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World File Search System伏诺图
基于诺姆图>的妊娠糖尿病风险预测模型的原始文章构建和验证
摘要：目的：构建一个模型，以预测基于nom图的妊娠糖尿病（GDM）的风险并进行验证。方法：从2018年1月至2021年5月在西安国际医疗中心医院接受治疗的182例GDM患者的数据进行了回顾性分析。在同一时期选择了在西安国际医疗中心医院进行的491个正常分组，他们被选为对照。比例为7：3，GDM患者分为训练组（n = 128），验证组（n = 54）组，将491个正常分组分为训练对照组（n = 344）和验证对照组（n = 147）。临床数据，并通过逻辑回归分析了GDM的危险因素。r语言用于构建GDM的预后预测列图模型，并采用接收器操作特征曲线来评估该列格图模型在预测GDM预后的准确性。结果：单变量分析表明，培训组和训练对照组之间的年龄，体重指数（BMI），糖尿病家族史，血红蛋白，甘油三酸酯，血清铁蛋白和空腹血糖在三个月之间是不同的（p <0.05）。多变量分析表明，在前孕期，年龄，BMI，血红蛋白，甘油三酸酯，Se Rum铁蛋白和空腹血糖是GDM的独立危险因素（P <0.05）。曲线下预测训练组GDM风险的面积为0.920，验证组的面积为0.753。基于逻辑回归方程，风险公式为-5.971 + 1.054 *年龄 + 1.133 * BMI + 1.763 *血红蛋白 + 1.260 *甘油三酸酯 + 3.041 *血清铁蛋白 + 1.756 *在第一个四倍的群中，甘油蛋白 + 1.756 *。结论：年龄，BMI，血红蛋白，血清铁蛋白和空腹血糖在头三个月是GDM的危险因素。
农业光伏和生态光伏
加州《可持续地下水管理法》（SGMA）要求限制地下水抽取量，再加上气候变化的影响，正在迫使水资源管理者、农民和社区减少用水量，同时保持农作物产量并提高社会和环境复原力。多效土地再利用是一个有前途的解决方案，它涉及将灌溉农业用地转变为促进节水的用途，并使社区和生态系统受益。在某些情况下，农民可以获得补偿，以将他们的农田转变为其他有益用途，例如公园、栖息地走廊、新的社会经济机会、非灌溉牧场、清洁工业和可再生能源的空间以及野生动物友好的多效补给盆地（EDF 2021；Fernandez-Bou 等人 2023）。农光伏和生态光伏展示了如何通过安装太阳能电池板将清洁能源融入多效益土地再利用项目中，同时转向其他有益活动，例如过渡到耗水量较少的作物、覆盖作物、栖息地恢复和非灌溉牧场。农光伏和生态光伏有助于实现清洁能源生产、能源弹性和节水目标，同时为土地所有者和农民提供额外的收入来源。作为土地管理整体方法的一部分，农光伏和生态光伏代表了创新解决方案，支持农村社区的长期可持续性和弹性并保护其农业遗产（Adeh、Selker 和 Higgins 2018；Sturchio 和 Knapp 2023；Tölgyesi 等人 2023；Warmann、Jenerette 和 Barron-Gafford 2024）。
光伏
图18。（a）化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响，（b）BII 3，（c）AGBII 4（缺陷型旋转结构）和（d）AGBII 4（CDCL 2-type结构）的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可，69（1），（2024）。[139]版权所有©2024，Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的，用于图像分析，然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩，以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A）CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B）CS 3 Bisbbr 3 I 6和C）CS 3 SB 2 BR 3 I 6，使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A）CS 3 BI 2 I 9 B）CS 3 BI 2 BR 9 C）CS 3 SB 2 I 9和D）CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a）cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006]，b）cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201]，c）cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d）cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a）cs 3 bi 2 I 9，b）cs 3 bi 2 br 9，c）cs 3 sb 2 i 9和d）cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。（a）CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑，以及（b）Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300K pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300k pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a）在合成的当天未涂层，b）合成后23天未涂层，c）在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗，而d）d）在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b）110ᵒC，c）120ᵒC，d）130ᵒC，e）140ᵒC和f）150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像，标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a）未使用反溶剂，b）氯苯，c）IPA，d）甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100
第三代半导体碳化硅行业前瞻
图表 9 ： SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 ： 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 ： 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 ： WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 ： SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 ： PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 ： 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 ： CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 ： CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 ： SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 ： SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 ： SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 ： SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 ： SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 ： SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 ： N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 ： SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 ： SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 ： 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 ： 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 ： 