最近,许多文章和论文都大力宣传相移全桥拓扑的性能和优势,这是理所当然的。这种拓扑有效地利用了困扰电源设计人员数十年的那些臭名昭著的寄生元件。这种拓扑使设计人员能够充分利用变压器漏电感、MOSFET 输出电容和 MOSFET 体二极管,从而轻松地提高设计频率。这种拓扑还具有其他优势,例如在恒定开关频率下进行零电压开关,从而大大降低了开关损耗。这足以消除功率 MOSFET 的散热和/或允许使用更便宜的功率器件。降低 EMI 和 RFI 是额外的好处,因为与传统脉冲宽度调制 (PWM) 技术相比,电压和电流开关波形“更干净”,波形边缘切换更柔和。提高频率的能力最终将减小电源的整体尺寸并降低成本。使用此拓扑结构可以实现 1 兆赫及以上的操作。这确实是拓扑结构的重大进步。此设计的要求是全桥配置、辅助谐振操作的附加电感器以及由双二极管整流器和 LC 滤波器组成的输出结构。特殊热基板可能不是