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World File Search System介电性能
磁控溅射锆钛酸铅（PZT）薄膜涂层的制备、微观结构与性能
摘要：与化学计量简单的氮化铝 (AlN) 相比，锆钛酸铅薄膜 (PZT) 具有优异的压电和介电性能，是先进微机电系统 (MEMS) 器件中另一种有希望的候选材料。大面积 PZT 薄膜的制造具有挑战性，但需求迫切。因此，有必要建立合成参数与特定性能之间的关系。与溶胶-凝胶和脉冲激光沉积技术相比，本综述重点介绍了磁控溅射技术，因为它具有高度的可行性和可控性。在本文中，我们概述了 PZT 薄膜的微观结构特征、合成参数（如基底、沉积温度、气体气氛和退火温度等）和功能特性（如介电、压电和铁电等）。本综述特别强调了这些影响因素的依赖性，为研究人员通过磁控溅射技术获取具有预期性能的PZT薄膜提供实验指导。
个人简历 姓名 医生R. Ratheesh 任命主任......
专利：1) 生产低损耗陶瓷的方法 V. Priyadarsini、R.Ratheesh、H. Sreemoolanadhan 和 S. Chandrasekhar，印度专利号 275251，2016 年。2) 陶瓷填充氟聚合物组合物、方法及其应用 S.Rajesh、KP Murali 和 R.Ratheesh，印度专利号 294964，2018 年。3) 陶瓷填充氟聚合物组合物、方法及其应用，S. Rajesh、KP Murali 和 R.Ratheesh，美国专利号 US9455064 B2，2016 年 9 月 27 日 4) 陶瓷填料、制备陶瓷填料的方法及其作为谐振器和层压板的应用，R.Ratheesh、K. Stanly Jacob、KPMurali、Akhilesh Jain 和 PR Hannurkar，美国专利号 US 9505902 B2，2016 年 11 月 29 日2016年发表论文：1）双钒酸盐的结构和微波介电性能
主要手稿，用于...
在相关期限内存储或访问，这是学习的关键要求。使用由脂质，水和十六进制组成的液滴界面双层（DIB），以及具有重复正弦曲线电流电压循环的电刺激训练方案，我们表明表现出具有长期塑性性的长期塑性的DIBS与长期的poctipiriip（Ltp）相关。与LTP相关的物理变化的时间尺度在分钟和小时之间范围范围范围，并且比以前的STP研究更长，在该研究中，仅几秒钟后存储的能量消散。STP行为是与双层区域和厚度可逆变化相关的双层几何形状变化的结果。另一方面，LTP是分子和结构性变化的ZwitterionInic脂质头组和脂质双层的介电性能，这是由于双层界面处越来越不对称的电荷分布而导致的。
在 300 毫米玻璃晶圆上大规模制造表面离子阱
由于其优异的介电性能，玻璃可以作为表面离子阱制造中石英或蓝宝石的低成本替代材料。与高电阻率（5000 Ω·cm）硅衬底（20 MHz 时的典型损耗角正切为 1.5）相比[24]，本文采用的玻璃衬底（Corning SGW 8.5）在 5 GHz 时的损耗角正切为 0.025，体积电阻率为 10 10 Ω·cm（数据可从产品信息表获得）。这省去了硅阱所需的射频屏蔽层和绝缘层，并使制造程序变得更加简单。此外，透明玻璃（波长为 300 至 2400 nm 的透射率为 90%）可以使光的传输和收集更加灵活，例如，通过在下面放置光纤和/或光电探测器。 [25]与其他介电材料（如蓝宝石和石英）相比，玻璃不仅成本低，而且可制造性更先进，可以实现高可靠性的玻璃通孔、[26,27]阳极键合、[28]
Jitendra Tahalyani
用内在的导电聚合物装饰的π共轭段的介电性能和电荷传输机制”，RSC Prodings，2016，6，6，6，69733-69742，https：//doi.org/10.10.1039/cy.1039/c6ra09554b（影响因子4.036; Khushbu K Rahangdale，Radhamanohar Aepuru，Balasubramanian Kandasubramanian，Suwarna Datar，“通过一个步骤的纤维非织造多孔的介电调查，该介电调查是由一个步骤的静电旋转过程制造的：带动静电工艺：传导机制和放松机制和放松”，RSC Advances''，RSC Advances''，RSC Advances''，2016年3月3658.88。 https://doi.org/10.1039/c5ra23012（影响因子4.036;引用分数5.9）JitendraTahalyani，Balasubramanian Kandasubramanian，T。Mukundan，T。Mukundan，T。iv，第I期，2015年，第37-43页，ISSN 2278-6872，2016。JitendraTahalyani，M Jaleel Akhtar，Kamal K Kar，“轻量级和
