XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System低带隙
xps的椭圆法和能量损失光谱的杂交用于带隙和光学常数测定sion薄膜中的
Joao Resende，David Fuard，Delphine Le Cunff，Jean-Herve Tortai，Bernard Pelissier。Hy-hy-hy-Bridations和XPS的能量损失光谱用于带隙和光学常数测定sion薄膜中。材料化学与物理学，2020，259，pp.124000。10.1016/j.matchemphys.2020.124000。hal-03017737
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
由于其色心缺陷具有长自旋相干性和单光子发射特性，碳化硅成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射高效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射极特性并产生三角形器件。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为在碳化硅中开发高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，它们可用于高效收集和传播光发射模式选择。
利用亚带隙激发飞秒激光剥离技术生产独立 GaN 发光二极管芯片
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离，特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体（例如高反射表面），可以显著提高光电器件的性能。传统上，LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时，蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中，首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收，但与传统的 LLO 相比，超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后，我们开发了两步工艺方案，以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估，结果显示 LLO 前后的发射特性相似。
碳化硅和其他宽带隙材料
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
外部评估报告《低特征船舶技术研究》
・控制螺旋桨转速和测量容器内的流速，设定螺旋桨推力。保持螺旋桨推力恒定，从未发生空化的状态开始，逐渐降低测量室内部的静压，测量发生尖端涡流空化时的静压。 - 根据测量的静压和螺旋桨运行情况估算实际船速，并评估空化开始速度。
材料进展 - RSC 出版
在光催化应用方面，二维材料最近引起了人们的广泛关注。19,20此外，二维结构具有较大的表面积与体积比，可以创建额外的光催化反应位点，并且电荷载流子复合率低，导致其迁移到表面。21,22硅烯是一种二维六方晶格的单层硅结构，于2007年在理论上预测，并于2010年合成，23它拥有石墨烯的大部分优良电子特性。氢和硅烯的共价改性，称为硅烷（SiH），可以在布里渊区产生相当大的带隙，类似于石墨烯的带隙。24,25氢化消除了硅烯的导电性并产生了更稳定的结构，从而在可见光区域产生了较小的带隙，可用于光催化。多项研究表明，SiH具有合适的间接带隙和稳定的结构。 26 全氢化硅烯是一种良好的异质结复合材料，也已在实验和理论上进行了研究。27,28 由于高反应性的 Si-H 键可直接用作化学过程中的还原剂或反应物，因此它们特别受关注。29
mapbbr3的激发状态动力学：超快时时间的激发和自由载体的共存
摘要：甲基铵铅三纤维胺钙钛矿（Mapbbr 3）是重要的材料，例如，用于发光应用和串联太阳能电池。相关的光物理特性受激发态以激发态的复杂且相对较少理解的相互作用和自由电荷载体的相互作用而产生的许多现象。在这项研究中，我们在可见光和Terahertz范围内结合了瞬态光谱镜，以在各种光子能量和密度下激发时在超快时在超消极时段研究激发子和自由载体的存在。对于上述和谐振带隙激发，我们发现自由电荷和激发子共存，并且两者主要是在我们的50 - 100 fs实验时间分辨率中迅速生成的。然而，随着对谐振带隙激发的调子能量降低，激子与无电荷比增加。自由电荷签名主导了瞬时启动激发和低激发密度的瞬时吸收响应，从而掩盖了激发型特征。具有谐振带隙激发和低激发密度，我们发现尽管激发子密度增加，但仍保留自由电荷。我们表明，激子将其定位到浅陷阱和/或Urbach尾部状态中形成局部激子（在Picseconds的数十个内部），后来被逐渐降低。使用高激发密度，我们证明了多体相互作用变得明显，诸如苔藓 - 爆发的偏移，带隙重新归一化，兴奋能源排斥和Mahan激子的形成之类的作用显而易见。■简介在超快时间尺度上，我们在此处证明的激发型Mapbbr 3的激子和自由电荷的共存证实了材料对发光二极管和串联太阳能电池应用的高潜力。
缩回注意：用于高速THZ应用的光子带隙（PBG）结构的微带贴片天线的设计和分析
关注点，包括但不限于折衷的同行评审过程，不适当或无关紧要的参考文献，其中包含非标准短语或不在期刊范围内。根据调查的发现，出版商与主持人协商，因此不再对本文的结果和结论充满信心。