这项研究介绍了使用乙烯基氟化物(PVDF)和基于聚合物的聚合物(PES,硫酸PE,硫酸PE,硫酸PES,PE,pes,pes,pes,pes)聚合物的双层型纳米纤维膜(DL-ENMS(DL-ENMS)(PES)。用单层电纺纳米纤维膜(SL-ENM)进行了比较分析,总厚度约为375μm。使用饲料溶液,包括氯化钠,硝酸钠和模拟的核废水(SNWW),评估了通过直接接触膜蒸馏(DCMD)和空气间隙膜蒸馏器(AGMD)技术进行脱盐和放射性核素去污染的DL-ENMS的性能。结果表明,DL-ENM,尤其是掺入基于PES的基于PES的亲水性层的DL-Enms表现出较高的渗透通量,在DCMD中使用NACL和NANO 3的水溶液在DCMD中达到72.72 kg/m 2。h和73.27 kg/m 2。 2。H分别在DCMD和AGMD中使用SNWW的水性进料溶液。SL-Enms和DL-Enms均表现出较高的排斥效率和饲料溶液的净化因子(> 99.9%)。此外,准备好的ENM暴露于伽马辐射中,以评估其在现实生活中的适用性。辐射的结果表明,伽马辐射对PVDF氟含量的负面影响,这可能是将PVDF用作疏水材料通过膜蒸馏将核废水衰减的关键点。
在金属氧化物中新发现的光离子效应为功能性陶瓷应用提供了独特的机会。作者概括了最近在紫外线(UV)辐射下观察到的晶界光离子效应在辐射离子效应下,可用于散装材料并用于伽马射线(𝜸砂)检测。在室温附近,掺杂的GD掺杂CEO 2,一种多晶离子导电陶瓷,在暴露于60 Co 𝜸 -ray(1.1和1.3 MEV)时,电阻比变化≈103,离子电流的可逆响应在离子电流中可逆。这归因于在晶界处的稳态空间电荷屏障的稳态钝化,该空间电荷屏障充当虚拟电极,捕获了辐射诱导的电子,进而降低了空间电荷屏障高度,从而独家调节了陶瓷电解质中的离子载体流量。这种行为允许在低场(即<2 v cm-1)下进行显着的电响应,为廉价,敏感,低功率和可微调的固态设备铺平了道路,非常适合在刺激性(高温,压力和腐蚀性)环境中运行。此发现为便携式和/或可扩展的辐射探测器提供了机会,从而使地热钻探,小型模块化反应堆,核安全和废物管理有益。
极快变异性的起源是Blazars伽马射线天文学中的长期问题之一。尽管许多模型解释了较慢,能量较低的可变性,但它们无法轻易考虑到达到每小时时间尺度的快速流动。磁重新连接是将磁能转化为重新连接层中相对论颗粒加速的过程,是解决此问题的候选解决方案。在这项工作中,我们在统计比较中采用了最新的粒子模拟模拟,观察到了众所周知的Blazar MRK 421的浮雕(VHE,E> 100 GEV)。我们通过生成模拟的VHE光曲线来测试模型的预测,这些曲线与我们开发的方法进行了定量比较,以精确评估理论和观察到的数据。通过我们的分析,我们可以约束模型的参数空间,例如未连接的等离子体的磁场强度,观察角度和大黄色射流中的重新连接层方向。我们的分析有利于磁场强度0的参数空间。1 g,相当大的视角(6-8°)和未对准的层角度,对多普勒危机的强烈候选危机进行了强大的解释,通常在高同步器峰值峰值的射流中观察到。
Esra KENDİR TEKGÜL * Şerafettin YALTKAYA ** 收到日期:2022 年 3 月 31 日;修订日期:2022 年 12 月 26 日;接受日期:2023 年 3 月 30 日 摘要:在 Co-60 源的伽马射线辐射下研究了商用 555 单定时器和 741 运算放大器 (op-amp)。使用的最大总剂量为 2 kGy 和 4 kGy 进行辐照。观察到 555 单定时器电路频率的异常行为,在 744 Gy 伽马射线辐射下从 202 Hz 降至 195 Hz。在 741 运算放大器电路的结果中,741 运算放大器的幅度信号在 4 kGy 伽马剂量下显示最大值 -0.054 dB,其斜率从 4 V/µs 降至 0.65 V/µs。555 单定时器具有两个 pn 结,这导致 555 单定时器很容易受到伽马辐射的影响。因此,必须对集成电路进行测试以确定其在辐射环境中的电阻极限。
