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World File Search System介电损耗
《光电子学与先进材料杂志》第 24 卷，第 1-2 期，2022 年 1 月 - 2 月，第 69-73 页研究
光电子学与先进材料杂志 第 24 卷，第 1-2 期，2022 年 1 月 - 2 月，第 69-73 页 传统固相法合成的 Zn 掺杂钛酸钡陶瓷的结构和电学性能研究 EHSAN UL HAQ 1、MUHAMMAD RAMZAN ABDUL KARIM 2,*、KHURRAM IMRAN KHAN 2,*、WASEEM AKRAM 1、SYED SHABBAR HASSAN 1、FAHAD KASHIF 1 1 巴基斯坦拉合尔工程技术大学冶金与材料工程系，邮编 54890 2 巴基斯坦托皮-23640 GIK 工程科学与技术研究所材料与化学工程学院 钛酸钡 (BaTiO 3 ) 是一种具有压电和铁电性能的突出陶瓷材料。尽管在执行器、光电子器件和电容器中有着广泛的应用，但 BaTiO 3 的高响应时间和介电损耗限制了它的有效利用。氧化锌 (ZnO) 已成为多项研究中控制压电材料晶粒生长行为和介电性能的首选掺杂剂。在本研究中，通过常规固态方法将 0.02 wt.% 至 0.08 wt.% 的各种 ZnO 浓度添加到钛酸钡 (BaTiO 3 ) 中，然后在 1150 o C 下烧结 2 小时。在 X 射线衍射 (XRD) 分析中，所有掺杂剂浓度均未检测到第二相，表明所有添加的 ZnO 都已融入 BaTiO 3 中形成化学配方为 BaZn x Ti 1-
![arXiv:2006.16862v2 [quant-ph] 2020 年 9 月 28 日](/simg/1\150a07bc29080313ee7cf270455abad7043aeeec.webp)
arXiv:2006.16862v2 [quant-ph] 2020 年 9 月 28 日
约瑟夫森隧道结是几乎所有超导电子电路（包括量子比特）的核心。通常，量子比特的结是使用阴影蒸发技术制造的，以减少超导薄膜界面的介电损耗贡献。然而，近年来，亚微米级重叠结开始引起人们的关注。与阴影掩模技术相比，它既不需要角度相关沉积，也不需要独立的桥或重叠，而这些是晶圆级加工的重大限制。这是以在制造过程中破坏真空为代价的，但简化了多层电路中的集成，实现了截然不同的结尺寸，并能够在工业标准化过程中进行更大规模的制造。在这项工作中，我们展示了减法工艺制造重叠结的可行性。在一系列测试接触中，我们发现平均正常状态电阻的老化率很低，在 6 个月内仅为 1.6%。我们通过将结用于超导传输量子比特来评估结的相干性。在时间域实验中，我们发现我们的最佳设备的量子比特寿命和相干时间平均都大于 20µs。最后，我们讨论了我们技术的潜在改进。这项工作为采用先进材料和生长工艺的更标准化工艺流程铺平了道路，并为大规模制造超导量子电路迈出了重要一步。
相干的超导量子矩形量子量
Josephson隧道连接是几乎所有超导电子电路（包括Qubits）的核心。典型地，使用阴影蒸发技术制造了量子位的连接处，以减少超导纤维界面的介电损耗贡献。近年来，亚微米量表重叠连接开始引起人们的注意。与阴影蒙版技术相比，不需要角度依赖性沉积，也不需要独立的桥梁或重叠，这对于晶圆尺度处理而言是显着的局限性。这是以在制造过程中打破真空的成本，但简化了在多层电路中的集成，实现截然不同的连接尺寸，并可以在工业标准的过程中更大规模地制造。在这项工作中，我们证明了减法过程用于制造重叠连接的可行性。在一系列测试接触中，我们发现6个月内平均正常状态阻力的低老化仅为1.6％。我们通过将它们用于超导式的transmon量子位来评估连贯性。在时间域实验中，我们发现，最好的设备的量子寿命和相干时间平均大于20µs。最后，我们讨论了我们技术的潜在改进。这项工作铺平了迈向更标准化的过程，并具有材料和生长过程，这是大规模制造超导量子电路的重要步骤。
《纳米材料和生物结构文摘》第 18 卷，第 1 期，2023 年 1 月 - 3 月，第 55 - 68 页琥珀酸物种的影响
