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World File Search System低热
低热阻（0.5 K/W）Ga2O3 肖特基整流器...
摘要 — Ga 2 O 3 的低热导率可以说是 Ga 2 O 3 功率和射频器件最严重的问题。尽管进行了许多模拟研究，但是还没有关于大面积封装 Ga 2 O 3 器件热阻的实验报告。这项工作通过展示 15-A 双面封装 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD) 并测量其在底部和结侧冷却配置下的结到外壳热阻 (R θ JC) 来填补这一空白。R θ JC 特性基于瞬态双界面法，即 JEDEC 51-14 标准。结冷和底部冷却的 Ga 2 O 3 SBD 的 R θ JC 分别为 0.5 K/W 和 1.43 K/W，前者的 R θ JC 低于同等额定值的商用 SiC SBD。这种低 R θ JC 归因于直接从肖特基结而不是通过 Ga 2 O 3 芯片进行散热。R θ JC 低于商用 SiC 器件，证明了 Ga 2 O 3 器件在高功率应用中的可行性，并表明了适当封装对其热管理的重要性。索引术语 — 超宽带隙、氧化镓、封装、肖特基势垒二极管、热阻。
使用微观屏障/gan异质结构的低热预算无欧姆接触使用微图案俄亥俄州的凹槽
摘要：一种前微型图案的渗透过程，用于制造Ti/al/ti/ti/tin ohmic接触到超薄式级别（UTB）Algan/gan异质结构，其欧姆接触电阻率明显降低了0.56ω·Mm的欧欧米触点电阻率为0.56ω·Mm，在同步型柔和的550°MM处于550°C c。板电阻随着电源定律的温度而增加，指数为+2.58，而特定的接触电阻率随温度而降低。接触机制可以通过热场射击（TFE）很好地描述。提取的Schottky屏障高度和电子浓度为0.31 eV和5.52×10 18 cm -3，这表明欧姆金属与UTB-ALGAN以及GAN缓冲液之间的亲密接触。尽管需要深入研究，但揭示了欧姆的透射长度与微图案大小之间的良好相关性。使用拟议的无AU欧姆式融合技术制造了初步的CMOS-PROCOSS-PROCESS-COMPAT-IS-INBLE-METAL-MUNS-DEMENDORATOR-极性高动力晶体管（MIS-HEMT）。
Fujikura 2G HTS电线的最新状态
*1非铜稳定器规范仅在12毫米宽的当前铅或低热导电应用中可用。*2人造固定规范主要用于低温和高磁场的磁铁应用。*3 IC@20k，5t是参考值，不能保证实际性能。
适用于您的热处理工艺的石墨、碳绝缘材料和 CFC 复合材料解决方案
碳纤维碳复合材料 (CFC) 也称为碳纤维增强碳复合材料 (CFRC)，是一种由碳纤维和碳基体制成的先进材料。它结合了两种碳基体的理想特性。碳基体（耐热、耐化学性、低热膨胀系数、高热导率、低电阻）和碳纤维（高强度、高弹性模量）模制在一起，形成更好的组合材料。
引入藤库（Fujikura）基于高温...
*1非铜稳定器规范仅在12毫米宽的当前铅或低热导电应用中可用。*2非AP规范主要用于相对较高温度下的导体或其他一般用途。*3人造固定规范主要用于低温和高磁场的磁铁应用。*4 IC在20k，5t是参考值，不能保证实际性能。*5，如果需要，也可以使用一个选择铜厚度的选项。（例如5μm，10μm或40μm）
IEDO 跨部门技术 (CST) 子计划概述
关键项目主题： • 实现低碳加工设备和可与现有设施和工艺集成的组件技术的工业化。 • 推进能源系统和辅助控制及组件技术，例如废热回收、热电联产、传感器和控制、智能制造、热能存储。 • 开发下一代生产和加工技术，例如低热预算工艺。 • 减少水和废水处理产生的能源和排放。
相变材料 (PCM) 天花板砖
热质量是材料吸收、储存和释放热量的能力。砖或混凝土等热质量高的建筑材料更能抵抗温度波动。耐高温可减少机械系统的负荷、节省能源并提高居住者的舒适度。许多现代建筑都是用低热质量材料建造的，包括玻璃和钢材。增加热质量可减少能源使用和温室气体排放。
GeoFlexHeat Project factsheet.pages
GeoFlexHeat项目的灵感来自于更有效利用地热能来源的迫切需要。传统地热系统由于地热资源的温度相对较低而面临着诸如高前期成本和低热效率之类的巨大挑战。这些问题是由于社会抵抗和对其潜力的普遍意识而加剧了。GeoFlexHeat通过开发一种更有效，更灵活地利用地热热的系统来解决这些障碍。
