摘要。铂族金属 (PGM) 一直是汽车催化剂排放控制的前沿,通过提供零排放能源,可能成为净零议程背后的驱动力。文献表明,增材制造 (AM) 的多功能性可用于生产复杂的分层结构,从而增加汽车催化剂、燃料电池 (FC) 和电池中 PGM 的活性催化位点,从而提高运行效率。事实证明,PGM 负载较低的 FC 和电池的性能优于 PGM 负载较高的传统制造能源设备。AM 固有的超本地按需特性可用于破坏传统的多种能源消耗的碳密集型供应链,从而减少大气中的碳排放。AM 和 PGM 之间的协同作用极大地促进了 FC 和电池运行性能的提高,迫使一些国家开始将其能源系统迁移到环保型能源系统。
由于其出色的热稳定性而部分芳香的聚酰胺被广泛用于高温应用中,但是,就像其脂肪族对应物一样,它们很容易易燃且更具挑战性的处理。在这项工作中,合成了几种有机磷的阻燃剂并与部分芳香的聚酰胺合成并复杂化,并评估其可加工性,热和火行为。The compounds containing a commercial flame retardant, Exolit ® OP 1230 (EX), and two new flame retardants, namely 1,4-phe nylenebis(diphenylphosphine oxide) (MP) and (1,1 ′ -biphenyl]-4,4 ′ -diylbis(diphenylphosphine oxide) (BP), showed self-extinguishing与原始PAP相对于原始PAP,功能(即UL94 V0类)具有4 wt%磷(P)的载荷,以及PHRR的实质性降低(最高47%)使用扩展时间尺度上的流变学测量来评估部分芳香族聚酰胺化合物的熔体稳定性。聚合物基质中MP和BP的存在不会触发任何过度的降解现象,例如链条分支,分支或交联反应,从而允许与原始芳族芳族聚酰胺样品相似的稳定加工性。最后,对热分解过程中进化气体的分析表明,在分解过程的早期,MP和BP在很早的早期就发挥着火焰抑制作用。
生理学中的骨稳态取决于骨形成和吸收之间的平衡,在病理学中,这种体内平衡易受不同影响的破坏,尤其是在衰老状态下。肠道菌群已被认为是调节宿主健康的关键因素。许多研究表明,肠道菌群与骨骼代谢之间通过宿主微生物群串扰存在显着关联,而肠道微生物群甚至是骨代谢相关疾病的发病机理的重要因素。本评论探讨了肠道菌群与骨代谢之间的相互作用,重点是肠道微生物群在骨老化和与衰老相关的骨骼疾病中的作用,包括骨质疏松症,脆性骨折修复,骨关节炎以及脊柱变性。总结了内分泌系统,免疫系统和肠道微生物群代谢产物在衰老过程中对骨代谢的影响,从而促进了更好地掌握与衰老相关的骨骼代谢疾病的发病机理。本评论提供了针对肠道菌群的创新见解,以将与骨老化有关的疾病作为一种临床治疗策略。
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES,蒙彼利埃大学,法国国家科学研究院,F- 34000 蒙彼利埃,法国 电子邮箱:jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学,雷恩国立应用科学学院,法国国家科学研究院,FOTON 研究所 – UMR 6082,F-35000 雷恩,法国 Dr. M. Ramonda CTM,蒙彼利埃大学,F- 34000 蒙彼利埃,法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik,Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV,Hausvogteiplatz 5-7,10117,柏林,德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学,法国国家科学研究院,纳米科学与技术中心纳米技术,91120,帕莱索,法国 关键词:外延生长,反相域,单片集成,III-V 半导体,硅衬底
太阳能驱动水分解的持久性能和高效率是光电化学 (PEC) 电池尚未同时实现的巨大挑战。虽然由 III-V 族半导体制成的光伏电池可以实现很高的光电转换效率,但它们与电催化剂的功能集成以及工作寿命仍然是巨大的挑战。在此,超薄 TiN 层被用作埋层结 n + p-GaInP 2 光电阴极上的扩散屏障,使得随后的 Ni 5 P 4 催化剂生长为纳米岛时能够升高温度,而不会损坏 GaInP 2 结。所得 PEC 半电池的吸收损失可以忽略不计,饱和光电流密度和 H 2 释放量与用 PtRu 催化剂装饰的基准光电阴极相当。高耐腐蚀 Ni 5 P 4 /TiN 层在 120 小时内显示出不减损的光电阴极运行时间,超过了之前的基准。通过蚀刻去除电沉积铜(引入的污染物),恢复了全部性能,证明了操作耐用性。 TiN 层扩大了合成条件并防止腐蚀,使 III-V PEC 设备稳定运行,而 Ni 5 P 4 催化剂则取代了昂贵且稀缺的贵金属催化剂。
