Sara Iraci 等人在本文中,我们介绍了一种基于 NbxTi(1-x)N (NbTiN) 的超导双金属级 (2ML) BEOL 单元工艺,该工艺是在 imec 的 300 毫米试验线上使用半镶嵌流程和 193i 光刻技术开发的。该单元工艺的特点是直接金属蚀刻线的最小临界尺寸 (CD) 为 50 nm,浅平面化通孔的最小 CD 为 80 nm,沉积温度为 420 °C,与 CMOS BEOL 电介质兼容。50 nm NbTiN 线的归一化线电阻表明,95% 的器件符合预期电阻 800-1200 Ω/µm,与覆盖膜电阻率一致。低温测量表明,NbTiN 导线和通孔的临界温度为 12-13.5 K,临界电流密度为 80- 113mA/µm2。▪ 低电阻堆叠通孔金属化用于未来的互连,Marleen H. van
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在生物基聚酯或聚乙二醇作为生长控制剂的情况下,在温和条件下合成了导电配位聚合物 Ni(tto) 的纳米粒子。使用聚酯时,可以观察到粒子的聚集体,而使用聚乙二醇时则可以获得分散良好的纳米粒子。事实上,当 Ni 2+ /聚乙二醇的重量比为 0.031 时,透射电子显微照片证明分散粒子的尺寸在 3 - 10 nm 范围内。纳米粉末的红外光谱显示 1100 - 1190 cm −1 范围内有两种 CS 拉伸模式,证实了与镍中心配位的四硫代草酸酯配体的存在。在聚乙二醇存在下制备的纳米粉末的室温电导率约为 0.8 S∙cm −1 ,对于四硫代酯基聚合物来说这是一个不错的值。最后,对分散良好的 Ni(tto) 粒子进行磁化率测量,在较大的温度范围内证实了居里-外斯定律。此外,低温测量将证实 Ni(tto) 聚合物链内镍原子之间的链内或链间相互作用。关键词