•材料奖,金属矿物质和材料协会(TMS)2021•杰出校友奖,IIT-BHU全球校友协会2019年•美国国家工程学院美国工程领域(NAE-FOE)Inspitee 2019•陆军研究办公室研究办公室研究办公室计划奖(ARO-y-YIP)奖(ARO-y-YIP)奖,2019年•NANAMATIAL SAWER•ACS NANAMATIALS•ACS AN AN AN AN AN AN AN AN AN AN AN AN AN AN NAN 2018 AN NAN 2018-21•福布斯,30岁以下30岁以下科学2018年•当选为Sigma XI,科学研究荣誉学会,成为正式成员2017年•美国真空学会(AVS)纳米量表科学与技术部早期职业奖2017年•理查德·L·格林奖•实验材料物理学的理查德·格林(Richard L. E. Hilliard研讨会2015年•加利福尼亚理工学院2015 - 17年的Resnick奖,2015 - 17年•2015年材料研究协会(MRS)研究生奖•IEEE DIELECTRIC&ELECTRICAL SISTICAL SICTICAL SOCIACTAUTION SORICICATION研究生研究生奖学金2015年2015 2014年量表科学与技术部学生奖•ASM芝加哥地区分会研究生奖2014•杰出研究员奖,国际纳米技术学院2014•SPIE Optics&Photics&Photonics教育奖学金2014-15
人类将在接下来的25年中发生巨大变化,让人联想到古腾堡(Gutenberg)发明印刷机发明的第一次信息革命发生的事情。印刷机允许广泛地共享艺术,科学和工程学的知识。对这些信息的新发现均鼓励了新的表达和创新,以至于它点燃了一场始于欧洲的工业革命,并在几个世纪后在北美达到顶峰。它广泛地实现了有效和稳定的制造工艺,这些过程有助于用机器制造的商品代替手工生产的商品,减少建筑财富的摩擦,并改善了大多数人的生活水平。一场新的信息革命始于大约60年前(1950年代至1960年代),当时Shockley发明了晶体管 - 巧合的是,大约在美国启动其太空计划的同时。晶体管导致了集成电路的开发,从而促进了较小的计算机的创建,最终为互联网的出现铺平了道路。与Internet的开发并行的是对AI系统的早期探索,其中包括人工神经网络,基于知识的系统,模糊逻辑和进化计算,仅举几例。现代AI研究始于1960年代,直到计算能力急剧增加,并且互联网开始为培训模型生成大量数据,才产生显着的结果。现在,AI系统正在产生惊人的结果,并将永远改变我们的未来。
Rov Deep Discoverer(简称为“ D2”)可以在海面以下最多6,000米(19,685英尺),这意味着它几乎可以探索海洋中的任何地方,除了深沟。D2携带各种相机设备,采样工具和传感器,以收集潜水期间有关深海的尽可能多的信息。其主摄像头可以从3米(10英尺)远的三英寸长生物体放大,并倾斜以捕捉宽阔的视野,从而有助于查看从小生物到深海中大规模栖息地的所有事物。D2的实时视频从海底到船上旅行,然后通过卫星连接到位于岸上的科学家。他们使用实时视频为飞行员提供有关去向地点以及要收集哪些样本的指导。d2的多关节操纵臂非常灵活,使操作员具有操纵和收集生物学和地质样品的能力。飞行员还可以控制操纵器臂下颚的握力,从而使他们轻轻夹住脆弱的珊瑚样品或捡起沉重的岩石或矿物样品。直播ROV视频也被广播到互联网,使任何人都可以参加D2的冒险经历。
关于 2013 年《公司法》;关于第 230 至 232 条(与 2013 年《公司法》其他相关条款一并阅读);关于 Deep Energy Resources Limited ;关于 Savla Oil and Gas Private Limited ;关于 Prabha Energy Private Limited ;关于 Deep Energy Resources Limited 与 Savla Oil and Gas Private Limited 和 Prabha Energy Private Limited 及其各自股东和债权人之间的综合安排计划;Deep Energy Resources Limited ,一家根据 1956 年《公司法》规定成立的公司,现视为根据 2013 年《公司法》成立,其注册办事处位于 12A & 14, Abhishree Corporate Park, Ambli Bopal Road, Ambli, } Ahmedabad - 380058, Gujarat, India。}
加州《可持续地下水管理法》(SGMA)要求限制地下水抽取量,再加上气候变化的影响,正在迫使水资源管理者、农民和社区减少用水量,同时保持农作物产量并提高社会和环境复原力。多效土地再利用是一个有前途的解决方案,它涉及将灌溉农业用地转变为促进节水的用途,并使社区和生态系统受益。在某些情况下,农民可以获得补偿,以将他们的农田转变为其他有益用途,例如公园、栖息地走廊、新的社会经济机会、非灌溉牧场、清洁工业和可再生能源的空间以及野生动物友好的多效补给盆地(EDF 2021;Fernandez-Bou 等人 2023)。农光伏和生态光伏展示了如何通过安装太阳能电池板将清洁能源融入多效益土地再利用项目中,同时转向其他有益活动,例如过渡到耗水量较少的作物、覆盖作物、栖息地恢复和非灌溉牧场。农光伏和生态光伏有助于实现清洁能源生产、能源弹性和节水目标,同时为土地所有者和农民提供额外的收入来源。作为土地管理整体方法的一部分,农光伏和生态光伏代表了创新解决方案,支持农村社区的长期可持续性和弹性并保护其农业遗产(Adeh、Selker 和 Higgins 2018;Sturchio 和 Knapp 2023;Tölgyesi 等人 2023;Warmann、Jenerette 和 Barron-Gafford 2024)。
