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World File Search System介电常数
Biswadeepchaudhuri博士 - 生物技术
[2] B. Chaudhuri，G。Sardar，MD。Masud，J Uddin，B。K。Chaudhuri和K. Pramanik。 观察聚乙烯醇/聚乙烯基吡咯烷酮混合 - 羟基磷灰石和氧化石墨烯复合材料中的电导率和介电常数；使用人脐带血干细胞的生物相容性研究。 proc。 int。 聚合物科学技术研讨会，加尔各答（1月23-26日）P-522，PB10（2015）。Masud，J Uddin，B。K。Chaudhuri和K. Pramanik。观察聚乙烯醇/聚乙烯基吡咯烷酮混合 - 羟基磷灰石和氧化石墨烯复合材料中的电导率和介电常数；使用人脐带血干细胞的生物相容性研究。proc。int。聚合物科学技术研讨会，加尔各答（1月23-26日）P-522，PB10（2015）。
高 k 电介质材料对电气的影响...
摘要：本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响，使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到，当接近更高的介电常数值时，导通电流增加，而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到，与其他模拟介电材料相比，HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
过渡金属氮化物卤化物电介质
利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化物卤化物 (TMNH)：HfNBr、HfNCl、TiNBr、TiNCl、ZrNBr 和 ZrNCl 作为过渡金属二硫属化物 (TMD) 沟道晶体管的潜在范德华 (vdW) 电介质。我们计算了剥离能量和体声子能量，发现这六种 TMNH 是可剥离的并且具有热力学稳定性。我们计算了单层和体 TMNH 在平面内和平面外方向的光学和静态介电常数。在单层中，平面外静态介电常数范围为 5.04 (ZrNCl) 至 6.03 (ZrNBr)，而平面内介电常数范围为 13.18 (HfNBr) 至 74.52 (TiNCl)。我们表明，TMNH 的带隙范围从 1.53 eV（TiNBr）到 3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从 4.01 eV（HfNBr）到 5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估算了具有六个 TMNH 单层电介质和五个单层通道 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的晶体管的电介质漏电流密度。对于 p- MOS TMD 通道晶体管，30 种组合中有 25 种的漏电流小于六方氮化硼 (hBN)，一种众所周知的 vdW 电介质。对于以 HfNCl 为栅极电介质的 ap -MOS MoSe 2 晶体管，预测最小双层漏电流为 1.15×10 -2 A/cm 2。据预测，HfNBr、ZrNBr 和 ZrNCl 也会在某些 p-MOS TMD 晶体管中产生微小的漏电流。
电化学导向的有损生物功能化......
纳米技术和光子学领域的最新进展为开发新一代灵活、便携、多功能和高性能光纤传感器提供了可能性，例如基于有损模式谐振 (LMR) 的传感器。由于其灵活性和相对较高的灵敏度，这种新方法在过去 20 年中应运而生，并发现了许多应用，如折射率 (RI) [ 1 ]、电压 [ 2 ]、pH 值 [ 3 ]、湿度 [ 4 ] 和化学检测 [ 5 , 6 ]。此外，由于 RI 灵敏度高，基于 LMR 效应的无标记生物传感器的研究也已有大量报道 [ 7 , 8 ]。这种光学效应发生在光纤上的薄膜中。然而，必须满足基底（光纤）、薄覆盖层和外部介质的介电常数的特定条件。一般来说，薄膜介电常数的实部必须为正，同时其幅度要高于其虚部和分析物的介电常数 [ 7 ]。因此，要获得 LMR，需要选择合适的光纤覆盖材料。许多薄膜材料沉积在石英玻璃上时可以获得 LMR。这些材料包括半导体和金属氧化物或氮化物（氧化铟镓锌 [9]、氮化硅 [10]、氧化铟锡 (ITO) [11]、掺氟氧化锡 (FTO) [12]、氧化锡 [13]、氧化锌 [9, 14]、氧化铟 [15]、氧化钛 [16]，以及氧化铪、氧化锆和氧化钽 [17]、类金刚石碳膜 (DLC) [18] 和各种聚合物 [3]）。其中一些材料，例如 ITO [19-21] 和 FTO [12]，由于其独特的性能，例如良好的电导率和合适的带隙 [22]，已被报道能够在光学和电化学两个领域发挥作用（EC）传感器的询问是可以同时进行的。由于多个