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 ： 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 ： 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 ： 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 ： 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 ： 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 ： 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 ： 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 ： 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 ： 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 ： 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 ： 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 ： 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 ： 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 ： 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 ： 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 ： 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 ： 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 ： 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 ： 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 ： 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 ： 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 ： 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 ： 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 ： 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
恒诺微电子
行业集团 2023 年第四季度：由于毛利率疲软，核心利润低于预期 韩亚航空在 2023 年第四季度实现净利润 1.25 亿泰铢（同比下降 88%，环比下降 83%），但不包括一次性项目（即 7500 万泰铢外汇收益、2150 万泰铢减值损失冲销和调整） BT262M的库存价值，公司的核心营业利润将为2.91亿（-47％，QOQ-57％），这比我们的估算/彭博社共识低43％/50％，这是由于您的预期率（gpm）是2％的2％。该季度的GPM仅为15％的假设，我们认为这是由于HANA较低的容量利用率而高于预期的单位成本。例如德州仪器，史蒂罗电子学和Sensata，是Hana的客户正如 IDM 高管在第三季度财报电话会议上所评论的那样，由于一些汽车/工业零部件制造商的库存水平上升速度快于需求，尤其是在 2023 年第 2 季度至 2023 年第 3 季度，Hana 直接和间接地预计 2024 年第 1 季度将进一步进行库存调整。上个月鉴于传统终端市场的增长前景较弱，我们预计 Hana 的销售额在 2024 年上半年将比平时季节性下降，但我们相信随着客户补货，销售额将在 2024 年下半年开始复苏。由于客户采用的高压电动汽车数量减少，SiC 趋势疲软。我们估计 Hana 的全资韩国子公司 Powermaster Semiconductor (PMS) 的销售额将在 2023 年第四季度环比增长 35% 至 1.24 亿泰铢。尽管我们预计 PMS 的销售额将在 2024 财年继续增长，因为产量增加了，但我们预计该公司将在 2024 财年继续增长，因为销量增加了。但到 2024 年，客户对高压电动汽车的采用率下降可能会对碳化硅 (SiC) 技术构成重大挑战。SiC 元件是电动汽车中高效高压电力电子设备的关键元件。因此，硅元件对高压电动汽车（而不是低压电动汽车，因为后者更便宜）的需求下降也可能影响对 SiC 元件的需求，并导致 PMS 比预期更晚达到盈亏平衡。由于复苏进一步延迟，评级建议从“买入”下调至“持有”在调整毛利率假设后，我们将 2024-2025 财年核心每股收益下调 17%，并将对 Hana 的评级从买入下调至持有，因为我们认为股价仍受到 2023 年第四季度收益疲软以及 2024 年上半年核心业务和 PMS 可能脆弱复苏的压力。我们还将 Hana 的目标价下调至 40.50 泰铢，这意味着 2024 财年的市盈率为 12.6 倍（5 年平均值的 -1SD），低于 17.5 倍的市盈率。然而，如果全球电子产品需求回升，Hana 可能面临上行风险，而下行风险则来自毛利率低于预期和 PMS SiC 产量增长低于预期。
诺瓦LCT
6.1.1 设置在线校正参数 ...................................................................................................................................................... 42 6.1.2 获取平均校正系数 ...................................................................................................................................................... 43 6.1.3 管理校正系数 ...................................................................................................................................................... 44 6.1.4 管理双重校正系数 ............................................................................................................................................. 48 6.2 调整亮度 ...................................................................................................................................................................... 50 6.3 校正较亮像素 ............................................................................................................................................................. 54 6.4 设置高级色彩 ............................................................................................................................................................. 56 6.5 调整屏幕效果 ............................................................................................................................................................. 59 6.6 设置 Image Booster Engine（适用于 Windows 7） ............................................................................................................. 60
诺如病毒和rotavirus-in-Children-Hospitalisiss-与...
