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World File Search System代工厂
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
EE5M02 微电子电路
该模块将使学生深入了解电路和系统的超大规模集成 (VLSI)。该模块的最终目标是让学生掌握足够的知识，能够将大型数字电路的功能描述（硬件描述语言 (HDL) 级别）转换为物理布局描述（通常使用 GDSII 格式），适合在代工厂进行制造（流片）。该模块的结构分为两部分。VLSI 电路组件每周分配两次讲座，涵盖设备物理特性，重点关注非理想晶体管行为、电路和线路延迟模型、VLSI 电路复杂性的数学模型和产量估算。VLSI 系统组件每周分配一次讲座，涵盖用于实现电子设计自动化 (EDA) 流程的复杂软件工具链中使用的算法和数据格式。这两个实验室都基于 VLSI 系统讲座。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
Weebit Nano
ReRAM 在新兴 NVM 中占据领先地位 在之前的研究报告（可在此处查阅）中，我们讨论了 ReRAM 如何优于现有的闪存技术以及其他竞争的新兴非易失性存储器 (NVM) 技术，这些技术正在争夺闪存的份额。电子设备需要一种能够在越来越小的工艺尺寸下提供卓越性能的技术，同时将增量成本降至最低，而 WBT 的 ReRAM 恰恰具备这种优势。去年，台积电宣布将使用 ReRAM，这进一步凸显了 ReRAM 的重要性，人们猜测 ReRAM 正用于当今的电子设备，包括 Apple 的最新款 iPhone。台积电的竞争对手（如 UMC 和 GlobalFoundries）几乎没有可行的 ReRAM 替代品，但似乎没有哪一种是可供其他代工厂和 IDM 使用的独立产品。开发路线图是一个三级火箭 WBT 的 ReRAM 技术的初始应用将用于嵌入式存储器，其中 SoC（片上系统）需要板载 NVM。嵌入式 ReRAM 目前正在通过 SkyWater 进行商业化，并且还应通过与一级代工厂的许可协议进行扩展。第二阶段是分立（或独立）ReRAM，即独立内存芯片。WBT 正在研究两种变体；带有和不带有高级选择器的变体。较大阵列中的 ReRAM 需要高级选择器，而较小容量的 ReRAM 芯片可以使用现有的简单晶体管作为选择器进行管理。我们预计分立 ReRAM 芯片将在未来几年内上市，首先从较小容量的芯片开始。第三阶段是将 ReRAM 应用于神经形态处理，例如使用脉冲神经网络，但这是公司的一个长期项目。估值为每股 9.56 澳元我们之前对 WBT 的估值为 6.10 澳元，现已达到并超过该估值。考虑到该公司在 2023 年迄今取得的进展以及 2023 年剩余时间和 2024 年的预期新闻流，我们认为 WBT 与 eMemory 等同行的估值差距可能会在未来 12 个月内缩小。基于此，我们认为 WBT 的估值应为每股 9.56 澳元，这意味着比当前股价有 43% 的上涨空间。请参阅第 16 页的主要投资风险。
集成电路专用逻辑加密的全球性攻击及补救措施
摘要 —近年来，半导体行业将制造外包给低成本但不一定值得信赖的代工厂。这种无晶圆厂商业模式面临着新的安全挑战，包括盗版和生产过剩。一种防止未经授权产品运行的经过充分研究的解决方案是逻辑加密，其中使用只有设计人员知道的密钥对芯片进行加密。然而，大多数逻辑加密解决方案都容易受到密钥一致性和探测攻击。在本文中，我们首先提出 GSAT，一种对使用 SAT 模型的现有 IC 特定逻辑加密方案的全局攻击，它可以有效解密可插入所有加密 IC 的隐藏全局密钥。接下来，我们提出了一种高度安全且低成本的补救措施，称为 SPLEnD：基于强 PUF 的逻辑加密设计。传统的 IC 特定加密方案容易受到 GSAT 攻击，而 SPLEnD 不仅可以有效抵抗 GSAT，而且还平衡了安全性和效率。
ASP-DAC 2025
