摘要 - 我们介绍了新的INGAAS/INP单光雪崩二极管(SPAD)的设计和实验性 - 具有两个不同直径的二极管:i)10 µm设备,适用于基于光学的量子量子应用; ii)一个25 µm的一个,更适合自由空间应用。与上一代相比,我们改进了双锌扩散的设计并优化了层结构。我们在225 K和5 V多余的偏置下分别达到了低黑暗计数率,分别为10 µm和25 µM设备,在10 µM检测器时,分别在175 K时下降到每秒几十秒。在5 V多余的偏置和225 K温度下,这两个设备还显示出较高的光子检测效率(1064 nm时为33%,在1310 nm处为31%,在10 µM Spad中为1550 nm时25%)。通过自定义读数集成电路测量了后泵,实现了非常低的概率值。时机抖动与上一代设备相媲美。
当需要一个低噪声 ,超 稳定 , 高分辨率的偏置电 压时 , DC205 是您正确的选择 。 它的双极四象限 输出可提供具微伏分辨率的高达 100 伏电压。其 电流可达 50 mA 。在 4 线模式下 ( 远程感测 ), 此仪器会校正引线电阻 , 从而为您的负载提供 准确的电势。 DC205 在 24 小时内的输出稳定性 为出色的 ±1 ppm 。 采用线性电源 , 用户完全无 需担心高频噪声。
• 低交叉敏感性:(推荐的标准测量模式)在此测量模式下,湿度、温度、压力和氧气对 CO 2 测量的影响显著降低。因此,在大多数情况下建议使用低交叉敏感性模式。它提供高达 7Hz 的采样频率,对气体变化的物理响应时间与低噪声模式相同。• 低噪声:低噪声测量模式的优势在于采样率稍快(10Hz)且测量噪声较低,但对湿度、温度、压力和氧气表现出明显的交叉敏感性,因此不推荐用于大多数用例。此模式的通信接口与前代传感器 STC31(NRND Mai 2024)保持相同,以实现向后兼容。无论测量模式如何,都需要将压力、湿度(和温度)作为输入提供给 STC31-C,以实现指定的浓度测量精度。
复杂的编码方案,例如正交相移键合和正交振幅调制,由于其较高的频谱效率而被广泛用于宽带无线通信系统中[1,2,3,4]。在这些方案中,正交混合器是向下转换接收到的信号(i)和正交相(q)中间频率(if)信号的关键元素。使用半导体设备[5,6,7,7,8,9]制造此类接收器电路,预计当载体频率较高时,例如在Terahertz(THZ)波范围内,由于在半导体底物上制造的平面波导在thz-Wave范围内变得相当损失和分配。一个基于半导体的设备还需要接线或翻转芯片键[6,13],通常用石英底物制造的波导耦合器,这些连接可能会导致反射和/或损失高频
摘要 — 本文提出了一种基于宽带隙 RF 技术设计低噪声放大器的原创方法。这些 LNA 能够承受高电磁信号(如电子战中使用的信号),同时提供高探测率。该研究介绍了基于相同策略的单级 LNA 和两级 LNA 的原始设计程序。这些自重构 LNA 可以从高探测率模式(低 NF)切换到高线性模式(高输入压缩模式 IP 1dB )。该设计策略与稳健的 LNA 设计进行了比较,后者使用更大的晶体管尺寸来提高线性度,但代价是 NF 略有下降。在放大器输入端,RF 步进应力结果已达到 30 dBm,没有任何破坏,并提供稳定的 S 参数和噪声系数。
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来,GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构,例如 HEMT 和 HJBT。此外,GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能,可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET,它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步,如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化,这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后,还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
信号发生器是一种用途广泛的重要电子测试仪器,可用于蜂窝通信、雷达系统、微带天线和电子实验室等各个领域。本研究重点是模拟和设计工作频率范围为 35 MHz 至 3 GHz 的低相位噪声信号发生器。为此,使用 Arduino 板上的 Atmega 328P 微控制器来控制基于锁相环 (PLL) 概念的合成器。评估了信号发生器的性能,特别强调预测和分析 PLL 组件产生的相位噪声。为确保系统稳健,设计了三阶环路滤波器以有效抑制杂散。通过使用 ADIsimPLL 仿真工具进行仿真,获得了环路带宽 (10 kHz) 和相位裕度 (45°) 的最佳值。为此实现所选的锁相环芯片是 ADI 公司生产的 ADF4351。通过进行瞬态分析,确定了 PLL 系统从最小输出频率过渡到最大输出频率所需的时间。此外,使用阴极射线示波器研究了 35-100 MHz 频率范围内的发生器信号特性,并使用频谱分析仪研究了 101-3000 MHz 频率范围内的发生器信号特性。计算了不同频率(35 MHz、387 MHz、1 GHz、2 GHz 和 2.9 GHz)下的相位噪声水平,并在不同的偏移量(1 kHz、10 kHz、100 kHz 和 1 MHz)下进行了分析。相比之下,实验结果表明相位噪声水平高于通过模拟获得的结果。值得注意的是,随着输出频率的增加,相位噪声也相应增加。