纳米材料和生物结构文摘第 18 卷，第 1 期，2023 年 1 月 - 3 月，第 55 - 68 页琥珀酸物种对甘氨酸单晶的结构、光谱、光学、Z 扫描、倍频、光电导和抗菌性能的影响 NS Priya a、SA Chudar Azhagan b、* a 印度哥印拜陀尼赫鲁工程技术学院物理系 b 印度哥印拜陀政府技术学院物理系以琥珀酸为添加剂，通过传统溶剂缓慢蒸发路线生长甘氨酸单晶。研究了琥珀酸对甘氨酸同质异形体的生长、光学和介电性能的影响。通过振动 FTIR 光谱光度计鉴定了功能团的存在。较高频率范围内的低介电常数和介电损耗证明生长的晶体可用于倍频应用。计算了生长晶体的激光损伤阈值能量。通过 Z 扫描实验评估了添加琥珀酸的甘氨酸晶体的三阶非线性磁化率 χ (3) (esu)。 (2022 年 8 月 14 日收到；2023 年 1 月 12 日接受) 关键词：γ-甘氨酸、琥珀酸、介电材料、光子应用 1. 简介寻找新的复杂 NLO 材料是当前研究扩展科学和通信技术的基本部分。铁电材料在光电子领域具有广泛的工业应用，例如电容器、军事服务、执行器、电信、非易失性存储设备、自动门禁系统、高性能栅极绝缘体和医疗设备等 [1-2]。铁电材料因其明确的介电、压电和热电特性而成为广泛电子和机电一体化设备中的首选材料。近年来，具有非线性光学 (NLO) 特性的铁电材料因其在光电子和光子技术领域的潜在应用而备受关注。铁电琥珀酸具有良好的热电性能。琥珀酸是一种天然存在的有机材料，属于二羧酸，是三羧酸循环的中间体。它通常用于生物和工业应用，也用作红外 (IR) MALDI 分析方法中的基质 [3-4]。目前，琥珀酸晶体广泛用于制造高电子迁移率晶体管 (HEMT)。琥珀酸与有机材料的结合提高了其铁电性能 [5]。在多晶型晶体中，氨基酸甘氨酸是最简单的晶体，在环境条件下表现出三种不同的多晶型，即 α-甘氨酸、β-甘氨酸和 γ-甘氨酸。甘氨酸的有机和无机复合物最近因其铁电、介电和非线性光学特性而受到科学界的关注。γ-甘氨酸晶体表现出强压电和非线性光学效应 [6-8]。甘氨酸同质异形体的非线性和介电响应是器件制造应用的重要参数。为了制造非线性光学器件，材料应在高频区域具有低介电常数和低介电损耗。此外，还要减少微电子工业中的 R c 延迟。如今，各种研究人员报告了 γ-甘氨酸单晶的一些重要特性 [9-12]。因此，在目前的研究中，已从琥珀酸添加剂环境中收获了 γ-甘氨酸单晶。
1 高温聚合物概述
近年来，新能源的广泛使用使得电力设备必须在高电压、大功率、高温等恶劣环境下工作[1，2]。因此，电介质材料作为电力设备必不可少的组成部分，受到了更多的关注。电力设备中使用的固体电介质可分为聚合物电介质和无机电介质。无机电介质具有较高的温度稳定性，但也存在击穿强度（E b ）低、柔韧性差的缺点，给大规模制备带来了不可忽视的困难。与无机电介质不同，聚合物电介质具有重量轻、柔韧性好、易于加工等优点[3]。同时，优异的介电性能（高E b 、低介电损耗[tanδ]）使其在电力设备中得到广泛的应用。随着电子和电力系统的不断小型化和功率输出的增加，许多领域都要求聚合物电介质在恶劣环境下可靠工作。例如，火箭和航天飞机壳体附近的控制和传感电子设备需要高温电介质材料在250 ∘ C 以上工作。在地下油气勘探中，工作温度超过 200 ∘ C [4]。不幸的是，传统聚合物电介质热稳定性差，严重威胁电力设备的可靠运行，并显著缩短其生命周期。因此，在高温应用中使用二次冷却设备来降低工作温度。然而，考虑到地下勘探和空间站等大型设施所经历的极端温度，二次冷却很难实现。因此，一个更具吸引力的策略是开发能够在高温下长期工作的耐高温聚合物电介质。这种策略可以提高系统可靠性，降低成本，并消除对大型冷却系统的需求以及远程放置电子设备所需的接线和互连 [5，6]。
适用于 Ku 波段的低介电常数环保透镜
在电信智能天线系统中，透镜可用于主波束聚焦、旁瓣抑制和波束切换目的 [1]。透镜具有各种各样的形状和材质，但介电损耗非常低。陶瓷在较高温度下具有良好的稳定性，并且其介电常数可以调整。同时，它也有一个缺点，那就是制造温度高，导致制造过程中的能耗高，从而增加了生产成本。室温制造法 (RTF) 发明后，锂钼氧化物 (Li 2 MoO 4 ，LMO) 陶瓷的水基悬浮液可以在室温下制造，而不必在 400 ◦ C 以上的温度下制造 [2]。它的相对介电常数为 5.1，在 9.6 GHz 时的损耗角正切值为 0.0035 [3, 4]。此外，已经展示了 4 GHz 下的 LMO 陶瓷贴片天线 [5]。在 LMO 混合物中添加不同的介电材料可以改变其介电性能。 Li 2 MoO 4 -TiO 2 复合材料在 9.6 GHz 时的相对介电常数为 6.7–10.1，损耗角正切值为 0.0011–0.0038，具体取决于其体积百分比 [6]。(1 − x )Li 2 MoO 4 - x Mg 2 SiO 4 在 9 GHz 时的介电常数为 5.05–5.3（未提及损耗角正切）[7]。3D 打印 LMO 在 9.6 GHz 时的介电常数为 4.4，损耗角正切值为 0.0006 [8]，据报道，超低介电常数 LMO 复合材料的介电常数为 1.12，损耗角正切值为 0.002 [9]。LMO 复合材料的射频应用研究尚处于早期阶段。在本信中，制作了直径为 30 毫米的钼酸锂 (Li2MoO4，LMO) 空心玻璃微球 (HGMS) 复合材料和透镜，并在 Ku 波段用波导馈源进行了分析。