图18。(a)化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响,(b)BII 3,(c)AGBII 4(缺陷型旋转结构)和(d)AGBII 4(CDCL 2-type结构)的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可,69(1),(2024)。[139]版权所有©2024,Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的,用于图像分析,然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩,以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A)CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B)CS 3 Bisbbr 3 I 6和C)CS 3 SB 2 BR 3 I 6,使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A)CS 3 BI 2 I 9 B)CS 3 BI 2 BR 9 C)CS 3 SB 2 I 9和D)CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a)cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006],b)cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201],c)cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d)cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a)cs 3 bi 2 I 9,b)cs 3 bi 2 br 9,c)cs 3 sb 2 i 9和d)cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。(a)CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑,以及(b)Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a)5.5k,b)40k,c)150k和d)300K pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合,用于a)r3̅MH参考和b)fd3̅m参考。pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合,用于a)r3̅MH参考和b)fd3̅m参考。pl衰变光谱在a)5.5k,b)40k,c)150k和d)300k pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c)合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9(顶部)和CS 3 SB 2 I 9(底部)的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 bi 2 i 9,c)cs 3 sb 2 i 9,d)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c)合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9(顶部)和CS 3 SB 2 I 9(底部)的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 bi 2 i 9,c)cs 3 sb 2 i 9,d)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a)在合成的当天未涂层,b)合成后23天未涂层,c)在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗,而d)d)在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b)110ᵒC,c)120ᵒC,d)130ᵒC,e)140ᵒC和f)150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像,标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a)未使用反溶剂,b)氯苯,c)IPA,d)甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像,在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A)1:1 B)1:1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1:1 22S C)3:1 d)3:1 D)3:1 D)3:1 D)在22s e)5:1 f)5:1 f)5:1 f)10:1 f)10:1 f)at 22:1 f)at 22:1 g) chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像,在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A)1:1 B)1:1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1:1 22S C)3:1 d)3:1 D)3:1 D)3:1 D)在22s e)5:1 f)5:1 f)5:1 f)10:1 f)10:1 f)at 22:1 f)at 22:1 g) chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100