摘要。摩擦学成分仅占整个航天器的一小部分,但它们通常会导致部分或完全破坏航天器的失败。空间应用中使用的机械组件必须承受极端和严重的环境条件,例如非常高或非常低的低温温度,高真空,腐蚀性元素和辐射。MOS 2是空间应用中使用最广泛的润滑材料。它具有层状结构,并在层内具有强大的共价键,同时又弱van der Wall的层间键,从而使晶体在平行于基础平面的方向上易于剪切,因此充当良好的固体润滑剂。在这项研究中,使用物理蒸气沉积(PVD)沉积了MOS 2的薄膜纳米尺度涂层。使用的PVD技术是RF磁控溅射过程。使用X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FESEM)和拉曼光谱进行材料表征。根据结果,开发的MOS 2纳米涂层具有多晶结构,其基础平面垂直于底物表面。
摘要:钻石中的颜色中心在量子技术中具有广泛的实用性,但它们的创造过程本质上仍然是随机的。确定性创建可以使用设备就绪的钻石平台中的颜色中心可以提高产量,可扩展性和集成。使用脉冲激发激发的最新工作在确定性地造成散装钻石的缺陷方面表现出了令人印象深刻的进步。在这里,我们将这种激光写入过程扩展到刻在钻石膜中的纳米光子设备中,包括纳米骨和光子谐振器,并在低温温度下以书写和随后的读数进行写作。我们证明了钻石纳米木中心的碳空位(GR1)和氮空位(NV)中心的光学驱动创建,并从中观察到增强的光致发光收集。我们还制造了靶标谐振器,并利用其腔模式来局部放大激光编写场,从而使用Picojoule Write-Pulse Energies产生缺陷,比在散装钻石演示中通常使用的脉冲能量低100倍。关键字:激光写作,钻石纳米光子学,颜色中心,空腔耦合,牛乳天线,纳米质
摘要:低温场效应晶体管(FET)为应用提供了巨大的潜力,最值得注意的例子是量子信息处理器的经典控制电子设备。对于后者,低功耗的片上FET至关重要。这需要在Millivolt范围内的操作电压,只有在具有超级阈值斜率的设备中才能实现。然而,在基于散装材料的常规低温金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 脱氧剂(MOS)FET中,由于疾病和MOS界面处的带电缺陷,实验上实现的逆下阈值倾斜在几个MV/DEC周围饱和。基于二维材料的FET提供了有希望的替代方案。在这里,我们表明,基于六角形硝化硼的Bernal堆叠的双层石墨烯和石墨门在0.1 K时表现出逆下阈值斜率,在0.1 K时表现出逆下阈值,接近250μV/dec,接近玻尔兹曼的限制。此结果表明在没有散装界面的范德华异质结构中对带尾的有效抑制,从而在低温温度下导致了卓越的装置性能。关键字:Bernal堆叠的双层石墨烯,带隙,子阈值坡度,疾病
发现Van der Waals(VDW)磁铁为冷凝物理物理和自旋技术打开了新的范式。但是,使用VDW铁磁磁铁的主动自旋设备的操作仅限于低温温度,从而抑制了其更广泛的实际应用。在这里,展示了使用石墨烯的异质结构中使用VDW行程的Ferromagnet Fe 5 Gete 2的侧向自旋阀设备的稳健室温操作。Fe 5 Gete 2的室温自旋特性在用石墨烯的界面上测量,具有负自旋偏振。横向自旋阀和自旋细分测量通过通过自旋动力学测量探测Fe 5 Gete 2 /Geate 2 /石墨烯界面旋转特性,从而提供了独特的见解,从而揭示了多方向自旋偏振。密度功能理论与蒙特卡洛模拟结合使用,在Fe 5 Gete 2中显示出明显的Fe磁矩,以及在Fe 5 Gete 2 / Graphene界面上存在负自旋极化。这些发现在环境温度下基于VDW界面设计和基于VDW-MAGNET的Spintronic设备的应用开放机会。
Hz范围[1-3]。这些可以保持极小,并以空间分辨率向下降至原子大小[4-7]。此传感器技术还可以非常准确地与低能和空间需求相结合[8]。NV中心也可以用于测量温度[9-12],电场[13],并且在量子计算的字段中也有应用[14,15]。使用NV中心的其他磁传感协议包括使用NV基态以自旋混合[16-18]或测量红外线的旋转混合的全光方法,并具有接近Shot-Noise Noise Limited敏感性[19]。由于它们是钻石中的固态系统,因此可以在室温下操作传感器。因此,由于不需要低温温度,因此结构可以保持不那么复杂。NV中心是钻石中的点缺陷。钻石晶体结构如图1 a所示。两个碳原子被氮原子(红色)和相邻空位代替。对于固体钻石中的NV中心的合奏,钻石四面体结构内的所有四个方向都是可能的(用黄色原子表示)。带负电荷的NV中心是一个自旋s = 1系统,带有旋转三重态处于基态基态(3 a 2)和激发态(3 e)(参见图1 b)基态的光激发是自旋的。m s = 0自旋状态引线中电子的衰减