摘要:B 组链球菌 (GBS) 是一种革兰氏阳性菌,常见于泌尿道,也是新生儿败血症和肺炎的主要原因。尽管目前采用抗生素预防 (IAP),但新生儿晚发型疾病和非妊娠成人感染的疾病负担仍在增加。最近,已证明通过伽玛射线灭活病原体可以消除其复制能力,但对关键表位的抗原性损害较小。在本研究中,我们通过辐射 (Rad-GBS) 或福尔马林 (Che-GBS) 灭活无荚膜 GBS 菌株,并进一步确定其作为疫苗的免疫原性和保护效果。值得注意的是,与 Che-GBS 相比,Rad-GBS 具有更高的免疫原性,并且在 BMDC 中产生更高的共刺激分子表达。流式细胞分析显示,Rad-GBS 在小鼠体内诱导出更强的 CD4 + IFN-γ + 和 CD4 + IL-17A + 群体。通过用高毒力菌株 CNCTC 10/84 进行攻击来测量保护效果,过继转移结果进一步表明,保护作用被功能性中和抗体和 T 细胞逆转。最后,Rad-GBS 诱导了对 GBS 流行血清型攻击的交叉保护。在用 Rad-GBS 免疫的小鼠血清中测定出针对多种血清型的更高调理吞噬杀灭活性。总体而言,我们的结果表明,灭活的全细胞包裹 GBS 可以作为开发针对侵袭性 GBS 感染的通用疫苗的替代策略。
1 国际原子能机构 (IAEA) 联合司植物育种和遗传学实验室,2444 Seibersdorf,奥地利 2 生物信息学和科学计算核心,维也纳生物中心核心设施有限公司,Dr-Bohr-Gasse 3, 1030 Vienna,奥地利 3 医学生物信息学中心,图尔库生物科学中心,图尔库大学,Tykistökatu 6, 20520 Turku,芬兰 4 医学生物信息学中心,图尔库生物科学中心,Åbo Akademi 大学,Tykistökatu 6, 20520 Turku,芬兰 5 临床分子生物学系,比亚韦斯托克医科大学,15-269 Bialystok,波兰 6 生物信息学研究组,基因组学和生物信息学核心设施 Szent á gothai 研究中心,佩奇大学,H-7622 Pecs,匈牙利 7加利福尼亚大学兽医遗传学实验室,美国加利福尼亚州戴维斯市老戴维斯路 95616 * 通讯地址:till.brad@gmail.com
摘要:本文探讨了碲化物玻璃中的 MoO 3 和 SiO 添加剂对在辐射背景或宇宙辐射增加的条件下工作的电子微电路的屏蔽特性和保护的影响。之所以选择 MoO 3 和 SiO 掺杂剂,是因为它们的特性(包括绝缘特性)可以避免辐射损伤引起的击穿过程。这项研究的意义在于提出使用防护玻璃保护电子电路中最重要的组件免受电离辐射负面影响的方法,电离辐射可能会导致故障或导致电子设备不稳定。使用标准方法评估伽马和电子辐射的屏蔽效率,以确定放置在屏蔽后面并受到不同剂量辐照的微电路的阈值电压(∆U)值的变化。结果表明,玻璃结构中 MoO 3 和 SiO 含量的增加可使伽马辐射屏蔽效率提高高达 90%,同时在长时间暴露于电离辐射的情况下仍能保持微电路性能的稳定性。根据所得结果,我们可以得出结论:使用基于 TeO 2 –WO 3 –Bi 2 O 3 –MoO 3 –SiO 的防护玻璃非常有希望为在背景辐射或宇宙辐射增加的条件下工作的微电路和半导体器件的主要部件提供局部保护。
电子产品中的辐射损伤减轻仍然是一个挑战,因为唯一成熟的技术——热退火,并不能保证获得良好的结果。在本研究中,我们介绍了一种非热退火技术,其中使用来自非常短持续时间和高电流密度脉冲的电子动量来瞄准和调动缺陷。该技术在 60 Co 伽马辐照(5 × 10 6 拉德剂量和 180 × 10 3 拉德 h − 1 剂量率)GaN 高电子迁移率晶体管上进行了演示。在 30 °C 或更低温度下,饱和电流和最大跨导完全恢复,阈值电压部分恢复。相比之下,300 °C 下的热退火大多使辐照后特性恶化。拉曼光谱显示缺陷增加,从而降低了二维电子气 (2DEG) 浓度并增加了载流子散射。由于电子动量力不适用于聚合物表面钝化,因此所提出的技术无法恢复栅极漏电流,但性能优于热退火。这项研究的结果可能有助于减轻电子器件中某些形式的辐射损伤,而这些损伤很难通过热退火实现。© 2022 电化学学会(“ ECS ” )。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI:10.1149/2162-8777/ ac7f5a ]
