以预测材料处理的最大评分。提取了最大0.1 dB光学耦合降解的极限温度持续曲线。然后证明SU-8龙头可以承受300°C的温度最多9分钟，而350°C的温度最多可容纳1分钟和30 s，而光损失小于0.1 dB。锥度的结构机械稳定性被确认为400°C，持续1小时，远高于上述光学极限。
用于 BGA 互连的聚合物芯焊球 (PCSB) 涂层的多尺度原位微机械表征
图 1：a) 印刷电路板 (PCB) 中带有 BGA 连接的表面贴装设备 (SMD) 的图示，b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像显示带有 SAC305 的 BGA 的细节以及使用焊膏安装到组件和 PCB 上的 PCSB 的图示，c) 直径为 750 µ m 的聚苯乙烯芯焊球 (PCSB)，d) PCSB 结构的示意图。
使用5G技术互连的自动驾驶汽车
摘要：自动驾驶汽车（AV）的出现代表了运输行业的变革性转变，5G技术的整合有望加速这场革命。本报告探讨了5G在启用互连的自动驾驶汽车中的作用，强调了5G的关键特征，从而增强了车辆到车辆（V2V）和车辆到每次通信（V2X）通信。具有超低延迟，高速数据传输和庞大的设备连接，5G可以实现车辆，基础设施和中央系统之间的实时通信，从而提高安全性，交通管理和驾驶效率。通过使用5G启用的传感器，边缘计算和人工智能，自动驾驶汽车可以做出分裂的决策，避免碰撞并根据实时流量数据动态调整路线。该报告还研究了5G在支持智能运输生态系统方面的潜力，在该系统中，AVS与连接的基础架构（例如交通信号灯，道路传感器和基于云的交通控制系统）和谐相处。此外，它讨论了5G对增强车辆安全性，减少事故的影响，并通过协调驾驶来最大程度地减少交通拥堵。但是，该技术的采用还提出了挑战，包括基础设施升级，数据安全和隐私问题。本报告旨在对5G技术如何推动自动驾驶汽车的发展并塑造运输的未来，同时解决潜在的技术和监管挑战，以提供深入的分析。1。这是5G技术发挥关键作用的地方。引言随着运输的未来朝着更大的自主权发展，自动驾驶汽车（AV）的发展处于这种转变的最前沿。但是，为了释放这些自动驾驶系统的全部潜力，车辆，基础设施和中央控制系统之间的无缝和瞬时通信至关重要。其无与伦比的功能，包括超低潜伏期，高数据传输速率和大规模连通性，5G可以实时车辆对车辆（V2V）和车辆到所有的通信（V2X）通信，为完全互连和自动驱动生态系统奠定了基础。5G允许自动驾驶汽车快速交换关键数据，例如道路状况，交通更新和危害警报，并以毫秒为单位的其他车辆和基础设施。此功能增强了车辆安全性，使汽车能够做出实时决策，避免碰撞并有效地管理交通流量。此外，通过促进AV和智能基础设施（例如交通信号，道路传感器和基于云的管理系统）之间的持续互动，5G支持创建智能城市，其中运输更安全，更快，更有效。
AI时代光学互连的发展趋势
数据中心中直接调制和直接检测光学模块的更新周期约为3至4年。引入AI计算后，迭代周期显示出缩短的趋势。目前，速度为800 GB/s，预计将在接下来的1到2年内输入1.6 TB/s的速率。到2030年，3.2 TB/s的速率将朝着大规模应用迈进。骨干网络中相干光学模块的更新周期大约为10年。目前，速度为400 GB/s per
项目名称 用于感测及光学互连的硅光子集成电路 负责人曾汉基教授 (电子学系)
项目名称 用于传感和光学互连的硅光子集成电路 负责人 曾汉基教授（电子工程系） 工学院院长、伟伦电子工程学教授 成员 易丹博士 博士（电子工程），2022 年 陈吴大卫博士 博士（电子工程），2023 年 周学桐博士 博士（电子工程），2023 年 项目描述 本项目旨在开发下一代硅光子集成电路技术，该技术可以提高系统性能，使其超越纯微电子集成电路所能达到的水平。 该团队的核心专业知识是硅光子学，这是中大二十多年的研究成果。作为亚洲最早开发硅光子学的团队之一，该团队拥有一些最先进的硅光子设计，可用于提高通讯设备、3D 成像和量子信息系统的性能。