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DRV8705-Q1汽车H桥智能门驱动器具有低侧电流感官放大器数据表（Rev. b）
•AEC-Q100有资格用于汽车应用的资格： - 温度1级：–40°C至 +125°C，T A•功能安全性能 - 可用于辅助功能安全系统设计的文档•H-Bridge Smart Gate驱动程序 - 4.9V至37V至37V（40V ABS。max) operating range – Doubler charge pump for 100% PWM – Half-bridge and H-bridge control modes • Pin to pin gate driver variants – DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier – DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control – 0.5mA to 62mA peak source current output – 0.5mA to 62mA peak sink current output – Integrated dead-time handshaking • Low-side current shunt amplifier – Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80V/V) – Integrated feedback resistors – Adjustable PWM blanking scheme • Multiple interface options available – SPI: Detailed configuration and diagnostics – H/W: Simplified control and less MCU pins • Spread spectrum clocking for EMI reduction • Compact VQFN package with wettable flanks •综合保护功能 - 专用驱动器禁用引脚（DRVOFF） - 供应和调节器电压监视器 - MOSFET V DS过电流监视器 - MOSFET V GS GATE故障监视器 - 电荷泵逆极性MOSFET - 离线打开负载和短路负载和短路诊断 - 设备热警告和关闭警告和关闭状态 - 故障警告 - 故障销钉（nforts Intrump PIN）
5s – 7s电池组参考设计带有低侧MOSFET控制
电池组的电池组和园林工具越来越多地使用锂离子，Li-Polymer或Li-rion-raphate细胞类型。这种化学的体积和重量能密度都很好。虽然该化学反应提供了高能量密度，从而降低了体积和重量作为优势，但化学物质与安全问题相关，需要更准确且复杂的监测和保护。这些担忧是细胞欠压（CUV）和细胞过压（COV），过度过敏（OT），均电荷（OCC）和放电（OCD）和短路放电（SCD），所有这些都会导致加速细胞降解，并导致热逃亡和爆发和爆发。因此，在某些不寻常的情况下，需要及时监视包装电流，电池温度和每个电池电压。必须保护电池组，以防止所有这些情况。始终需要良好的测量精度，尤其是细胞电压，包装电流和细胞温度。精度对于准确的保护和电池组的电荷状态（SOC）计算是必要的。由于平坦的电压，对于LifePo4电池组应用程序尤其如此。电池动力应用程序的另一个重要功能是当前消耗，尤其是在船舶模式或待机模式下。降低电流消耗可节省更多的能源，并提供更长的存储时间，而不会超过电池。
NSD5604 / NSD5604N - 4 通道低侧驱动器
NSD5604 / NSD5604N 是一款 4 通道低侧驱动器，适用于工业和汽车应用，包括可编程逻辑控制、通用继电器或其他电磁阀驱动器。该设备包括 4 个并行输入接口，可控制 4 个独立驱动输出，用于电阻、电感或电容负载。输出通道可以并联，以支持高电流负载并降低设备功耗。低侧输出具有过温和短路保护。集成二极管可钳位电感负载关闭期间产生的电压瞬变；结合不同的外部 TVS 连接拓扑，可实现慢衰减或快衰减关闭。NSD5604 还具有额外的 5V 最大 20mA LDO 输出，用于板载数字隔离器或光耦合器电源。 NSD5604 和 NSD5604N 均采用紧凑型 16 引脚、4.96mm x 6.4mm HTSSOP16 封装，规定工作温度范围为 -40 至 125°C。
IRS21867S 600 V、4 A、高侧和低侧栅极驱动器
描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。