摘要:我们实施了主要基于玻姆力学的量子建模来研究包含事件间强耦合的时间序列。与具有正常密度的时间序列相比,此类时间序列与罕见事件相关。因此,采用高斯统计数据会严重低估其罕见事件的发生。本研究的主要目标是从量子测量的角度研究罕见事件对时间序列概率密度的影响。为此,我们首先使用多重分形随机游走 (MRW) 方法对时间序列的非高斯行为进行建模。然后,我们研究了 MRW 的关键参数 λ 在时间序列导出的量子势中的作用,该参数控制非高斯性程度。我们的玻姆量子分析表明,导出的势在高频下取一些负值(其平均值),然后大幅增加,对于罕见事件,该值再次下降。因此,罕见事件可以在量子势的高频区域产生势垒,当系统横穿该势垒时,这种势垒的影响会变得突出。最后,作为将量子势应用于微观世界之外的一个例子,我们计算了标准普尔金融市场时间序列的量子势,以验证非高斯密度中罕见事件的存在,并证明与高斯情况的偏差。
教学大纲 电动力学 (08 小时) 电动势和运动电动势、法拉第电磁感应定律和磁场中的能量、麦克斯韦方程组、麦克斯韦如何固定安培定律、物质中的麦克斯韦方程组、边界条件 电动力学中的守恒定律 (06 小时) 连续性方程、坡印廷定理、电动力学中的牛顿第三定律、麦克斯韦应力张量、动量守恒定律、角动量 电磁波 (08 小时) 一维波、真空和物质中的电磁波、物质中的吸收和弥散、导波 势与场 (07 小时) 标量势和矢量势、规范变换、库仑规范和洛伦兹规范、延迟势、 Jefimenko 方程、Lienard-Wiechert 势、移动点电荷的场辐射(06 小时)电偶极子辐射和磁偶极子辐射、任意源的辐射、点电荷辐射的功率、辐射反应电动力学和相对论(07 小时)狭义相对论和相对论力学、相对论电动力学、场张量、张量符号中的电动力学。
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先,通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析,可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV,理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析,结合温度依赖性测量,证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒,与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布,这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后,在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性,并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
MP2 CCSD(T)几何形状E FC EMTAδEFC EMTAΔCIS-248.06688 -248.06625 -0.00063 -248.13930 -248.13875 TS1 -NMA -248.04284 -248.04218 -0.00066 -248.11685 -248.11630.11630.00054 TS2 -NNMA -248.037553 -248.03695.0 .00043 -248.14116 -248.14081 -0.00035 N2 -248.05584(1.5)(1.5)
近年来,氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 因其在降低开关损耗、维持高击穿电压以及保持高温稳定性方面所表现出的卓越性能,其商业化进程不断加快 [1,2]。大尺寸 Si 衬底上 GaN 外延生长技术的进步降低了生产成本。同时,Si 上的 HEMT 器件可以轻松集成到现有的 Si 铸造厂中 [4-6]。上述优势使 GaN 基 HEMT 器件更接近大众市场应用。阻挡层是 HEMT 器件中的关键元件之一,它决定了导电通道的电阻。AlGaN 是最常用的阻挡材料。在 AlGaN / GaN 界面区域形成的二维电子气 (2DEG) 表现出良好的稳定性、低的薄层电阻、高的载流子密度和高的电子迁移率 [7,8]。由于在 AlN / GaN 界面区域形成了更高的 2DEG 密度,AlN 作为阻挡层材料也引起了人们的关注 [9]。