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World File Search System介电膜
doi：10.29026/oea.2024.230126基于准连续纳米丝带的宽带高效介电金属
受益于子波长厚度内的突然变化，跨波长已被广泛应用于轻质和紧凑的光学系统。同时宽带和高效特征对跨境的实际实施极大地吸引。然而，当前的元表设备主要采用离散的微/纳米结构，这些结构很少同时认识两者。在本文中，提出了由准连续纳米带组成的介电元面积来克服这一限制。通过准连续的纳米弹簧跨表面，正常的聚焦金属和超级振荡镜头克服了衍射极限，并通过实验证明了衍射极限。准连续的MetadeVices可以在450 nm至1000 nm的宽带波长中运行，并保持高功率效率。与先前报道的具有相同厚度的金属镜相比，制造金属的平均效率达到54.24％，显示出很大的提高。可以轻松地扩展所提出的方法，以设计其他MetadeVices，具有宽带和高效率在实践光学系统中的优势。
回音壁模式促进穿孔介电微球中光学回流增强
介电微球内的光能流通常与光波矢量同向。同时，如果微球中的光场与高质量空间本征模式（回音壁模式 - WGM）之一共振，则阴影半球中会出现反向能量流区域。由于增加了光学捕获潜力，该区域具有相当大的实际意义。在本文中，我们考虑了一个沿粒子直径制造的带有充气单针孔的穿孔微球，并对纳米结构微球中 WGM 激发的特性进行了数值分析。针孔隔离了共振模式的能量回流区域，并将穿孔微球变成了高效的光镊。据我们所知，这是第一次揭示 WGM 共振时针孔中回流强度的多次增强，并讨论了其操纵方式。
ge n通道MOSFET具有ZRO2介电的MOSFET，可实现改善的迁移率
锗（GE）表现出较高的载流子迁移率和较低的加工温度的优势。这些使GE成为超老式CMOS逻辑设备和薄膜晶体管（TFTS）的应用，作为三维集成电路中的顶层[1-3]。在过去的几年中，针对GE P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 局部效果晶体管（MOSFET）的表面钝化，栅极介电和通道工程的巨大努力已有助于显着改善设备的电气性能。但对于GE N-通道MOSFET，低有效载体迁移率（μEFF）极大地限制了晶体管的性能。各种表面钝化技术，包括SI钝化[1]，氧化后血浆[4]和INALP钝化[5]和几种高κ电介质，包括HFO 2，ZRO 2，ZRO 2 [6-8]，Y 2 O 3 [9]和LA 2 O 3 [10]，已在GE NMosfets中探索。证明，与GE通道集成的ZRO 2电介质可以提供强大的界面，因为GEO 2界面层可以反应并与ZRO 2层反应[7]。在GE P通道晶体管中有一个不错的孔μEFF[6-8]，而其对应物仍有很大的改善电子μEFF。
对介电屏障排放冷大气等离子体的综述进行表面灭菌和去污染
摘要 - 许多研究表明，在大气压力（也称为“冷大气等离子体”（CAP））处的非平衡放电有效地去除各种材料表面的生物污染物。最近，由于其产生的化学和生物活性自由基，CAP已迅速作为微生物清洁，伤口愈合和癌症治疗的技术，统称为活性氧和氮种（RONS）。本文回顾了与称为介电屏障排放（DBD）的一种有关的研究，该研究已广泛用于用微生物处理材料，以进行静脉化，消毒和去污染。为了推动在冷大气血浆应用中的研究，本综述讨论了屏障排放的各种类型和配置，反应性物种和其他DBD-CAP剂的作用以及其他导致其抗菌功效的DBD-CAP剂，其中一些DBD-CAP过去的过去研究专门在表面上以及DBD-CAP Tech-Tech-Tech-nology的出现应用。我们的审查表明，由DBD产生的非热/平衡等离子体可以对材料进行灭菌或消毒，而不会造成任何热损害或环境污染。
混合介电质量质量纳米ante纳纳纳与... -dr -ntu
