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金属注射成型 β Ti-Nb-Zr 具有优异的耐疲劳性，无需担心高加工洁净度，适合生物耐受性应用
从技术上优化金属注射成型钛合金 (Ti-MIM) 的加工清洁度在经济上不可行。这个问题在材料加工领域很常见。在寻找替代方法的过程中，这项工作试图在耐受非常高的杂质水平的同时实现卓越的高周疲劳 (HCF) 性能。该概念源于 b 类 Ti 合金对氧溶质的较大耐受性以及在单调载荷下减轻碳化物夹杂物的有害影响的可行性。在本文中，用于疲劳关键应用的 MIM b Ti-Nb-Zr 生物材料是特意以非常高的 O 水平和正常/非常高的 C 水平生产的。无论加工清洁度如何，抗杂质的 Ti 生物材料都表现出超过 600 MPa 的优异 HCF 耐久极限，明显高于在严格限制杂质水平的情况下生产的 a - b Ti 参考合金。这种优异的疲劳性能，同时耐受一定量的杂质，源于对杂质不敏感的“弱”微观结构特征和 Ti 基质对疲劳小裂纹的增强抵抗力。此外，在某些情况下，可能出现由两种相互竞争的裂纹起始机制引发的条件疲劳二元性，起始于微尺度孔隙 a - 片状体和大孔隙 TiC 夹杂物。本合金工艺开发的成功可能会大大放宽对活性金属的加工要求。� 2021
导热性能优异的镁合金板“...
镁（以下称“Mg”）合金的比重为1.8以下，仅为轻量化材料铝（以下称“Al”）的三分之二。最近，在薄型笔记本电脑机身中，Mg合金的轻量化价值得到了认可。住友电气工业株式会社镁合金开发部将独有的急速凝固技术*1应用于通用的AZ91D Mg合金*2，制造出具有轻量化、高强度、高耐腐蚀性特点的AZ91板材，并致力于将其实际应用于薄型笔记本电脑机身。最近，受新型冠状病毒感染的肺炎疫情影响，社会环境发生了重大变化，个人和社会规范发生重大转变，包括个人交流和企业运营在内的所有社会活动都正在向数字化和线上化转变。为了普及推动数字化的IoT、AI技术以及加速其应用的第五代移动通信系统（以下简称“5G”），必须完善基础设施。人们期待包括个人和产业在内的社会能够利用这些技术创造新价值、实现社会创新。（1）实现社会创新的一大障碍是基础设施建设时电子设备的发热量。（2）作为重要电子设备和零部件的CPU所使用的半导体集成度不断提高，发热量集中化。预计随着IoT和5G的应用，功耗会增加，局部发热量也会增大。（2）近年来，薄型笔记本电脑、智能手机等电子设备机身的体积和尺寸不断缩小。受这些因素影响，预计发热量将超过电子设备的允许工作范围。电子设备的冷却技术将变得比以往任何时候都更加重要。 （2）减少
由于优异的光电性能，先进纳米材料越来越受到学术界和工业界的关注（刘
先进纳米材料因其出色的光电特性，受到学术界和工业界越来越多的关注（Liu et al.，2020）。近年来，人们致力于开发高性能纳米材料，这使得其在广泛的光电应用中具有巨大潜力（Kong et al.，2021；Niu et al.，2021），特别是在发光二极管 (LED) 和太阳能电池 (SC) 方面。我们非常高兴地推出这期题为“用于发光二极管和太阳能电池的先进纳米材料”的特刊。本期特刊从不同角度强调了材料-器件研究的主要意义，结合了现代实验方法和理论模拟。我们从这个令人兴奋的领域收集了 10 篇特色文章，涵盖了用于 LED 和 SC 开发的先进纳米材料的新兴概念、策略和技术。简化的有机 LED（OLED）结构和可行的制造工艺在照明中起着关键作用。 Xu 等人结合了超薄非掺杂发射纳米层（0.3 纳米），展示了低效率滚降和结构简单的 OLED。同时，Xie 等人通过使用含硼和氮原子的分子作为客体发射极，开发了溶液处理的蓝色热激活延迟荧光 OLED，其半峰全宽较窄为 32 纳米，获得高色纯度 OLED。另一方面，开发新型溶液处理的空穴注入材料对于高性能 OLED 至关重要。Zhu 等人合成了二硫化钼量子点（MoS 2 QDs）并展示了具有混合聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT:PSS）/QDs 空穴注入层的绿色磷光 OLED。