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父母患有躁郁症（BD）或重度抑郁症（MDD）的后代对这些疾病的生物学风险（HR）高，鉴于其显着的遗传力。因此，研究HR-MDD和HR-BD年轻人的神经相关性对于了解情绪障碍发作之前的发展至关重要。低率波动（ALFF）和分数ALFF（Falff）的静止状态幅度显示出中度至高测试可靠性，这使其成为识别生物标志物的好工具。但是，这条途径仍未得到探索。使用健康的脑网络生物库，我们确定了150名儿童和青少年HR-MDD，50 HR-BD和150个没有任何精神疾病的风险（即对照组）。然后，我们检查了静止状态期间相对Alff/Falff信号的差异。与对照组相比，在校正后的阈值中，参与者HR-MDD在背侧尾状核中显示较低的静息ALFF信号。与对照组相比，HR-BD组在原发性运动皮层中显示出FALFF值增加。因此，在可能与重要情绪障碍，即精神运动迟缓和躁动有关的地区中注意到了牢固的差异。在未校正的阈值下，在中央孔皮层和小脑中发现了差异。数据库是一个社区引用的队列，就儿童的心理诊断和症状学而言，可能改变了结果。alff和Falff的结果，用于比较HR组与对照组重叠的，表现出良好的收敛性。需要进行更多的研究，以测量HR中的ALFF/FALFF来补充这些结果。
高压和低 - ...
压力诱导的相变和相图是凝结物理学的长期主题。在上十年中报道了许多有趣的行为，例如高压条件下的高TC超导性，但是在正确的P-T条件下没有对负责任的结构进行很好的研究，并且机制远离完全理解的机制。在本演讲中，将在环境温度和低温条件下使用同步加速器X射线衍射（XRD）技术在高压下进行原位研究。选定的病例，包括金属氢化物和氧化物（LA-NI-O和BA-K-BI-O系统），将根据最近的XRD结果和第一个原理计算以及低温和高压域的更新相图讨论。
背侧流和腹侧流之间及内部白质束的发育
摘要 几十年来，多个科学领域一直在讨论腹侧和背侧视觉流之间的相互作用程度。最近，由于自动化和可重复方法的进步，研究直接连接与背侧和腹侧流相关的皮质区域的几种白质束已成为可能。这组束（此处称为后垂直通路 (PVP)）的发育轨迹尚未描述。我们提出了一种输入驱动的白质发育模型，并通过关注 PVP 的发育为该模型提供证据。我们使用可重复的云计算方法和成人和儿童（5-8 岁）的扩散成像来比较 PVP 的发育与腹侧和背侧通路内的束的发育。PVP 微结构比背侧流微结构更像成人，但比腹侧流微结构更不像成人。此外，PVP 微结构与腹侧流的微结构比背侧流的微结构更相似，并且可以通过儿童在感知任务中的表现来预测。总体而言，结果表明 PVP 在背侧视觉流的发展中发挥了潜在作用，这可能与其在学习过程中促进腹侧流和背侧流之间相互作用的能力有关。我们的结果与提出的模型一致，表明主要白质通路的微结构发展至少在一定程度上与视觉系统内感觉信息的传播有关。
背侧流和腹侧流之间及内部白质束的发育
摘要 几十年来，多个科学领域一直在讨论腹侧和背侧视觉流之间的相互作用程度。最近，由于自动化和可重复方法的进步，研究与背侧和腹侧流相关的皮质区域直接连接的几种白质束已成为可能。这组束（此处称为后垂直通路 (PVP)）的发育轨迹尚未描述。我们提出了一种输入驱动的白质发育模型，并通过关注 PVP 的发育为该模型提供证据。我们使用可重复的云计算方法和成人和儿童（5-8 岁）的扩散成像来比较 PVP 的发育与腹侧和背侧通路内的束的发育。PVP 微结构比背侧流微结构更像成人，但比腹侧流微结构更不像成人。此外，PVP 微结构与腹侧流的微结构比背侧流的微结构更相似，并且可以通过儿童在感知任务中的表现来预测。总体而言，结果表明 PVP 在背侧视觉流的发展中发挥了潜在作用，这可能与其在学习过程中促进腹侧流和背侧流之间相互作用的能力有关。我们的结果与提出的模型一致，表明主要白质通路的微结构发展至少在一定程度上与视觉系统内感觉信息的传播有关。
DRV8705-Q1汽车H桥智能门驱动器具有低侧电流感官放大器数据表（Rev. b）
•AEC-Q100有资格用于汽车应用的资格： - 温度1级：–40°C至 +125°C，T A•功能安全性能 - 可用于辅助功能安全系统设计的文档•H-Bridge Smart Gate驱动程序 - 4.9V至37V至37V（40V ABS。max) operating range – Doubler charge pump for 100% PWM – Half-bridge and H-bridge control modes • Pin to pin gate driver variants – DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier – DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control – 0.5mA to 62mA peak source current output – 0.5mA to 62mA peak sink current output – Integrated dead-time handshaking • Low-side current shunt amplifier – Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80V/V) – Integrated feedback resistors – Adjustable PWM blanking scheme • Multiple interface options available – SPI: Detailed configuration and diagnostics – H/W: Simplified control and less MCU pins • Spread spectrum clocking for EMI reduction • Compact VQFN package with wettable flanks •综合保护功能 - 专用驱动器禁用引脚（DRVOFF） - 供应和调节器电压监视器 - MOSFET V DS过电流监视器 - MOSFET V GS GATE故障监视器 - 电荷泵逆极性MOSFET - 离线打开负载和短路负载和短路诊断 - 设备热警告和关闭警告和关闭状态 - 故障警告 - 故障销钉（nforts Intrump PIN）
2023 需求侧管理与效益...
1. 执行摘要——提供 2023 年需求侧管理和有益电气化计划整体战略方向的高层概述；提供计划和产品级预测和预算；按成本类别确定预算；并解决客户参与问题。 2. 计划和产品摘要——每个计划领域的高层摘要，后跟每个产品的具体信息。 3. 成本效益分析——提供公司 2023 年需求侧管理和有益电气化产品的电力和天然气组合和计划成本效益分析结果。 4. 附录——列出首字母缩略词列表；关键术语；产品排名；预算类别描述；避免的成本；天然气需求侧管理 $/Therm 和损失收入确认方法；电力负荷形状文档；以及技术参考手册（视同节省和预测技术假设）。