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题,实际上,在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管(MOSFET)的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金(Wafers)在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值;晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化(BSM)厚度,膜沉积的溅射功率和晶片温度(即将低温条件引入过程中)来检查扭曲行为。结果表明,当前端制造过程完成后,BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时,诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此,可以调整溅射功率,以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字:经形,功率MOSFET,残余压力,背面金属化,溅射功率,低温温度
光力学晶体腔(OMCC)是广泛现象和应用的基本纳米结构。通常,此类OMCC中的光力相互作用仅限于单个光学模式和独特的机械模式。从这个意义上讲,消除单个模式约束(例如,通过添加更多的机械模式)应启用更复杂的物理现象,从而产生多模光学相互作用的背景。然而,仍然缺少一种以控制方式以多种机械模式产生多种机械模式的一般方法。在这项工作中,我们提出了一条途径,将多种GHz机械模式限制在与OMCC工程相似的光学耦合率(最高600 kHz)的相同光场的途径。本质上,我们在腔中心和镜像区域之间的绝热过渡中增加了单位细胞的数量(由圆形孔在其两侧的圆形孔中穿孔)。值得注意的是,我们的空腔中的机械模式位于完整的语音带隙内,这是在低温温度下实现超高机械Q因子的关键要求。使用标准的硅纳米技术在完整的语音带隙中的多模bevavior和实现的简单性使我们的OMCC对在经典和量子领域中的应用高度吸引人。
在介电绝缘的超导磁体中需要聚合物[1],以及浸渍由NB 3 SN等脆性导体制成的磁铁线圈[2]。在未来的粒子加速器中,例如未来的圆形对撞机(FCC)项目[3,4],磁体将暴露于日益高的辐射剂量。为例,HL-LHC [5]内三重线圈中的预测峰剂量为30 mgy [6]。环氧树脂是具有良好的介电和机械支撑物的热固性聚合物,这些聚合物通常用于磁铁的大管浸没,用于电动机和发电机的线圈绕组,以及作为纤维增压组合的基质材料。这种环氧树脂的辐射损伤已被广泛研究[7]。以前,我们已经描述了不同环氧树脂系统在环境空气中辐射期间潜在用于超导磁体的老化[8]。由于超导磁体中的聚合物在没有氧气的情况下在低温温度下被照射,因此在本研究中,我们研究了辐射温度和大气的影响。为此,我们在三种不同的环境中辐射了相同的环氧树脂:在20℃,在环境空气或惰性气体中,并浸入4.2 K的液态氦气中。为了评估衰老过程并确定衰老率,我们采用动态机械分析(DMA)。DMA存储和损耗模量演变揭示了交联和链分裂对玻璃过渡温度(T G)的竞争影响以及大分子交联之间的分子量。辐照环境,尤其是辐射温度,可能会大大影响辐射引起的环氧树脂衰老。
维修和维护PCB通过其对PCB出售的所有Platinum Stock产品的“终身保修Plus”保证,并通过其所有其他PCB股票,标准和特殊产品的有限保修。由于我们的传感器和相关仪器的复杂性,不建议进行现场维修和维修,如果尝试,将使工厂保修无效。除了适用的情况下,除了常规校准和更换电池外,我们的产品不需要用户维护。清洁电连接器,外壳和安装表面,其解决方案和技术不会损害建筑物的材料。在使用未密封的设备附近使用液体时要谨慎。此类设备只能用湿布擦拭 - 永不饱和或浸没。如果设备损坏或停止运行,我们的应用工程师将在这里支持您每周7天的每天24小时的故障排除工作。使用模型和序列号的致电或电子邮件,以及对问题的简要说明。校准常规校准传感器和相关仪器对于保持测量精度是必要的。我们建议在暴露于任何极端环境影响或进行任何批判性测试之前,每年进行校准。PCB Piezotronics是一家ISO-9001认证公司,其校准服务已获得A2LA为ISO/IEC 17025的认可,并通过N.I.S.T.完全可追溯SI。有关更多信息,请联系您当地的PCB压电分销商,销售代表或工厂客户服务代表。除了我们的标准校准服务外,我们还提供专门的测试,包括:升高或低温温度下的灵敏度,相位响应,延长的高频或低频响应,扩展范围,泄漏测试,静水压力测试等。
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