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World File Search System低热
添加剂低热量甜味剂及其对健康基础L. 1月1日，Ajaz Ahmad 1，Khalid M. Alkharfy 1 *，Mohammad Raish 2，Shahida Parvee
对含糖食品和饮料的健康影响的担忧导致了无糖替代品的消费量增加。人造甜味剂通常比糖多数百倍，被广泛用作替代品。尽管被认为是安全的，但它们对肠道菌群的影响，葡萄糖不耐症和甜味受体仍然存在争议。新兴证据表明，诸如三氯蔗糖，糖精和阿斯巴甜等人造甜味剂可能会破坏肠道菌群，从而减少多样性和平衡。这种破坏是通过粪便移植传播的，与葡萄糖不耐症有关，葡萄糖不耐症是代谢性疾病（例如胰岛素抵抗和肥胖）的危险因素。鉴于越来越多的证据将肠道微生物群与代谢健康相关，了解甜味剂对微生物组和整体身体稳态的影响至关重要。本评论强调了对甜味剂消费的健康影响的更多深入研究，以指导知情的饮食选择。rezumat
降低热泵运行成本的选项
与使我们的房屋和经济充气有关。所有能源用户都应看到移至零净的经济利益。但是，目前的电价高于化石天然气，部分原因是社会和环境税的不平衡，这些税收征收了电费。每单位的能源，征税成本的电力价格差不多8倍。英国在2023年的消费者电价是25名国际能源机构成员中第四高，价格高于俄罗斯入侵乌克兰之后，价格高于可比的欧洲国家。2英国的高电价可能会阻止家庭转向热泵 - 进一步令人沮丧的热量脱碳速率。他们还将不公平的成本放在用直接电气加热的房屋上，他们更有可能生活在燃料贫困中。现任政府已致力于发布公平性和负担能力，要求提供有关能源征税的选择，以帮助重新平衡电力和汽油价格并支持绿色选择。3行业和民间社会提出了几种选择，包括从所有电力账单中取消征税 - 结束了不公平的清洁电力税收负担。4英国能源零售市场的其他长期变化也可能有助于
高强度、低热导率取向大孔陶瓷的简易加工
单向取向结构在增强大孔材料性能方面表现出显著的效率，但难以以省时省钱的方式构建。本文利用一种简便的方法来制造取向大孔陶瓷材料，即采用天然石墨薄片作为易散性材料，并利用累积轧制技术优先使薄片在陶瓷基体内排列。在大孔氧化锆陶瓷中形成了分布均匀的片状至近椭圆形孔隙，通过控制石墨薄片的添加量可以调节其孔隙率和微观结构特征。所得材料表现出良好的性能组合，抗压强度高达 1.5 GPa 以上，超过了大多数其他具有类似孔隙率的多孔氧化锆陶瓷，同时热导率低至 0.92 – 1.85 Wm − 1 ⋅ K − 1 。这项研究为开发具有增强性能的新型定向大孔材料提供了一种简单的方法，并且可以通过轻松的大规模生产来促进其应用。
Zintl化合物Yb10MnSb9的热电性能及低热导率
最近发现的 Zintl 化合物 Yb 10 MnSb 9 是一种热电材料，在成分空间上与 Yb 14 MnSb 11 和 Yb 21 Mn 4 Sb 18 等高性能热电材料非常接近。我们在此测量并报告 Yb 10 MnSb 9 在高达 825K 下的电子和热传输数据。由于晶体结构复杂，这种材料具有超低的热导率。超低的晶格热导率加上比其他 Yb-Mn-Sb 化合物更高的塞贝克系数，导致在 825K 时具有约 0.34 的中等 zT，并且可能通过材料优化在更高的值处达到峰值。我们近似估计带隙约为 0.4 eV，并预计 zT 能够在 725K 时达到高达 0.33 的值（与该温度下的 Yb 14 MnSb 11 相当）使用热电品质因数分析。通过晶界工程提高品质因数 B，该 zT 有可能达到更高的值。这里我们为未来研究改进热电性能提供了建议。这项工作是首次报告这种 Yb 10 MnSb 9 化合物的热导率、带隙和 zT，我们通过与领先的 Yb 14 MnSb 11 材料的比较讨论了这种材料对未来热电研究的影响。
使用微观屏障/gan异质结构的低热预算无欧姆接触使用微图案俄亥俄州的凹槽
摘要：一种前微型图案的渗透过程，用于制造Ti/al/ti/ti/tin ohmic接触到超薄式级别（UTB）Algan/gan异质结构，其欧姆接触电阻率明显降低了0.56ω·Mm的欧欧米触点电阻率为0.56ω·Mm，在同步型柔和的550°MM处于550°C c。板电阻随着电源定律的温度而增加，指数为+2.58，而特定的接触电阻率随温度而降低。接触机制可以通过热场射击（TFE）很好地描述。提取的Schottky屏障高度和电子浓度为0.31 eV和5.52×10 18 cm -3，这表明欧姆金属与UTB-ALGAN以及GAN缓冲液之间的亲密接触。尽管需要深入研究，但揭示了欧姆的透射长度与微图案大小之间的良好相关性。使用拟议的无AU欧姆式融合技术制造了初步的CMOS-PROCOSS-PROCESS-COMPAT-IS-INBLE-METAL-MUNS-DEMENDORATOR-极性高动力晶体管（MIS-HEMT）。
低热阻（0.5 K/W）Ga2O3 肖特基整流器...
摘要 — Ga 2 O 3 的低热导率可以说是 Ga 2 O 3 功率和射频器件最严重的问题。尽管进行了许多模拟研究，但是还没有关于大面积封装 Ga 2 O 3 器件热阻的实验报告。这项工作通过展示 15-A 双面封装 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD) 并测量其在底部和结侧冷却配置下的结到外壳热阻 (R θ JC) 来填补这一空白。R θ JC 特性基于瞬态双界面法，即 JEDEC 51-14 标准。结冷和底部冷却的 Ga 2 O 3 SBD 的 R θ JC 分别为 0.5 K/W 和 1.43 K/W，前者的 R θ JC 低于同等额定值的商用 SiC SBD。这种低 R θ JC 归因于直接从肖特基结而不是通过 Ga 2 O 3 芯片进行散热。R θ JC 低于商用 SiC 器件，证明了 Ga 2 O 3 器件在高功率应用中的可行性，并表明了适当封装对其热管理的重要性。索引术语 — 超宽带隙、氧化镓、封装、肖特基势垒二极管、热阻。