采用PEDOT:PSS/MoS 2 空穴注入层的OLED最大电流效率为72.7 cd A −1，比单一PEDOT:PSS的OLED高28.2%，表明以硫化物QD作为空穴注入层是实现高效OLED的有效方法。GaN基LED也是很有前途的照明和显示设备。Zhang等人从实验和数值两个方面系统地研究了台面尺寸减小对InGaN/GaN LED两个横向维度的影响，为设备小型化提供了见解。而Lu等人制作并展示了各种尺寸的应变减小微型LED，并研究了尺寸对光学特性和量子阱铟浓度的影响。他们的工作为实现微型LED的高功率性能提供了经验法则。另一方面，Liu等人对GaN基LED进行了系统的研究，提出了一种新的方法来降低应变，提高LED的效率。采用氢化物气相外延与激光剥离技术联合制备缓冲层，在双抛光蓝宝石衬底上制备了厚度约为250 μm的2英寸自支撑GaN衬底，为高功率GaN基器件提供了一条途径。
电沉积金属有机骨架在离子液体中实现优异的氢传感
图 3. (a) XRD 和 (b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像，在 GC 电极上电沉积 HKUST-1，施加 -1.4 V 的恒定电位（相对于 Ag/AgCl）7200 秒。倒角立方体的平均直径为 855 ± 65 nm。图 (b) 显示略微缩小的图像，图 (cd) 显示电极上不同位置的放大图像。
b'片上微型超级电容器（MSC）是最有前途的器件之一，可集成到微/纳米级电子设备中以提供足够的峰值功率和能量支持。然而，较低的工作电压和有限的能量密度极大地限制了它们更广泛的实际应用。在此，设计了基于Ti3C2TxMXene作为负极、活性炭作为正极的高压片上MSC，并通过一种新颖的切割喷涂法简单地制造了它。通过解决MXene的过度极化，单个非对称片上MSC可以在中性电解质（PVA / Na2SO4）中提供高达1.6V的电位窗口，并具有7.8 mF cm2的高面积电容（堆栈比电容为36.5 F cm3）和大大提高的能量密度3.5 mWh cm3在功率密度为100 mW cm3时，这远远高于其他片上储能产品。此外，MSC 表现出优异的容量保持率（10,000 次循环后仍保持 91.4%）。更重要的是，MSC 可以轻松扩大为硅晶片上串联和/或并联的高度集成阵列。显然，这项研究为开发用于片上电子产品和便携式设备的高压 MXene 基 MSC 开辟了新途径。'
b'片上微型超级电容器（MSC）是最有前途的器件之一，可集成到微/纳米级电子设备中以提供足够的峰值功率和能量支持。然而，较低的工作电压和有限的能量密度极大地限制了它们更广泛的实际应用。在此，设计了基于Ti3C2TxMXene作为负极、活性炭作为正极的高压片上MSC，并通过一种新颖的切割喷涂法简单地制造了它。通过解决MXene的过度极化，单个非对称片上MSC可以在中性电解质（PVA / Na2SO4）中提供高达1.6V的电位窗口，并具有7.8 mF cm2的高面积电容（堆栈比电容为36.5 F cm3）和大大提高的能量密度3.5 mWh cm3在功率密度为100 mW cm3时，这远远高于其他片上储能产品。此外，MSC 表现出优异的容量保持率（10,000 次循环后仍保持 91.4%）。更重要的是，MSC 可以轻松扩大为硅晶片上串联和/或并联的高度集成阵列。显然，这项研究为开发用于片上电子产品和便携式设备的高压 MXene 基 MSC 开辟了新途径。'
ND 将有 2,030 名毕业生 Urda 继承家族传统，成绩优异……
这不是我的宣言。这不是我列出的圣母大学所有问题的清单，也不是关于世界应该如何发展的狂妄长篇大论。要阅读此类选集，请参阅最后一段。与任何机构一样，圣母大学是社会的反映，包括其贪婪、自私和自我保护的倾向。机构是由个人组成的，没有个人能免受偶尔的同情心缺失。利兹·福兰但组成这所学校的 95% 的名誉主编都是全国最有才华、最有爱心和最敬业的人。在任何机构中，少数成员可能会给其他人带来坏名声。圣母大学很幸运，其“害群之马”的比例比平均水平要小得多。