介电封装材料在太阳能电池领域有着广阔的应用前景,但不尽如人意的光管理能力和相对较差的介电性能限制了它们在光伏和微电子器件中的进一步应用。在此,设计了一种界面融合策略来设计MOF(UiO-66-NH 2)与酸酐封端的酰亚胺低聚物(6FDA-TFMB)的界面,并制备了一种具有增强前向散射和稳健孔隙率的新型MOF簇(UFT)。UFT用作双酚A环氧树脂(DGEBA)的光学和介电改性剂,在较低的UFT含量(0.5–1 wt%)下可以制备具有高透光率(> 80%)、可调雾度(45–58%)和优异介电性能的UFT环氧复合材料,这为太阳能电池中具有高效光管理的介电封装系统提供了最佳设计。此外,UFT环氧复合材料还表现出优异的紫外线阻隔、疏水、热和机械性能。这项工作为共价键介导的纳米填料的合成以及用于能源系统、半导体、微电子等的介电封装材料的雾度和介电性能的调节提供了模板。
近年来,聚合物纳米复合电介质由于结合了纳米粒子的高介电常数和聚合物基质的高电击穿强度而提高了介电性能,在电能存储应用中引起了越来越多的关注。本文回顾了电介质储能建模和基于模型的聚合物纳米复合电介质合理设计的最新进展。还讨论了聚合物纳米复合电介质的合成策略和介电性能行为。特别是,本综述重点介绍了显着提高复合电介质能量密度的关键策略和分析模型,包括界面设计、微结构工程和新型高介电填料。通过将机器学习技术与分析模型结合使用,出现了新的设计。为了展示聚合物纳米复合电介质的实际应用,总结了一些最近在电动汽车、脉冲武器系统和电力电子中大规模生产储能装置的实例。最后,讨论了聚合物纳米复合电介质的挑战和新的应用机会。
FR-995 是一种通用高纯度氧化铝陶瓷材料,具有出色的介电性能、高抗压强度和良好的隔热性能。它比高纯度氧化铝陶瓷更软,更容易硬磨,并且可以进行厚金属化以创建适用于各种应用的密封组件。我们的 FR-995 可以在烧成前进行精密加工,从而能够制造复杂的软尺寸组件。
摘要:电子封装领域迫切需要具有树脂基体的高性能复合材料,因为它们具有低介电常数、出色的耐高温性、优异的耐腐蚀性、重量轻和易于成型等特点。在本文中,为了改变邻苯二甲腈的介电性能,制备了空心玻璃微球 (HGM) 填充的氟化邻苯二甲腈 (PBDP) 复合材料,其填料含量范围为 0 至 35.0 vol.%。扫描电子显微镜 (SEM) 观察表明改性 HGM 颗粒均匀分散在基质中。PBDP/27.5HGM-NH 2 复合材料在 12 GHz 时表现出 1.85 的低介电常数。含有硅烷化 HGM 填料的复合材料的 5% 热重温度 (T5) (481-486 ◦ C) 高于最低封装材料要求 (450 ◦ C)。此外,PBDP/HGM-NH 2 复合材料的耐热指数 (T HRI) 高达 268 ◦ C。PBDP/HGM-NH 2 复合材料的储能模量在 400 ◦ C 时显著增加至 1283 MPa,与 PBDP 邻苯二甲腈树脂 (857 MPa) 相比增加了 50%。本复合材料的优异介电性能和热性能可为电子封装和能源系统热管理的全面应用铺平道路。
本报告涵盖了通过搭接剪切、TGA、DSC 和电气测试评估纳米 SiC 粒子对环氧树脂机械、热和电性能影响的研究结果。还研究了填充有微 SiC 粒子的环氧复合材料以进行比较。详细讨论了性能改进的机制。结果表明,在相同的负载下,硅烷处理的纳米 SiC 填充纳米复合材料具有最佳性能。添加硅烷处理的纳米 SiC 粒子后体积电阻率的下降、介电常数“的增加和损耗角正切 tanðÞ 的增加小于添加其他填料后体积电阻率的下降、介电常数“的增加和损耗角正切 tanðÞ 的增加。纳米粒子的硅烷处理改善了每项性能,包括增加了剪切强度、热稳定性、体积电阻率并降低了“和()。纳米SiC粒子的加入显著提高了环氧树脂的剪切强度、介电常数和界面黏度,同时略微提高了环氧树脂的热稳定性。8vol.%硅烷处理的纳米SiC/环氧树脂复合材料具有最高的剪切强度10.6MPa,与纯树脂相比最大提高了80%。它还具有良好的介电性能的温度独立性和足够的体积电阻率,满足一些微电子材料的要求。关键词:SiC/环氧树脂复合材料/纳米复合材料/机械性能/热性能/介电性能/
1 由于被测层压板与谐振器卡之间存在气隙,IPC 夹紧带状线方法可能会降低实际介电常数。实际介电常数可能高于所列值。 2 设计 Dk 是从几个不同的测试批次材料和最常见厚度中得出的平均数。如果需要更多详细信息,请联系 Rogers 公司。请参阅 Rogers 的技术论文“高频材料的介电性能”,网址为 http://www.rogerscorp.com。典型值是该属性总体的平均值。有关规格值,请联系 Rogers 公司。
《纳米材料和生物结构文摘》第 17 卷,第 4 期,2022 年 10 月 -12 月,第 134 页。 1431-1440 增强 BaZr 1-x Ti x O 3 无铅陶瓷的介电和储能性能 A. Ahmad a 、S. Uddin b,c 、MF Nasir a 、G. Dad c 、A. Zaman a,* 、V. Tirth d,ea 物理系,里法国际大学,伊斯兰堡 44000,巴基斯坦 b 物理系,政府学院海亚塔巴德,白沙瓦 25000,巴基斯坦 c 物理系,库尔塔巴科学与信息技术大学,白沙瓦 25000,巴基斯坦 d 机械工程系,工程学院,哈立德国王大学,阿卜哈 61421,阿西尔,沙特阿拉伯王国 e 先进材料科学研究中心(RCAMS),哈立德国王大学古拉格,阿卜哈 61413,阿西尔,邮政信箱号 9004,沙特阿拉伯王国 铁电 BaZr 1-x Ti x O 3 (0 ≤ x ≤ 8) 陶瓷组合物采用固相反应法合成。