几项研究报告说，诺如病毒是全球引入轮状病毒疫苗后儿童严重胃肠炎的新主要原因。布基纳FASO于2013年11月通过口服五价疫苗旋转疫苗引入了一般轮状病毒疫苗，并迅速达到了> 90％的疫苗覆盖率。这项研究描述了146名在2015年1月至2015年12月之间，在医院中连续招收的146名患有严重急性胃肠炎的儿童的诺如病毒和轮状病毒感染的检测率，临床特征以及诺如病毒和轮状病毒感染的分子流行病学。用抗原检测或实时聚合酶链反应（PCR）进行病毒检测，并通过核晶体测序或多重PCR进行基因分型。轮状病毒在14％中发现，诺如病毒在20％的粪便样品中。诺如病毒感染与轮状病毒的严重脱水相关（p <0.001）明显更大。在基因分型诺如病毒样品中，属于GII.4的48％（12/25），该样本属于GII.4，其腹泻发作明显高于非GII.4基因型（p = 0.01）。最常见的轮状病毒基因型是G2P [4]（30％），G12P [6]（25％）和G12P [8]（20％）。轮状病毒阳性儿童中有百分之五十，被完全或部分异型菌株感染。总而言之，这项研究发现，在引入轮状病毒疫苗接种后，诺如病毒的比例较高，导致腹泻儿童更严重的症状。
亚历克斯·诺拉斯特
亚历克斯·诺拉斯特 (Alex Nowrasteh) 是负责经济和社会政策研究的副总裁。他的文章广受欢迎，刊登在《华尔街日报》、《今日美国》、《华盛顿邮报》和美国其他大多数主要出版物上。诺拉斯特经常出现在福克斯新闻、MSNBC、彭博社、美国国家公共电台以及众多电视台和广播电台上。他的文章经过同行评审，刊登在《世界银行经济评论》、《经济行为与组织杂志》、《公共选择》、《Kyklos》、《生物经济学杂志》等杂志上。他还为多部编辑书籍撰写了许多章节。诺拉斯特与本杰明·鲍威尔 (Benjamin Powell) 合著了《可怜的拒绝？移民和制度的政治经济学》(剑桥大学出版社，2020 年)，这是第一本关于接收国的经济机构如何适应移民的书。《可怜的拒绝？》于 2022 年获得奥地利经济学发展协会颁发的“奥地利经济学最佳书籍”奖。他是南加州人，在乔治梅森大学获得经济学学士学位，在伦敦经济学院获得经济史硕士学位。 Nowrasteh 在卡托研究所的研究可以在这里访问：https://www.cato.org/people/alex-nowrasteh 同行评审学术出版物 “移民会影响经济制度吗？来自美国各州的证据”(与 Michael Howard 和 Andrew C. Forrester 合作)《公共事务季刊》第 37 卷，第 3 期，2023 年 7 月。“信任在美国区域经济发展中不起作用——以及信任文献的其他五个问题”(与 Andrew C. Forrester 合作)《Kyklos》第 76 卷，第 3 期，2023 年 4 月 14 日。“移民会进口恐怖主义吗？”(与 Andrew C. Forrester、Benjamin Powell 和 Michelangelo Landgrave 合作)《经济行为与组织杂志》第 37 卷，第 3 期，2023 年 4 月166，2019 年 10 月。“大规模移民如何影响经济制度薄弱的国家：约旦的一项自然实验”(与 Andrew C. Forrester 和 Cole Blondin 合作)《世界银行经济评论》，2019 年 7 月。“美国移民水平、城市住房价值及其对资本份额的影响”(与 Ryan H. Murphy 合作)《经济事务》第 37 卷，第 3 期，2017 年 10 月。“美国各州经济发展的深层根源：Putterman 和 Weil (2010) 的应用”(与 Ryan H. Murphy 合作)《生物经济学杂志》第 19 卷，第 55 期，2017 年 9 月。“大规模移民会摧毁制度吗？1990 年代的以色列作为一项自然实验”(与 Benjamin Powell 和 JR Clark 合作)《经济行为与组织杂志》第 141 卷，2017 年 9 月。
诺瓦LCT
6.1 校准 ................................................................................................................................................................................ 30 6.1.1 设置在线校准参数 ................................................................................................................................................ 30 6.1.2 获取平均系数 ................................................................................................................................................ 31 6.1.3 管理校准系数 ................................................................................................................................................ 32 6.1.4 管理双重校准系数 ............................................................................................................................................. 35 6.2 调整亮度 ................................................................................................................................................................ 37 6.3 校正较亮像素 ............................................................................................................................................................. 42 6.4 设置高级色彩 ............................................................................................................................................................. 44 6.5 调整屏幕效果 ............................................................................................................................................................. 47 6.6 设置图像增强引擎 ............................................................................................................................................. 48 6.6.1 屏幕校准........................................................................................................................................... 48 6.6.2 快速设置 ................................................................................................................................................ 54