用于脑成像的正则化电通量体积积分方程
摘要 — 用于在频域中对生物组织进行建模的体积积分方程通常会在高介电常数对比度和低频下出现病态。这些条件故障严重损害了这些模型的准确性和适用性，并使其尽管具有众多优点但仍不切实际。在本文中，我们提出了一个电通量体积积分方程 (D-VIE)，当在生物兼容的单连接物体上计算时，它没有这些缺点。这种新公式利用仔细的光谱分析来获得体积准亥姆霍兹投影仪，该投影仪能够治愈两个病态源。特别是，通过材料介电常数对投影仪进行归一化允许对方程进行非均匀重新缩放，从而稳定高对比度故障和低频故障。数值结果表明这种新公式适用于真实的大脑成像。
引用出版版本（APA）：Aghabeyki，P.，Rosa，P.，Caño-García，M.，Quintana，X.，Guirado，R。，＆Zhang，S。（2024）。光学上透明的B
摘要 - 这项研究提出了一种实现光学透明梁向导天线的方法。使用液晶（LC）技术的RF和光学特征与透明的金属网格结合使用，以实现第一个光学透明的可重新配置反射式（RA）。由于偏置和射频（RF）信号的电场高度不均匀，因此LC介电常数既是各向异性和不均匀的，因此在天线设计之前，需要获得准确的LC分子的行为以进行准确的建模。分析了由金属网格和LC组成的单元细胞，并获得了LC局分布。导演数据被转换为整个LC体积中的介电常数张量，并在电磁模拟软件中离散LC以执行全波周期性边界模拟以建模各向异性和不均匀性。离散的模型由具有GT7 LC材料的新介电常数范围的单个介电块近似。根据光学和RF性能制造并测量10×10 RA。当电压从0 V增加到40 V时，单位电池的测得的相移为260°。在E平面中，测得的梁扫描从-10˚到50°，在H -Plane中，H -Plane的最大最大增益为14.35 dbi。还测量了原型光学性能。讨论了当前RF LC混合物的好处和缺点。它表明，使用针对RF和光学传输优化的适当LC混合物，基于LC的光学透明天线是各种新应用的可行解决方案。
具有形状对称导电聚合物纳米天线的可调各向异性等离子体
广泛的纳米光子应用依赖于极化相关的等离子体共振，这通常需要具有各向异性形状的金属纳米结构。这项工作通过破坏材料介电常数的对称性，证明了极化相关的等离子体共振。研究表明，导电聚合物的分子排列可以产生具有极化相关等离子体频率和相应的平面双曲介电常数区域的材料。这一结果不仅仅是基于各向异性电荷迁移率的预期结果，还意味着电荷载体的有效质量在聚合物排列时也变得各向异性。这一独特特征用于展示圆对称纳米天线，其提供与排列方向平行和垂直的不同等离子体共振。纳米天线可通过聚合物的氧化还原状态进一步调节。重要的是，聚合物排列可以使等离子体波长和共振蓝移几百纳米，形成一种新方法，以实现可见光氧化还原可调导电聚合物纳米天线的最终目标。
多孔结构增强了无铅 - 无铅（BA0.85CA0.15）（ZR0.1TI0.9）的纵向压电系数和机电耦合系数O3
将孔隙度引入铁电陶瓷可以降低有效的介电常数，从而增强直接压电效应产生的开路电压和电能。然而，纵向压电系数的减小（D 33）随着孔隙率的增加，目前限制了可以使用的孔隙率范围。通过将排列的层状孔引入（Ba 0.85 Ca 0.15）（Zr 0.1 Ti 0.9）O 3中，本文在D 33中表现出与其密集的对应物相比，D 33中的22–41％增强。这种独特的高D 33和低介电常数的独特组合导致了明显改善的电压系数（G 33），功能收获（FOM 33）和机电耦合系数（k 2 33）。证明改进特性的基本机制被证明是多孔层状结构内的低缺陷浓度和高内极化场之间的协同作用。这项工作为与传感器，能量收割机和执行器相关的应用的多孔铁电剂设计提供了见解。
通过 HyQ ε-shell 升级，MRI 吞吐量翻倍 • A ...
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