该材料在空气中以 1250 °C 煅烧。在这项工作中,我们研究了室温下 BaZr 1-x Ti x O 3 的铁电、储能和微波介电性能。XRD 谱表明 BaZr 1-x Ti x O 3 组合物具有钙钛矿结构,空间群为 Pm-3m。SEM 形貌表明晶界数量的增加导致极化增加。通过改变电场(范围)和陶瓷材料的成分,从 (PE) 环路计算出储能性能。已经观察到相对介电常数随温度的增加而增加。据报道,存储能量密度 (W rec ) 为 0.043 J/cm 3 ,而效率 (ɳ) 在室温下为 57%,在含量 (x=0.06) 下为 40 kv/cm。钛酸钡锆 (BZT) 将成为储能装置的绝佳候选材料。 (2022 年 9 月 15 日收到;2022 年 12 月 9 日接受) 关键词:BaZr 1-x Ti x O 3 钙钛矿、固态路线、铁电、储能、无铅 1. 简介如今,任何人都面临着任何类型能源的危机,他们对能源资源的需求日益增加。在未来三十年,这些需求在世界范围内应该翻一番 [1]。由于大量使用,自然资源煤炭、石油和天然气将几乎耗尽。这还会造成污染、温室效应、气溶胶、酸雨和全球变暖 [2, 3]?需要寻找可再生能源,并储存这些可再生能源,这是一个问题[4]这些可再生能源本质上都是电能,因此需要储存它[5]在过去的几十年里,双极电容器以及高能量存储密度是目前可用的储能设备中最好的选择,即电池、双极电容器、燃料电池和超级电容器[6-8]。电介质具有高能量存储(ES)材料,因为它们具有相对较大的可释放能量密度(W rec)、高效率(η),以及适当的电场击穿强度(BDS)[9]。介电电容器的能量密度可以通过方程曲线下的面积计算,Wrec = ∫ 𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃 𝑝𝑝 𝑟𝑟 𝑝𝑝 𝑖𝑖 (1)
移动通信、无线数据传输和即时访问技术日益普及,需要更快的数据速率和更多的数据通道来支持越来越多的用户及其设备。为了满足这些需求,电路必须做得更小,性能也比以往更快。制造商实现这一目标的一种方法是利用具有良好介电性能(复介电常数)的材料来制造这些电路(例如 FR 4 和 RF Duroid 等)。另一种方法是在更高的频率范围内设计这些组件和设备,以便提供更多带宽来更有效地传输数据。然而,虽然制造商引用了现有材料在低频下的良好介电常数,但这些相同的解决方案可能不适合设计高频 RF 和微波应用。
摘要:在这项工作中,使用溶液制备方法制备了聚苯胺(PANI)(PANI)(PANI)和铅硫纳米颗粒(PBSNP)的纳米复合样品,以植入储能元件中。PANI/PBS纤维被不同的氧束的不同流体辐射:5×10 16、10×10 16和15×10 16离子。CM -2。由XRD,SEM,DSC和FTIR研究了复合材料。离子辐照后,T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。 以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率,电阻抗和电气模量。 此外,离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。 介电常数ε'从31提高到611,并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。 此外,势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。 确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。 这些修改提供了一个机会,可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用,包括微电子,电池和电能的存储。离子辐照后,T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率,电阻抗和电气模量。此外,离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。介电常数ε'从31提高到611,并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。此外,势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。这些修改提供了一个机会,可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用,包括微电子,电池和电能的存储。
摘要 — 增材制造为创新天线和微波元件提供了新的可能性。为了充分发挥其潜力,必须充分利用 3D 打印技术提供的功能。3D 打印结构化电介质目前在这方面受到广泛关注。然而,表征这种晶体结构的介电性能并不容易,而且经常需要对这种性能做出假设。本文展示了在具有不同填充率的简单立方 (SC) 和面心立方 (FCC) 晶体几何中,增材制造结构化电介质的介电常数和损耗角正切的表征。将测量结果与 Maxwell-Garnett 有效介质近似预测的值以及从长波长极限的三维平面波展开法 (PWEM) 中提取的有效折射率进行了比较。