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World File Search System低噪声
集成双向放大器 - 海能达欧洲
卓越的射频性能，高效率 高增益、低噪声系数 全双工模式，Tetra 网络 工作频率可定制 采用 PLL 和 ALC 技术，高稳定性和可靠性 先进的软件无线电技术 卓越的数字中频信号处理技术 易于安装、操作和维护 灵活适用于任何环境且成本低廉
Gibbs三重连接过剩测定的方法专用于四销噪声噪声测量的低噪声和准理论直流电流源
已符合其他经典技术，例如电容 - 电压或深度瞬态光谱测量值，低频噪声测量是研究材料或设备质量和性能的最敏感工具之一[1]。例如，噪声测量值允许对传感器应用[2]或对半导体设备的深层光谱进行比较[3]，并确定某些技术步骤或技术对设备性能降解的影响[4-7]。尽管有所有这些优点，但该技术的一个局限性很难删除所有外部低频噪声源，以确保所测量的噪声仅来自测试的设备或材料。在材料表征的情况下，众所周知，四探针配置足以消除DC甚至白噪声测量中的接触贡献。由于电压或电流触点可能会造成噪声贡献，因此1/F噪声不是这种情况。
IISW2025 第一次征文.pdf
图像传感器设计和性能 CMOS 成像仪、CCD 成像仪、SPAD 传感器 全新颠覆性架构 全局快门图像传感器 低噪声读出电路、ADC 设计 单光子灵敏度传感器 高帧率图像传感器 高动态范围传感器 低压低功耗成像仪 高图像质量；低噪声；高灵敏度 改善的色彩再现 具有特殊数字处理的非标准彩色模式 片上成像系统、片上图像处理 基于事件的图像传感器 像素和图像传感器器件物理学 新器件和像素结构 先进材料 超小型像素开发、测试和特性描述 新器件物理学和现象 电子倍增像素和成像仪 提高 QE、阱容量、减少串扰和改善角度响应的技术 前照式、背照式和堆叠像素及像素阵列 像素模拟：光学和电气模拟、2D 和 3D、设计和模拟 CAD、改进的模型
加速度计选择注意事项 - PCB Piezotronics
压电 (PE) 型加速度计 PE 型加速度计响应施加到其压电陶瓷或晶体传感元件上的机械应力，产生高阻抗静电荷输出。由于其高电荷灵敏度，压电陶瓷在电荷和电压模式加速度计中得到广泛应用。石英被公认为所有压电材料中最稳定的材料，也常用于通用 ICP ® 加速度计、校准传递标准以及 PE 压力和力传感器。电荷输出系统已经问世约 40 年。PE 加速度计通过低噪声电缆与高输入阻抗电荷放大器一起工作，该放大器将电荷信号转换为可用的低阻抗电压信号以供采集。电荷放大器提供信号阻抗转换、标准化和增益/范围调整。选项可能包括滤波、速度和/或位移积分以及输入时间常数的调整，这决定了低频响应。现代电荷放大器采用更有效的低噪声电路设计，并可能包含简化的 LCD 显示器和数字控制。一些“双模”型号可同时使用 PE 和 ICP ®
MIL-HDBK-217F - TQU GROUP
6： 分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 单结晶体管 ................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*.......................... 晶体管，大功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... ....... ....... .......
MIL-HDBK-217F
6：分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 晶体管，单结 ........................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*..........................晶体管，高功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ ...........0。 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
drix系列未拧干的表面车辆
提供出色的海务功能，包括在高海状态（> ss5）和交叉电流中，Exail USV配备了高级传感器和多冗余通信设备，从而实现了高质量的数据收集和实时传输。位于低噪声环境中的有效载荷提供了最佳的集体数据质量，为操作员提供了可靠的信息，以在各种海上应用中进行决策和分析。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
深入研究各种晶圆类型以实现射频最佳性能
高击穿电压：GaN器件可以处理高电压 高电子迁移率：GaN晶体管用于无线通信的功率放大器 高电子迁移率：GaAs表现出优异的电子传输特性，使其适用于高频应用 低噪声系数：基于GaAs的器件通常用于敏感RF接收器的低噪声放大器（LNA） 高功率处理能力：GaAs功率放大器在RF通信系统中普遍存在。