新颖的聚酰亚胺堆积材料用于细线制造
新颖的聚酰亚胺堆积材料，用于高线制造高什岛，田中Shigeru tanaka，汉字木木木马斯拉·尼西纳卡（Masaru Nishinaka）和日本摘要的Mutsuaki Murakami Kaneka Corporation，我们摘要我们已经开发了一种新的热量型材料，以高效率堆积的pwbs高speed speed i/o o i/o o i sep speeed i/o o o i/sep speed i/o o i/o o o i/o。这些PWB满足以下要求；精细电路，低介电特性和出色的机械性能的良好加工性。我们提出的聚酰亚胺堆积材料显示出3.1的介电常数（DK），介电损耗（DF）为0.01（在1GHz时）。此外，机械性能以下材料显示；低温膨胀系数（CTE）为45ppm，拉伸强度为100MPa。尽管材料的表面粗糙度低于200米，但我们还是成功地沉积了具有非常高的果皮强度的无电镀层铜层。这意味着即使使用常规的半添加过程，该材料也适用于制造精细的电路。实际上，我们可以制作一个小于10micron l/s（线路和空间）的精细电路。近年来，需要电子设备具有许多功能和高处理速度。为了满足这些要求，像高性能CPU这样的IC芯片已经演变为具有高时钟频率和高I/O数字。要将CPU安装到基板上，通常采用翻转芯片附件方法以表现出CPU的最大性能，因此基板必须具有高接线密度。堆积的PWB，其电路是由半粘液方法形成的，这些底物已使用。下一代CPU的下一代堆积PWB，预计将具有较高的I/O数字，必须具有小于20微米L/s（线路和空间）的精细电路。对于制造精细的电路，对于构建材料而言，形成细缝电路的构建材料很重要，可以尽可能地具有少量的表面粗糙度，并且能够在不剥落的情况下粘附电路。环氧树脂主要用于堆积材料。处理环氧类型的堆积材料，以使材料的表面粗糙，并通过锚固效果牢固地粘附电路。为了制造小于20微米L/s的下一代细缝电路，需要一种新的堆积材料，其表面粗糙度比现有材料的表面粗糙度较小，并且对电路的良好粘合度。此外，新的积累材料必须具有低CTE（热膨胀系数）和低介电性能，这将改善堆积PWBS的电气可靠性或电气性能。为了开发下一代堆积材料，我们开始开发一种新的聚酰亚胺积聚材料，该材料基于用于电绝缘材料的聚酰亚胺树脂的特性，该材料期望具有出色的性质。由于这项研究，我们开发了一种新型的热固性聚酰亚胺积聚材料，该材料符合上述要求。在这项调查中，副本在本文中，评估了材料上无电镀层铜层的吉赫兹（GHz）周围的热性能，介电特性，通过可加工性能通过可加工性能通过激光进行细插电路的加工性。首先设计了新堆积材料的目标特性，设计了新堆积材料的目标特性。- - 一个小于50 ppm--的热膨胀系数（CTE）的介电损耗（DF）小于0.010，在1GHz- -a机械强度上，在100MPA-抗性的机械强度上，没有卤化的化合物 - 乘积构建的精细材料构建均超过20个微观的构建，构建均超过20个微观的过程，该过程的构建均超过20个，构建的启动构建的开发型构建均超过20个，构建的开发型构建均超过20次，构建了启用的新构建。堆积材料的表面以通过半添加过程制造精细的电路，堆积材料需要具有少量表面粗糙度的表面，并且具有较高的果皮强度，并具有无电镀层铜层。
马里乌斯·安德烈·奥拉里乌