目的:本研究旨在评估在早期阿尔茨海默病 (AD) 中,通过对楔前叶施加伽马频率的经颅交流电刺激 (γ-tACS) 是否能改善情景记忆并通过调节脑节律来调节胆碱能传递。方法:在这项随机、双盲、假对照、交叉研究中,60 名 AD 患者接受了临床和神经生理学评估,包括在使用针对楔前叶的 γ-tACS 或假 tACS 治疗前后 60 分钟的情景记忆和胆碱能传递评估。在 10 名患者的子集中,进行了 EEG 分析和电场分布的个体化建模。评估了 γ-tACS 疗效的预测因素。结果:我们观察到,在 γ-tACS 后,Rey 听觉言语学习 (RAVL) 测试的即时回忆 (p < 0.001) 和延迟回忆分数 (p < 0.001) 有显著提高,而在假性 tACS 后没有。在 γ-tACS 后,面孔-姓名联想分数有所提高 (p < 0.001),但在假性 tACS 后没有。短潜伏期传入抑制(胆碱能传递的间接测量)仅在 γ-tACS 后增加 (p < 0.001)。ApoE 基因型和基线认知障碍是 γ-tACS 反应的最佳预测因素。临床改善与后部区域伽马频率的增加以及楔前叶中预测的电场分布量相关。
1 磁膜物理实验室,SSPA“白俄罗斯国家科学院科学与实用材料研究中心”,P. Brovki 街 19,220072 明斯克,白俄罗斯;fix.tatyana@gmail.com (TIZ);zheludkevich27@gmail.com (ALZ);ir23.by@gmail.com (IUR);bondruk625@gmail.com (AAB);katenickerd@gmail.com (EKZ);truhanov86@mail.ru (AVT) 2 南乌拉尔国立大学单晶生长实验室,列宁大街 76,454080 车里雅宾斯克,俄罗斯 3 联合核研究中心弗兰克中子物理实验室,Joliot-Curie 街 6,141980 杜布纳,俄罗斯; vershinina@nf.jinr.ru 4 杜布纳国立大学自然科学与工程科学学院,Universitetskaya Str. 19, 141980 Dubna,俄罗斯 5 白俄罗斯国立信息与无线电电子大学微纳米电子系,P. Brovki Str. 6, 220013 Minsk,白俄罗斯 6 东北大学资源环境系,沈阳市文化路 3-11 号 110819,中国;mg_dong@163.com 7 乌拉尔联邦大学物理与技术研究所,Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg,俄罗斯;mokhamed.khanfi@urfu.ru 8 核材料管理局,El Maadi,开罗 PO Box 530,埃及 9 伊斯拉大学理学院物理系,Al Hezam Road,安曼 1162,约旦; dr.mabualssayed@gmail.com 10 核医学研究系,医学研究与咨询学院,伊玛目阿卜杜拉赫曼·本·费萨尔大学,沙特阿拉伯达曼 31441 11 莫斯科谢切诺夫第一国立医科大学生物医学科技园,Bolshaya Pirogovskaya Str. 2/4,119991 莫斯科,俄罗斯;sil_m@mail.ru 12 国立科技大学 MISiS 电子材料技术系,列宁大街 4/1,119049 莫斯科,俄罗斯 * 通讯地址:dashachushkova@gmail.com (DIT);sv_truhanov@mail.ru (SVT);电话:+375-29-562-81-87 (DIT);+375-29-536-86-19 (SVT)