我谨代表组委会邀请 LSI 设计和设计自动化领域的所有工程师参加第 30 届亚洲和南太平洋设计自动化会议 (ASP-DAC 2025)。我们非常高兴地庆祝 ASP-DAC 成立 30 周年。我要感谢所有 30 年来为 ASP-DAC 的成立做出贡献的人，并感谢所有历届 SC 和 OC 成员、TPC 成员、贡献者和参与者。ASP-DAC 是电子设计自动化 (EDA) 领域的高质量高级会议，就像其他姊妹会议一样，例如设计自动化会议 (DAC)、欧洲设计、自动化与测试 (DATE)、国际计算机辅助设计会议 (ICCAD) 和嵌入式系统周 (ESWEEK)。 ASP-DAC 始于 1995 年，一直为亚洲和南太平洋地区的研究人员和设计师提供了解 LSI 设计和设计自动化领域进展以及相互交流的机会。我们有 3 个主题演讲来分享该领域的最新趋势、来自代工厂的设计工程师的信息、量子电路的 CAD 和 AI 的内存计算：
Tower Semiconductor 与 Anello Photonics 宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发新型硅光波导工艺技术
关于 Tower Semiconductor Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) 是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等不断增长的市场提供集成电路 (IC) 技术和制造平台。Tower Semiconductor 致力于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响，包括广泛的可定制工艺平台，如 SiGe、BiCMOS、混合信号 CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、集成电源管理（BCD 和 700V）和 MEMS。Tower Semiconductor 还为 IDM 和无晶圆厂公司提供世界一流的设计支持，以实现快速准确的设计周期以及包括开发、转移和优化在内的工艺转移服务。为了向客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，Tower Semiconductor 在以色列设有两家制造工厂（150 毫米和 200 毫米），在意大利设有一家制造工厂（300 毫米），
新闻信息
LIGENTEC 为量子计算、高级计算、通信、自动驾驶、太空和生物传感器等高科技行业的客户提供专用光子集成电路 (PIC)。LIGENTEC 的技术最初由洛桑联邦理工学院 (EPFL) 开发，已获得专利，与 CMOS 完全兼容。该技术可以生产出性能优于当今最先进技术的 PIC。此外，可以集成有源元件以在芯片上实现更多功能。通过将低损耗氮化硅材料的优势与晶圆级制造和集成相结合，LIGENTEC 解决了当今集成光子学的主要挑战，包括低损耗和短生产周期。LIGENTEC 提供从研发到批量生产的平稳过渡，其低门槛 MPW 服务、定制 PIC 开发和 200 毫米、IATF 16949 认证的 CMOS 代工厂的大批量生产为其提供支持。 LIGENTEC 总部位于瑞士洛桑和法国法兰西岛科尔贝埃松，并通过了 ISO 9001:2015 认证。 www.ligentec.com
简历
博士学位（专业：微电子和 VLSI 设计）印度理工学院 (ISM)，印度丹巴德（2011 年 10 月 - 2016 年 11 月）论文题目：使用电流模式构建块设计模拟信号处理和生成电路。指导老师：SK Paul 教授，IIT（ISM）电子工程系教授丹巴德 M. Tech。（专业：电子设计和技术）中央大学，特斯普尔（阿萨姆邦），印度（2005 年 7 月 - 2007 年 6 月）论文题目：全定制 IC 设计以实现 2D 余弦函数，DCT 针对 SCL 1.2 µm CMOS 代工厂论文地点：中央电子工程研究所，拉贾斯坦邦皮拉尼，印度。（2006 年 7 月 - 2007 年 6 月）理学士（电子与通信工程）印度旁遮普邦朗戈瓦尔圣朗戈瓦尔工程技术学院（MHRD 资助的大学）（2000 年 7 月 - 2003 年 6 月）教学经历