摘要。目前,世界面临着一系列挑战,包括资源短缺,气候变化,环境污染和能源贫困,这些挑战源于人类对化石能源的大规模依赖和大规模消费。应对这些挑战是实现可持续发展的紧迫任务。全球能源互连(GEI)是一种清洁的能源为中心,以电力为中心,相互联系和共享的现代能源系统。这是全球清洁能源资源的大规模开发,传播和利用的重要平台,促进了以清洁,脱碳,电气化和网络为特征的全球能源过渡。GEI提供了一种科学,新颖和系统的解决方案,以实施2030年议程以及巴黎协定。着眼于清洁过渡和可持续发展的范围,本文基于历史数据实施了定性和定量方法。全球电力需求和供应已被预测。基于全球清洁能源end赋和分配,已经提出了全球主要的清洁能源基础布局和发电计划优化。在本文的稍后,已经探索并提出了GEI场景和相应的GEI骨干网格下的全球功率流。最后,根据初步投资估算,已经分析了GEI的全面好处。
因素要求总功率因数范围应为互连设施(连接到 PREPA TC 或分段器)处滞后 0.85 到超前 0.85。无功功率要求是根据电压曲线和无功功率需求为系统运行提供支持所必需的。目的是 PVF 可以在互连设施(连接到 PREPA TC 或分段器)处以平滑连续的方式将无功功率从滞后 0.85 提升到超前 0.85。互连设施(连接到 PREPA TC 或分段器)处的 +/- 0.85 功率因数范围应是动态和连续的。这意味着 PVF 必须能够通过在规定的限制内连续改变电厂的无功输出来响应电力系统电压波动。如果研究表明需要额外的连续动态补偿,则可以扩大先前确定的功率因数动态范围。要求 PVF 无功能力满足 +/- 0.85 功率因数 (PF) 范围,该范围基于 PVF 聚合 MW 输出,即与最大 MW 输出相对应的最大 MVAr 能力。众所周知,正 (+) PF 是 PVF 产生 MVAr 的地方,而负 (-) PF 是 PVF 吸收 MVAr 的地方。最大输出下的 MVAr 能力要求应在 PVF 的整个运行范围内保持,如图 2 所示。MVAr 能力还应在整个互连设施(连接到 PREPA TC 或分段器)电压调节范围内(互连设施额定电压的 95% 至 105%)保持。
在计划开发项目时,重要的是,任何新建筑物或美化环境都距离头顶和地下公用事业线的安全距离。太平洋天然气公司(PG&E)已制定了以下三步指南,以协助城市/县,建筑商和开发商确保初步计划与该地区的任何PG&E电动或天然气设施兼容。
对星载射频 (RF) 系统(例如卫星上的 S 波段通信天线)的可靠性问题通常集中在具有复杂电路的组件上。同样重要且最常被忽视的是设备之间的互连。有缺陷的混合耦合器和功率分配器中的故障通常可归因于不稳定的互连。连接器的可靠性对于太空环境中的应用尤其重要,因为太空环境中的温度偏移高达 ± 100°C,因为连接的电气稳定性与其热机械稳定性直接相关。此外,随着系统性能和可测试性目标变得更加严格,连接器与现代高性能系统的所有组件一样,必须满足对更严格公差和规格的日益增长的需求。
碳纳米管 (CNT) 具有一组独特的性能,例如高电流承载能力、高热导率、机械强度和极大的表面积,18 这些特性使其可用于众多应用。现在可以高效地生长高纯度的块状和表面单壁纳米管 (SWNT) 9 13,因此许多应用的生产限制似乎已经得到克服。然而,仔细观察就会发现,对于纳米管森林的许多关键应用而言,现有的生长方法所生成的森林的面积密度和性能仍然低 1 2 个数量级。以用 CNT 取代集成电路中的铜互连线为例,这是半导体路线图的一个重要里程碑。14 16 只有当 CNT 互连线的电阻低于铜时,才会使用 CNT 互连线,而这需要 CNT 面积密度至少为 2 10 13 cm 2 才能降低由量子电阻引起的串联电阻。然而,迄今为止实现的 SWNT 最高密度仅为 7·10·11 cm2,7,17 21 低了 30 倍(图 1)。散热器也存在类似的问题。虽然单个纳米管的导热系数可能与金刚石实心棒相当,3 但是,如果纳米管森林只填充了可用横截面积的 3%,实际导热系数就会低 30 倍,用处不大。22,23 为了克服这些限制,我们需要完全茂密的森林。我们在此介绍了一种催化剂设计,用于生长超高密度纳米管森林,接近所需的 2·10·13 cm2 密度,甚至可以达到更高的密度。
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例;在填充底漆之前,最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的,模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上,多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化(ESL)和低k介电或气隙之间,在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm,长2 µm,在接线方向上延伸,如图4所示。在完整的低K集成方案中,由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配,在M3间的裂纹3中,ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果,用于跨层次的全气隙结构,在该结构中,空气间隙取代了M3的所有金属间介电(IMD)。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是