遵循微电子行业无晶圆厂设计业务模式的成功范例，我们将专注于设计，同时利用现有的代工厂制造光子集成电路 (PIC)。该团队将构建子系统，用作其他公司生产的产品的核心组件。他们的产品将包括用于数据中心互连的基于硅光子的 1.6 和 3.2 TbE 光学引擎，以及用于医疗设备和工业计量的小型手持式光学相干断层扫描 (OCT) 成像系统。创始成员包括电子工程系的曾汉基教授、易丹博士、陈吴博士和周学桐博士。曾汉基教授是工程学院院长和伟伦电子工程教授，在硅光子学方面拥有超过 23 年的研发经验，包括成功将新产品推向市场。易丹博士于 2022 年获得中大博士学位，并荣获工程学院最佳论文奖。 David WU Chan 博士于 2023 年获得博士学位，并开发出最先进的工作速度超过 400Gb/s 的硅调制器。周学桐博士于 2023 年获得博士学位，并开发出最先进的先进光纤到芯片接口，该接口可提供同类最佳的性能，具有高耦合效率（耦合损耗小于 0.9dB）和宽工作带宽。
意见光量调节疗法：一种新型的阿尔茨海默氏病治疗方法，这是通过大脑 - 肠互连的证据
阿尔茨海默氏病（AD）中脑肠肠相连接的证据为治疗不存在确定性治疗的病理的治疗提供了新的途径。肠道菌群和细菌易位可能会产生周围炎症和免疫调节，从而导致AD中脑淀粉样变性，神经变性和认知缺陷。肠道微生物群可以用作AD中的潜在特性靶标。尤其是，光生态调节（PBM）会影响微生物群和免疫系统之间的相互作用，从而为其在与AD相关的营养不良中的恢复性质提供了潜在的解释。PBM是一种安全的，无创的，非离子化和非热治疗，它使用红色或近红外光刺激细胞色素C氧化酶（CCO，复合物IV），即线粒体电子转运链的末端酶，从而导致腺苷三磷酸腺苷磷酸腺苷磷酸酯合成。通过同时应用腹部将PBM直接应用于头部与脱离和全身治疗的关联，通过靶向这种高度复杂的病理的各种成分，为AD提供了创新的AD方法。作为假设，PBM在可用于治疗AD的治疗方案中可能具有重要作用。
嵌入式互连的技术标准...
本文档适用于生成工厂可以永久，定期或临时与CCT网络平行的系统。文档的范围仅限于必须遵循的技术要求，这些安装将连接到该市的网格以及与运行工厂相关的操作参数。在适用的SAN和开普敦市程序中指定了安全操作的网络隔离和切换要求。用于生成与分布网格（例如自己使用客户发电机离网或备用发电机，需要暂时的同步（<2分钟），而不是在制造前破裂，备用供应软载荷转移的标准（SLT）方案，文档EEB 317应适用。任何不是SLT方案并与网格并行运行的备用发电机，应符合此标准。标准规定了通用互连要求，应适用于所有不同类型的发电机，Prime Movers等。在某些情况下（例如风产生技术）可能有必要使用其他特定于技术的要求来补充该标准的要求。此标准是预期的NRS 097-1：嵌入式发电与电力分销网络互连的实践守则：第1部分MV和HV，适用于A3类，B和C类可再生电厂（RPP）（RPP）和电池电池存储设施（BESFS）。
SAC105锡丝 - 胶合器焊料互连的机械性能的数值表征
无铅焊料互连中的机械性能和故障机制的演变，特别是98.5SN1.0AG0.5CU（SAC105），不断受等于等温老化和热负载的影响。准确预测电子组装的可靠性，必须将这些老化效应整合到焊料热疲劳的有限元分析框架内。本文努力阐明了静脉老化对热循环下SAC105互连机械行为的影响。利用有限元方法以及现有文献的材料本构参数，研究研究了两个关键的本构模型 - Anand和Garofalo。蠕变行为被吸收到模型中，以评估在热循环过程中老化的SAC105的机械响应。的发现表明，等温衰老会显着改变SAC105焊料的热机械性能，尤其是在短暂的衰老期之后，并且在延长持续时间内影响下降。数值分析证实了SAC105的机械响应中次级蠕变的占主导地位，而不是各向同性硬化或粘膜可塑性。此外，这项研究提供了使用基于应变和基于能量的疲劳模型的预分级焊料热疲劳的全面评估。洞察力显示，与未衰老的焊料相比，老年焊料的寿命降低，并且衰老延长与加剧的热疲劳降解相关。这些结果提供了关键的理解，以增强电子组装中焊料互连的可靠性预测。