相关论文选登： 1. (JOURNAL1) M. Olariu、A. Arcire，用于呼吸分析目的的富勒烯 C60 的甲烷和氢气传感特性，IAŞI 理工学院公报，第 64 卷（68），第 3 期，页。 107-119，2018，电工部分。活力。电子学 2. Olariu Marius、Arcire Alexandru，基于交叉指型微电极几何形状变化提高介电泳阵列电操作能力，DOI：10.1109/ICEPE.2016.7781298，电子版 ISBN：978-1-5090-6129-7，pg。 37-41，第九届国际电气和电力工程会议暨博览会，EPE 2016 INSPEC 接入号：16525883 3. Baluta, G.，Olariu M.，BLDC 电力驱动系统闭环控制和无传感器控制的数值模拟，2014 年，EPE 2014 - 2014 年国际电气和电力工程会议暨博览会论文集，文章编号 6970047，第 927-932 页，ISBN：978-1-4799-5849-8 接入号：WOS：000353565300173 4. (REVISTA2) Cetiner, S.; Olariu，M.；新奥尔良，卡亚； Aradoaei S, 聚（丙烯腈-共-丙烯酸）-聚吡咯复合材料的热刺激放电电流，2013 年 3 月，Key Engineering Materials 543:154-158，DOI：10.4028/www.scientific.net/KEM.543.154 接入号：WOS:000319023100038 5. Scarlatache, V.-A.、Olariu, M.、Ursache, S.、Ciobanu, RC、Pasquale, Mb，铁磁粉末增强纳米复合聚合物基质的磁损耗和介电损耗，2012 年，文章编号 6463940，第 125-128 页，2012 年，ISBN：978-1-4673-1172-4； 978-1-4673-1173-1，第七届国际电气和电力工程会议和博览会，EPE 2012 接入号：WOS:000324685300026 6.（JOURNAL3）山羊。 A、Coisson A、Fiorillo、Kabos P、Manu OM、Olivetti A、Olariu MA、Pasquale M、Scarlatache VA、聚合物键合氧化铁纳米粒子的微波行为，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 卷：48 期：11 页：3394-3397 DOI：10.1109/TMAG.2012.2200462 出版日期：2012 年 11 月，影响因子 = 1,467
新颖的电介质材料：打破Gigahertz屏障
新颖的电介质材料：打破吉吉尔兹（Gigahertz）障碍罗杰·泰兹（Roger Tietze），日元贷款Nguyen，Mark Bryant，Dave Johnson Huntsman Corporation The The Woodlands，Texas，Dexas，用于许多关键的电子应用，需要比Epox和其他传统材料表现出更好的介电系统，这些介电系统具有更好的电气性能。在当今世界各地开发的高级电信，高速电子和微波设备以及辐射层和其他产品中，制造商依靠Teflon®，Cyanate Esters和Cyanate Ester/Epoxy Coxy Blend等材料来满足其性能要求。但是，这些材料具有缺点，可以使它们在某些苛刻的应用中成本昂贵且难以用作介电。我们有一个活跃的研究计划，可以开发具有低DK/DF特性的新型新型热固性聚合物。本文重点介绍了其中一种材料作为PWB多层的基础树脂的测试。该新系统也可能在本研究范围之外具有应用程序。1.0简介有机聚合物在复合PWB的制造中起着非常重要的作用。在用于构建复杂电子的材料中是环氧树脂，酚类，二甲酰亚胺和氰酸酯。这些聚合物表现出所需的电绝缘，热性能，耐化学性和所需的机械强度。聚合物作为PWB树脂系统表现能力的两个最重要的度量是介电常数[DK]和耗散因子[DF]。介电常数决定了PWB中电子信号的速度。DF表示电路中信号的介电损耗。两个值都会影响PWB的大小和信号质量。另外，铜导体的尺寸和PWB上的绝缘空间还受DK/DF值的影响。低DK和DF特性将导致PWB中功率损失较低的信号速度更快。因此，具有低DK/DF特性的树脂支持具有近线/导体空间的小型PWB的生产。目前正在研究PWB的Huntsman材料之一是一种新的苯唑嗪。苯佐昔嗪作为产品家族是复杂电子产品的良好候选者，因为它们是一种非卤代系统[没有氯或溴]Ö的高玻璃过渡值Ö表现出低的水分吸收性Ö具有易燃性的耐受能力，它比Epox更好，尽管这种类别的产品均具有良好的电气性能，并且具有良好的电气属性，并且在所有dk and df中都具有df/df/df/df的df/df not/df。当这些材料在≥1GHz的测试时，它们的DK/DF值大大增加。因此，这些系统难以用于最近以较高频率运行的电子产品，我们开发了一种具有电气性能的新实验材料，该材料在Gigahertz范围内保持稳定。2.0一般苯唑嗪化学分配苯酚，甲醛和胺的苯唑嗪化合物的合成已被几组1-5详细研究。