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World File Search System代工厂
要求建立量子信息代工厂
量子信息科学仍然需要基础科学研究才能充分发挥其潜力。但是，如果我们要利用完整的工具集来解决该领域的紧迫问题（例如材料、设备布局或最佳纠错方法），科学家就需要获得制造的设备样品。目前，获取样品要么成本过高，要么需要与世界上为数不多的开发这些系统的团队之一密切合作。原则上，专门的量子代工厂可以为许多无法获得样品的科学家提供采用当前最佳实践设计的价格合理的样品。我们详细介绍了几种不同的代工厂模型，我们相信这些模型将有助于社区开发底层流程以及更先进的芯片布局和电路设计的科学。向更广泛的社区开放访问权限有可能大大降低进入门槛，并极大地提高凝聚态、材料表征、系统工程等领域研究人员的能力，从而为加速量子信息科学和技术的进步做出贡献。
英特尔定制代工厂宣布赞助 MOSIS MPW
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS（金属氧化物半导体实施服务），提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务，使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作，通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品，国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成，那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。
电切换代工厂加工的相变光子器件
尽管基于 PCM 的光子器件和电开关取得了重大进展，但将 PCM 集成到标准光子代工工艺中代表了 PCM 的一个重要技术里程碑。代工工艺集成不仅是实现 PCM 器件可扩展制造的切实途径，而且还使整个光子学界能够轻松获得 PCM 组件。值得注意的是，PCM 具有非外延性质和低加工温度，因此很容易实现 CMOS 后端集成，这从它们与 3D XPoint 内存架构的无缝集成中可以看出。我们预计，实现这一里程碑将大大加快 PCM 与大型交换矩阵的集成，并开辟新兴应用，例如任意波前合成、节能光交换和路由、量子光网络以及可扩展神经形态计算。
先进微晶圆代工厂 (AMF) 硅光子学制造
关于 CMC CMC Microsystems 拥有超过 35 年的提供多项目晶圆服务的经验，涉及一系列技术，包括先进微电子、光子学和 MEMS。CMC 总部位于加拿大，通过提供设计工具、原型设计、增值封装和组装服务以及内部专业知识来降低技术采用的障碍，从而打造出一次成功原型。
向小芯片迈进 - 开放欧洲先进封装和微集成工业代工厂 –
Chiplet 架构框架可定制的 Chiplet 模板包括：• 基于 NoC 的架构和通用 D2D 接口• Bring-Up、Chiplet 组件的安全启动• DfM / DfT - JTAG BSCAN、系统监视器• 安全与保障设计 – Caliptra、CE• 立法法规 – EU EU ESPR、EU Data Act、EU ESG 法律• 数字产品通行证 – 数字铭牌、UID、RAMI 4.0
基于忆阻器的可靠安全混沌通信，可抵御窃听者和不受信任的代工厂
混沌是一种确定性现象，在特定条件下，状态向量的轨迹变得周期性且对初始条件极为敏感，发生在非线性动态系统中。虽然传统的基于电阻的混沌通信主要关注网络上信息的安全传输，但由于外包制造，收发器本身可能会受到损害。随着资源受限的植入式和可穿戴设备中无线传感器的增长，如果传输的信息可靠且发射机设备安全，混沌通信可能是一个不错的选择。我们相信，作为第四个基本两端电路元件的忆阻器可以缩小可靠通信和安全制造之间的差距，因为它的电阻可以由设计人员而不是代工厂编程和保存。因此，在本文中，我们提出了一种基于忆阻器的蔡氏混沌收发器，它在存在窃听者的情况下都是可靠的，并且在不受信任的代工厂面前是安全的。具体来说，我们考虑相同忆阻器值下的发射器和接收器对，以显示
美国对华科技制裁及影响
对半导体和公司的影响 6 对中国 IC 设计行业的影响 6 高性能计算芯片 6 表 5：对中国和非中国 HPC 芯片的制裁 6 IC 设计人员 6 表 6：制裁对芯片和中国 IC 设计行业的影响 6 对晶圆代工厂和存储器制造商的影响 7 晶圆代工厂和存储器制造商 7 表 7：制裁对晶圆代工厂和存储器制造商的影响 7 技术能力 8 表 8：全球主要晶圆代工厂的技术能力 8 表 9：全球主要 DRAM 制造商的技术能力 8 表 10：全球主要 NAND 闪存制造商的技术能力 8 对设备供应商的影响 9 设备供应商 9 表 11：制裁对半导体设备供应商的影响 9 短期和长期影响 9 表 12：制裁对设备供应商的短期和长期影响 9
英特尔公司