爱荷华大学位于奥吉布韦族/阿尼希纳比族(奇珀瓦族)、巴克索族(爱荷华族)、基卡波族(基卡普族)、Omāēqnomenēwak族(梅诺米尼族)、迈阿密族(迈阿密)、努塔奇族(密苏里族)、Umoⁿho族(奥马哈族)、Wahzhazhe族(奥塞奇族)、Jiwere族(奥托埃族)(渥太华族)、庞卡族、Bodewadmi/Neshnabé族(波塔瓦托米族)、Meskwaki/Nemahahaki/Skiwaki族(萨克和福克斯族)、达科他族/拉科塔族/纳科达族、Sahnish/Nuxbaaga/Nuweta族(三个附属部落)和Ho-Chunk族(温尼贝戈族)等民族的故乡。以下部落民族:乌莫霍 (内布拉斯加州和爱荷华州的奥马哈部落)、波卡 (内布拉斯加州的庞卡部落)、梅斯克瓦基 (爱荷华州密西西比河的萨克和福克斯部落) 和霍-丘克 (内布拉斯加州的温尼贝戈部落) 继续在爱荷华州繁衍生息。作为一所学术机构,我们始终坚持大学对多元化、公平和包容性的承诺,了解原住民的历史和当前经历将有助于我们开展工作;作为一所大学,我们共同致力于通过学术奖学金、合作伙伴关系、社区服务、招生和保留工作来建立关系,承认我们的过去、现在和未来的原住民国家。
两性离子表面因其具有抵抗蛋白质、细菌和细胞粘附的倾向而越来越多地被用作防污涂层,并且通常以聚合物系统的形式应用。据报道,强相互作用的小分子两亲分子的自组装可产生用于防污应用的纳米带。合成的两亲分子自发形成具有纳米级横截面的微米长纳米带,并且本质上在其表面上显示出致密的两性离子部分涂层。涂有纳米带的基质表现出浓度依赖性厚度和近乎超亲水性。然后探测这些表面涂层的防污性能,结果表明,与未涂层对照相比,蛋白质吸附、细菌生物膜形成和细胞粘附均显着降低。利用粘性小分子自组装纳米材料进行表面涂层为有效的防污表面提供了一种简便的途径。
这几乎是之前所有技术都无法比拟的。高吸收系数允许用 300-500 纳米厚的薄膜制成高效的太阳能电池,而高电子和空穴迁移率以及缺乏深缺陷允许较长的电荷载流子扩散长度并导致光激发电子的有效收集。[1,2] 这些特性支撑了某些卤化物钙钛矿在光伏电池中的快速发展和高效率。虽然单结太阳能电池的效率已经非常惊人,[3] 但光伏钙钛矿在短期内的“杀手级”应用被认为是用宽带隙钙钛矿顶部电池增强商用晶体硅太阳能电池,以创建串联器件。硅钙钛矿串联器件的效率已经达到 29%,已经超过了硅技术本身的记录,清楚地展示了这一概念的前景。 [4] 此类串联器件可以实现高产量生产,一些研究预测其每瓦成本将低于现有技术。[5] 毫不奇怪,这项技术的商业化尝试已经在进行中。[6]
摘要:我们预测磁性铬基过渡金属二硫属化物 (TMD) 单层在其 Janus 形式 CrXTe(其中 X = S、Se)中具有非常大的自旋轨道扭矩 (SOT) 能力。Janus 结构固有的结构反演对称性破坏导致巨型 Rashba 分裂产生较大的 SOT 响应,相当于在非 Janus CrTe 2 中施加 ∼ 100 V nm −1 的横向电场所获得的响应,这完全超出了实验范围。通过对精心推导的 Wannier 紧束缚模型进行传输模拟,发现 Janus 系统表现出与最有效的二维材料相当的 SOT 性能,同时由于其平面内对称性降低,还允许无场垂直磁化切换。总之,我们的研究结果表明,磁性 Janus TMD 是超紧凑自感应 SOT 方案中终极 SOT-MRAM 设备的合适候选者。关键词:自旋轨道扭矩、过渡金属二硫属化物、二维材料、范德华铁磁体
Ministry of Health, Labour and Welfare Social Affairs Bureau, Business Division, War Dead Remains Appraisal Promotion Office *For families of Okinawan War deceased members who live in Okinawa Prefecture and are survivors, click here (email address) aa031704@pref.okinawa.lg.jp (fax address) 098-866-2758 (mail address) 1-2-2 Izumizaki, Naha City, Okinawa Prefecture 900-8570