据报道,薄层电阻 (Rs) 值低至 128 Ω/sq,2DEG 密度为 3.21 × 10 13 / cm 2 [10]。此外,在 AlN 系统中可以避免合金散射,从而提高 2DEG 霍尔迁移率 [11,12]。已经证明了基于 AlN 阻挡层的 HEMT 器件具有低栅极漏电和高 I on / I off 比 [13]。表 1 总结了最近对具有最佳 Rs 性能的 AlN / GaN 异质结构的研究。然而,由于 AlN 与 GaN 沟道层的晶格失配较大 (2.5%),因此 AlN 的弛豫是一个主要挑战。氮化硅 (SiN x ) 帽层已被用作表面钝化层,以避免/减少 AlN 弛豫 [ 14 ] 。然而,钝化帽层的成分和厚度对抑制弛豫的影响很少被研究。在本文中,我们报告了包含原位生长的 GaN 和/或 SiN x 帽层的 AlN/GaN 异质结构的长期 2DEG 稳定性。
与谐振子势不同,洗衣板势的能量空间并不相等。这是该系统的一个重要特性,使其成为量子比特的候选者,这一点后面会讨论。图 4 显示了我计算中的势和 4 个最低状态的特征函数。特征函数看起来与谐振子势的特征函数相似。但是,我们可以看到,在状态 2 和状态 3 的函数右边缘,函数不再为零。事实上,由于阱的右势垒不是无限高的(实际上在这种情况下非常低),所以每个状态都必须有一个传输速率(或量子隧穿速率)。从函数草图中,我们可以粗略地看出,状态 2 和 3 的隧穿速率比状态 0 和 1 的隧穿速率大得多。实际上,这种隧穿速率的差异是我们设计具有约瑟夫森结的量子比特的另一个基础。在下一节中,我将计算每个状态的隧穿速率,并解释如何通过量子隧穿来测量这种量子比特的状态。
1 Department of Translational Research and of New Surgical and Medical Technologies, University of Pisa, 56126 Pisa, Italy 2 Autism Research Unit, Villa Santa Maria Foundation, 22038 Tavernerio, Italy 3 Istituto Zooprofilattico Sperimentale della Lombardia e dell'Emilia Romagna, Chemical Department, Via P. Fiorini 5, 40127 Bologna,意大利4新生儿学和NICU,临床和实验医学系,56126,意大利PISA 5 56126 PISA实验与临床医学系的妇产科和妇科第1单元,意大利PISA 56126 PISA,意大利6妇产科和妇产科2,PISA University Hosporty,Persologicy of Pathologicy of Pathologicy of Pathologicy of 56126 PISA,PISA,PISA,ITALY 7。大学医院,意大利PISA 56126 8欧洲癌症与环境研究所(ECERI),1000比利时,比利时9号,Cagliari大学外科科学系和新生儿重症监护室和Neonatal重症监护室,Aou Cagliari,Aou Cagliari,09124 Cagliari,Italy Cagliari,Italy Italy 10 9124 ITALY STROCATION ITALY SECUDATION,PISA HOSTECATY HOSSICAL,PIS A SOFFESSION HOSSICAL,PISA HOSTERCE *,PISA HOSTERCE * 661,PIS,566 PIS,566 PIS: lucia.migliore@unipi.it†这些作者为这项工作做出了同样的贡献。
我们研究了在√sNN≈3.0-30GeV中心区Au+Au碰撞中Λ定向流对Λ势的敏感性。由手性有效场理论(χEFT)获得的Λ势用于微观传输模型,该模型是相对论量子分子动力学的矢量版本。我们发现,由χEFT获得的密度相关Λ势(假设势的动量依赖性较弱)重现了STAR合作在束流能量扫描程序中测得的Λ定向流的快速性和束流能量依赖性。虽然Λ定向流对势的密度依赖性不敏感,但它易受动量依赖性的影响。我们还表明,基于冲击波模型的流体动力学图预测质子、Λ 和 Ξ 定向流的相似性,但 Ω 重子的定向流与其他重子略有不同。我们还表明,夸克聚结预测超子的定向流具有不同的快度依赖性。这些研究表明,对超子定向流快度依赖性的广泛测量可能为高能重离子碰撞中产生的热致密物质的性质提供重要信息。