•清洁室环境中的纳米级装置制造•电子束光刻(EBL)和光刻图•低温传输测量•真空系统,薄膜沉积(热和电子束蒸发),•半导体材料/设备的电气表征(由I-V和C-V概率)(I-V和C-V概率)(I-V和CRAM)•SEMRANT和SERTARCER•SEMRASS(SEM),X,X,X,X,X,X,X,x,x,x,x,x,x,x,x,x,x,x,x,x,x,即使用空间电荷光谱(如DLTS)进行表征•使用能量离子修改材料性能•软件包:Labview,起源研究指南博士学位:2•基于离子辐照硅的当前运输的研究研究指导,基于离子辐射的Schottky屏障结构(2021)(2021)的Hemant Chaurasia•基于Nanowire的Hemant Chaurasia•NANOWIRE NOMBATIRE ELECTORITE ELLECERITE DED ELLELYTE DED ELLETRERN DED•2022222222222222221222222122222222年2月202位。进度:2
分层的过渡金属二分法(TMDS),不仅由多种化合物的组合,而且还具有丰富的晶体结构而爆发了许多可能性。探索新材料,确定其结构和特性一直是材料科学中的原始动机。在这里,我们报告了具有三层堆叠序列(3R)的稀有Tase 2的合成和附魔超导性。环境压力化学蒸气沉积(CVD)策略已用于实现纯3R-Tase 2。低温传输数据显示,在3R-Tase 2中,高超导过渡温度(T C)为1.6 K,这显着高于两层堆叠序列(2H,H:HEXAGONAL)相。结果表明,T C对层堆叠顺序相当敏感,并确认3R在Tase 2中的2H上强烈优选超导性。这项工作证明了一个独特的3R相平台研究超导性能的综合,并提供了有关操纵晶体结构的新见解,以访问超高t c。
在电磁干扰屏蔽、天线和电化学能存储与转换电极等应用中,MXene 薄膜需要具有高电导率。由于采用基于酸蚀的合成方法,因此很难分解化学成分和薄片尺寸等因素对电阻率的相对重要性。为了了解内在和外在因素对宏观电子传输特性的贡献,对 Ti y Nb 2- y CT x 系统中的固溶体进行了控制成分和结构参数的系统研究。特别是,我们研究了金属(M)位成分、薄片尺寸和 d 间距对宏观传输的不同作用。硬 x 射线光电子能谱和光谱椭圆偏振法揭示了 M 位合金化引起的电子结构变化。与光谱结果一致,低温和室温电导率以及有效载流子迁移率与 Ti 含量相关,而薄片尺寸和 d 间距的影响在低温传输中最为突出。该结果为设计和制造具有广泛电导率的 MXene 提供了指导。
原子级精确的石墨烯纳米带 (GNR) 因其可大幅改变的电子特性而日益受到关注,这些特性可通过在化学合成过程中控制其宽度和边缘结构来定制。近年来,GNR 特性在电子设备中的开发主要集中在将 GNR 集成到场效应晶体管 (FET) 几何形状中。然而,由于存在单栅极,此类 FET 器件的静电可调性有限。本文报道了将 9 个原子宽的扶手椅型石墨烯纳米带 (9-AGNR) 集成到由超窄手指栅极和两个侧栅极组成的多栅极 FET 几何形状中的设备。高分辨率电子束光刻 (EBL) 用于定义窄至 12 纳米的手指栅极,并将它们与石墨烯电极相结合以接触 GNR。低温传输光谱测量揭示了具有丰富库仑钻石图案的量子点 (QD) 行为,表明 GNR 形成的 QD 既串联又并联。此外,结果表明,附加栅极能够实现纳米结中 QD 的差分调谐,为实现基于 GNR 的多点系统的多栅极控制迈出了第一步。