dmitriev，P.A.，Lassalle，E.，Ding，L.，Pan，Z.，Neo，D.C.J.，Valuckas，V.，Paniagua -dominguez，R.，Yang，J.K.W.，Demir，H。V.（2023）。杂种介电 - 质量纳米antena，具有子波长光子源的多散性。ACS Photonics，10（3），582-594。https://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.2c01332
不同的温度泄漏机制（al
（Al 2 O 3）X（HFO 2）具有不同组合物的1-X膜通过血浆增强的原子层沉积（PEALD）沉积在硅底物上，并制造了金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物层沉积物（MOS）电容器。通过电气测量检查了不同诱导的Al含量对HFO 2介电特性的影响。结果表明，增加的含量增加了平坦的电压，降低了界面状态密度（D IT），并显着降低了给定电压下的泄漏电流。此外，室温I-V测量值表明Schottky发射（〜0.8-4.8 mV/cm），Poole-Frenkel（PF）发射（〜4.8-7.3 mV/cm）和Fowler-Nordheim（FN）（FN）隧道（〜7.3-8.3 mV/cm）是众多机制。在较高的温度（75–100°C）下，富含AL的样品（50-100％）的泄漏机制从FN隧道转移到高电场的PF发射（〜3.3-6.87 mV/cm）。使用X射线光电子光谱（XPS）和紫外线（UV）分光光度法表征膜的组成和能带对准，表明将Al引入HFO 2会增加带盖，从而增加了介电常数，可减少介电常数，并显着降低氧气空间。因此，进一步证明，具有适当含量的HFO 2膜可以有效地增强介电特性并调整介电层的材料参数。
新的细胞死亡“光化学”概念详细介绍...
电子辅助介电显微镜（SE-ADM）是Ogura博士在AIST开发的新成像技术，并与生物化学和细胞生物学分析相结合，发现光敏剂IR700的光化学反应导致其在细胞上的肌动蛋白的依从量和膜下的肌动量在膜上的膜，并在膜上覆盖膜，并将其涂抹到膜上，并摧毁膜的膜，并将其用于膜上的功能，并弥补了功能，并导致功能，并弥补了功能，并导致功能效果。在细胞内外，导致细胞肿胀并死亡。我们命名了这种新型的细胞死亡，与迄今为止据报道的细胞死亡不同，“光化学”。这种机制与PDT报道的细胞死亡机制有所不同，PDT被称为常规光疗，预计将为NIR-PIT的进一步传播和实施提供科学支持，证明了NIR-PIT的独特性为
对高温超导薄膜的表面和保护性绝缘膜的研究
高表面特性。tc ba-y-cu-o和通过薄绝缘子过层钝化。Takashi Hirao，Kentaro Setsune和Kiyotaka W asa。中央重新建筑实验室，Matsushita Electric Industrial Co.，Ltd.，3-15，Yagumonakamachi，Moriguchi，Osaka，Osaka 570
伽马射线的janus电纺纳米纤维膜用于脱盐和核废水处理
这项研究介绍了使用乙烯基氟化物（PVDF）和基于聚合物的聚合物（PES，硫酸PE，硫酸PE，硫酸PES，PE，pes，pes，pes，pes）聚合物的双层型纳米纤维膜（DL-ENMS（DL-ENMS）（PES）。用单层电纺纳米纤维膜（SL-ENM）进行了比较分析，总厚度约为375μm。使用饲料溶液，包括氯化钠，硝酸钠和模拟的核废水（SNWW），评估了通过直接接触膜蒸馏（DCMD）和空气间隙膜蒸馏器（AGMD）技术进行脱盐和放射性核素去污染的DL-ENMS的性能。结果表明，DL-ENM，尤其是掺入基于PES的基于PES的亲水性层的DL-Enms表现出较高的渗透通量，在DCMD中使用NACL和NANO 3的水溶液在DCMD中达到72.72 kg/m 2。h和73.27 kg/m 2。 2。H分别在DCMD和AGMD中使用SNWW的水性进料溶液。SL-Enms和DL-Enms均表现出较高的排斥效率和饲料溶液的净化因子（> 99.9％）。此外，准备好的ENM暴露于伽马辐射中，以评估其在现实生活中的适用性。辐射的结果表明，伽马辐射对PVDF氟含量的负面影响，这可能是将PVDF用作疏水材料通过膜蒸馏将核废水衰减的关键点。