- 机械化学合成的申请 -
在本研究中，通过高能球磨和热处理制备无铅BATI BATI 1-X ZR X O 3（对于X = 0、0.05和0.15）陶瓷。所执行的X射线，SEM和EDS测量结果证实了所获得的样品的高纯度，高质量和预期的定量组成。介电性能的研究是通过宽带二射流光谱在0.1 Hz至10 MHz的频率下进行的。根据Arrhenius形式主义分析所获得的测量数据证明了存在弛豫型介电机制。研究的陶瓷材料的阻抗答案表明存在两个弛豫过程：一个具有显性电阻分量，另一个具有较小的电容分量。观察到的介电弛豫过程取决于温度，并且具有“非debye”特征。关键字：Batio 3，机械化学合成，X射线方法，介电特性
热迁移导致的 Cu 互连中空洞的形成
随着后段制程 (BEOL) 互连尺寸的不断减小，RC 延迟已成为导致整体性能下降的主要原因 [1-2]。为了降低互连的电阻率和电容，人们采用了各种策略，例如优化制造工艺 [3-4]、修改导线的几何形状 [2] 以及利用低 k 电介质等新材料 [5-6]。然而，这些修改虽然可以通过芯片缩小尺寸来提高性能，但往往会以牺牲可靠性为代价 [7-9]。因此，对互连可靠性的广泛研究提供了有价值的评估和建议，以便在较长的使用寿命内保持性能。考虑到金属可靠性，由电子风驱动的电迁移 (EM) [10-11] 和由应力梯度驱动的应力诱导空洞 (SIV) [12] 研究了扩散主导的故障机制。对于电介质，由于金属间距最小化和介电性能较弱而产生的高电场使时间相关电介质击穿 (TDDB) 在最近的研究中也很重要 [13]。
微电子工程
将通过区域选择性气相渗透 (VPI) 将三甲基铝渗透到聚（2-乙烯基吡啶）中制备的 5 纳米氧化铝薄膜的生长化学和电性能与传统的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺进行了比较。通过能量色散 X 射线光谱和硬 X 射线光电子能谱测量评估了化学性质，同时进行了电流 - 电压电介质击穿和电容 - 电压分析，首次提供了这些薄膜的电信息。评估了通过聚合物 VPI 形成电介质的成功和挑战、吡啶在这种角色中的兼容性以及独特快速的接枝聚合物刷方法在形成相干金属氧化物方面的能力。结果发现，在 200 到 250 ◦ C 之间的温度下制备的 VPI 氧化铝具有一致的击穿电场，性能最佳的器件的 к 值为 5.9。结果表明，VPI 方法可以生成具有与传统 PEALD 生长薄膜相当的介电性能的氧化铝薄膜。
Sn4+掺杂多元PBZT型陶瓷的电物理性能
摘要 本文制备了不同锡含量（a从0.0到0.1范围）的多元Pb 0.75 Ba 0.25 (Zr 0.65 Ti 0.35 ) 1- a Sn a O 3 (PBZT/Sn) 陶瓷。采用无压烧结法对PBZT/Sn陶瓷样品进行致密化。研究了SnO 2 含量对PBZT/Sn陶瓷的晶体结构、微观结构、直流电导率和电物理性能（包括介电和铁电测试）的影响。PBZT/Sn陶瓷样品在铁-顺电相变温度下表现出高的介电常数，表现出相变的弛豫特征。 PBZT/Sn 材料中 SnO 2 含量过高（a = 0.1）可能会导致晶格应力和结构缺陷，从而导致陶瓷样品的铁电和介电性能下降。本研究表明，在基础 PBZT 化合物中添加 SnO 2（以适当的比例）可以影响微机电一体化和微电子领域实际应用所必需的参数。
8ysz陶瓷复合材料和原位石墨化纳米纤维素
陶瓷基质复合材料（CMC）的8摩尔型Yttria-stabilized氧化锆（8ysz）与天然纤维纳米纤维素（0.75、1、2 wt％）混合在一起，由Spark等离子体烧结（SPS）制备。纳米纤维素明显改善了8YSZ陶瓷基质的致密化，并诱导了明显的晶粒尺寸细化。证明，在SPS加工过程中，纳米纤维素的原位石墨化导致6 nm薄的涡流石墨层同质覆盖8ysz陶瓷晶粒。通过电阻抗光谱法分析了介电性能，表明接近或低于≈1.6vol％石墨的低渗透阈值在上面，高于该阈值，而混合的离子电子传导占主导地位。CMC在还原条件下（5％H 2 /Ar at-Mosphere）至少稳定，直到800°C，高电导率为σDC= 0.17 SCM - 1，即使在900°C（8YSZ-2％CNF）也是如此。这些特征使8ysz-Nanocellulose CMC有望在中高温电化学设备中应用。