首席执行官致函 致我们的股东、客户、合作伙伴和员工： 推进我们的愿景和战略 英特尔正处于一个关键时刻，在这个世界上，人工智能和无处不在的计算、连接、基础设施和传感的融合推动着对处理能力的无限需求。我们看到了一个巨大的机会，可以突破可能的界限，为世界上最重大的挑战创造解决方案，并改善地球上每个人的生活。 英特尔的使命是为半导体（21 世纪最关键和最具战略性的资源）创建一个全球多元化、有弹性和可持续的供应链，这是我们雄心壮志的核心。获得卓越工程和不断创新的芯片将成为几乎所有行业下一阶段创新的决定性因素。为了迎接这个新时代并使我们的客户能够利用这一机会，英特尔正在投资技术和制造领导力，同时向世界开放我们的制造网络，让“人工智能无处不在”，并不懈地追求摩尔定律。这是我们打造更强大的英特尔的努力的一部分，包括 2 月份推出的英特尔代工厂，这是人工智能时代的首个系统代工厂，包括我们的技术开发、全球制造和供应链以及代工厂客户服务和生态系统运营。此外，在英特尔代工厂和英特尔产品（我们的产品业务部门）之间建立类似代工厂的关系将提高透明度、问责制和成本优化。 在转型方面取得重大进展 2023 年标志着我们在 IDM 2.0 战略和转型重点方面取得全面进展的一年。我们执行了重建流程领导地位的计划，扩大了产能和代工厂计划，增强了产品执行力，并开始实现让人工智能无处不在的愿景。尽管进入这一年时，宏观经济和行业面临重大阻力，但专注于我们的战略以及运营和财务纪律使我们能够实现目标。我们知道还有更多工作要做，但我为团队在 2023 年兑现承诺感到自豪，这将使我们能够利用未来的机遇。重新确立工艺和产品领导地位我们仍有望重新确立英特尔的工艺技术领导地位，实现四年内五个节点（5N4Y）的目标，该目标将于 2024 年底完成。英特尔 3 和英特尔 4 已准备好投入生产并正在加速发展。我们很高兴能够进入 Angstrom 时代，英特尔 20A 将于今年推出，英特尔 18A 有望在 2024 年下半年投入生产，标志着 5N4Y 的完成，并让英特尔重回工艺领导地位。2 月，我们公布了超越 5N4Y 的路线图，将英特尔 14A 添加到英特尔的前沿节点计划中，此外还有几个专门的节点演进。我们的产品路线图也在不断推进。在数据中心，我们提前推出了 Xeon Gen 5。Sierra Forest 有望在 2024 年上半年推出，紧随其后的是 Granite Rapids，这将使英特尔重新获得数据中心的份额。此外，我们用于服务器的首款英特尔 18A 部件 Clearwater Forest 已在晶圆厂生产。我们基于英特尔 4 的 Meteor Lake 产品正在迅速增长，预计 2024 年将达到 4000 万台，我们领先的英特尔 20A 车型 Arrow Lake 计划于今年推出。我们的第一个英特尔 18A 客户端平台 Panther Lake 现在也已在晶圆厂生产。总体而言，我们预计 2024 年和 2025 年的人工智能 PC 出货量将远超 1 亿台。 打造人工智能时代首个系统代工厂 我们正在推进到 2030 年成为全球第二大代工厂的目标，这也是我们创建有弹性、可持续的全球半导体供应链的更广泛使命的一部分。在今年 2 月举行的首届英特尔代工厂直连活动中，我们公布了英特尔代工厂的新品牌和市场定位，英特尔代工厂是全球首个人工智能时代的系统代工厂。虽然我们的代工厂之旅还处于早期阶段，但我们已经看到了显著的进展。2023 年初，我们获得了一家英特尔 18A 代工客户的承诺，年底则获得了四家。我们还赢得了五项先进封装订单，证明了英特尔代工厂的优势。 ! "# ! $ $ % & ' ( ) * + % , , & % - .* / 0 * & , 1 2 "3"4 & -* " 3 $ $ $ 2 #5 ( - "3"6 & & "3"4 & ! " # & 7896:; "3"6 4 6 $ & "3 #5 & "3"6 & 896: , 896: #6 2 < = .8 / , "3"6 . > 0 ,#5 < * + & 6 63 $ "3"6 + & "3 < 1 + & % $ #33 10 "3"8 $ % % & ' "343 , - 0 , & , "3"4 #5 & ,
AFRL 140nm技术转移及实施...
wen.zhu@baesystems.com (603) 885-5681 关键词：氮化镓 (GaN)、Ka 波段、MMIC、PAE 摘要 本文报告了 AFRL 的 4 英寸 140nm GaN-SiC 技术向 BAE 系统微电子中心 (MEC) 代工厂的转移和生产实施情况。我们将 AFRL 和 BAE 系统 GaN-SiC 的最佳技术集成到用于 Ka 波段和 Q 波段的 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺中，这是业界首个 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺。本文介绍了脉冲 IV (pIV)、FET 负载牵引、MMIC 性能和可靠性结果。 引言 2018 年，BAE 系统的 MEC 代工厂与 AFRL 合作，将 140nm 4 英寸 GaN-SiC 技术转移到 6 英寸 GaN-SiC。该计划的关键技术目标是通过转移和整合 AFRL 开发的关键工艺技术[1, 2]以及 BAE 系统现有的 GaN MMIC 工艺和能力，在位于新罕布什尔州纳舒厄的 BAE 系统代工厂建立一流的 140nm 氮化镓 (GaN) 生产技术，以实现 6 英寸 SiC 上 GaN 的高性能、高 MRL 工艺[3]。通过这项短栅极高效氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 可生产性计划，BAE 系统正在满足美国国防部 (DoD) 的迫切需求，即建立一个可供美国国防界使用的开放式 GaN 代工厂，并提供先进的 GaN MMIC 工艺。开放式代工服务 - BAE 系统 BAE 系统 III-V 族化合物半导体代工厂是一项战略资产，可为其电子系统部门提供独特的 MMIC 技术。为美国国防部提供代工服务是为了更有效地利用我们代工厂的产能，锻炼和改进工艺，并加强与国防部外部供应商和政府机构的关系。完成 GaN 生产向 6 英寸晶圆直径的过渡是 140nm 技术活动下的一项关键任务。仅此一项就能将有效代工能力提高 2 倍以上。BAE Systems 目前正在投资其代工厂，更换工具，消除单点故障，同时满足生产需求。