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World File Search System低电阻
高级通信项目 - ROSA P
ELF 是 30 Hz 至 300 Hz 的通信频段。传输在低电导率基岩区域进行。信号通过水平悬挂在岩层上方的正交天线广播，两端的接地端子为低电阻。电流流入岩石，由于介质的低电导率，信号从一个端子深入地球。这实际上产生了一个环形天线。信号辐射到大气中，在电离层和地球表面之间传播。信号穿透海洋表面并传播到很深的地方。显然，ELF 是一种与潜艇通信的有吸引力的传输机制。事实上，潜艇是 ELF 通信的主要用户。ELF 系统降低了我们潜艇部队的脆弱性，因为通信是在巡逻深度和速度下进行的。ELF 具有两个关键优势：
第 9 部分 电气设备 - 传单 9-1 接合和电路...
3.10.5 作为上述方法的替代，可以使用适当的毫欧表采用四端子电阻测量法（见图 1）。使用这种类型的仪器，测试电流（约 2 安培）由内部电池提供，并通过电缆 C1 和 C2 流过电阻。测量电阻两端的电压降（P1 和 P2），并将其与流动的电流进行比较。然后将结果值显示（通常以数字形式）在仪表上。测试引线可以是双尖峰形式（见图 2），或者与鳄鱼型测试引线结合使用时，可以是单尖峰形式。为了检查仪器是否正常工作，应将两个手尖放在低电阻导体上，使电位尖峰（P1 和 P2）紧密靠在一起（见图 3）。此测试的结果应为仪表上的零读数。
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3.10.5 作为上述方法的替代，可以使用适当的毫欧表采用四端子电阻测量法（见图 1）。使用这种类型的仪器，测试电流（约 2 安培）由内部电池提供，并通过电缆 C1 和 C2 流过电阻。测量电阻两端的电压降（P1 和 P2），并将其与流动的电流进行比较。然后将结果值显示（通常以数字形式）在仪表上。测试引线可以是双尖峰形式（见图 2），或者与鳄鱼型测试引线结合使用时，可以是单尖峰形式。为了检查仪器是否正常工作，应将两个手尖放在低电阻导体上，使电位尖峰（P1 和 P2）紧密靠在一起（见图 3）。此测试的结果应为仪表上的零读数。
Branson EV应用程序手册
转向电动和自动驾驶汽车为您的金属和塑料组装带来了一系列复杂的挑战。您需要与传感器，摄像头和高科技照明内外的低电阻连接连接复杂的组件。您需要用于容纳100多层铜箔的金属和大型直径电缆的组装解决方案，这些电缆将使电池充电更快。塑料加入挑战也在不断发展。您需要有效的解决方案，用于具有复杂几何形状和高级技术的大零件，可以在精致的电子产品和不同的塑料材料上执行完美的焊接。这是一个艰巨的挑战，尤其是当您认为焊接质量仍然至关重要时，需要通过数字可追溯过程数据进行确认。
Cu的铜金属膜的原子层沉积（... 激光能量输入和屏蔽气流对Zn Metal的激光粉床融合期间蒸发烟气的影响 从改善粮食安全的创新中删除政治 现实生活中的自我控制是在偏好决策过程中的顶活动预测的：大脑解码分析 使用可充电海水电池同时存储和海水脱盐：可行性和未来方向
铜金属由于其低电阻率和对电子的高电阻性而高度偏爱微电子的相互作用。[1]微电子设备中最小特征的尺寸计划到2022年达到3 nm限制，[2]设定了越来越严格的需求，以使该技术沉积该设备制造的连续低电阻式CUFILMS。原子层沉积（ALD）是一种基于相互脉冲前体的领先的气相薄膜技术 - 是微电子行业的理想选择，因为它固有地提供了高度的相结合薄膜，而不是复杂的几何形状和高光谱比率结构，并且可以使用高含量比率结构，并且可以覆盖厚度较高。[3] Challenge是为了找到行业，有效和可靠的ALD
第 9 部分 电气设备 - 传单 9-1 接合和电路...
3.10.5 作为上述方法的替代，可以使用适当的毫欧表采用四端子电阻测量法（见图 1）。使用这种类型的仪器，测试电流（约 2 安培）由内部电池提供，并通过电缆 C1 和 C2 流过电阻。测量电阻两端的电压降（P1 和 P2），并将其与流动的电流进行比较。然后将结果值显示（通常以数字形式）在仪表上。测试引线可以是双尖峰形式（见图 2），或者与鳄鱼型测试引线结合使用时，可以是单尖峰形式。为了检查仪器是否正常工作，应将两个手尖放在低电阻导体上，使电位尖峰（P1 和 P2）紧密靠在一起（见图 3）。此测试的结果应为仪表上的零读数。
Imec 参加 2024 年国际互连技术会议
Sara Iraci 等人在本文中，我们介绍了一种基于 NbxTi(1-x)N (NbTiN) 的超导双金属级 (2ML) BEOL 单元工艺，该工艺是在 imec 的 300 毫米试验线上使用半镶嵌流程和 193i 光刻技术开发的。该单元工艺的特点是直接金属蚀刻线的最小临界尺寸 (CD) 为 50 nm，浅平面化通孔的最小 CD 为 80 nm，沉积温度为 420 °C，与 CMOS BEOL 电介质兼容。50 nm NbTiN 线的归一化线电阻表明，95% 的器件符合预期电阻 800-1200 Ω/µm，与覆盖膜电阻率一致。低温测量表明，NbTiN 导线和通孔的临界温度为 12-13.5 K，临界电流密度为 80- 113mA/µm2。▪ 低电阻堆叠通孔金属化用于未来的互连，Marleen H. van
CP2101规格
CP2101是一种高效的单芯片，高级，灵活，符合QI的无线电源接收器，其目标是10W。它具有很高的集成，低功耗。CP2101接收器使用近场电磁感应原理的功率，功率传输是通过在发射器线圈（主要）和接收器线圈（次级）之间耦合的，从次级到主的全局反馈以使用QI V1.2.2.4协议来控制电源传递过程。CP2101集成了低电阻同步整流器（AC至DC），低丢弃调节器（LDO），准确的电压和电流循环，以提高高效率并降低功率耗散。CP2101还将MCU集成为控制器，该控制器符合QI标准，它可以计算移动设备接收到的功率量，然后控制器将此信息传达给发射器，以允许发射器确定是否存在磁性界面中的异物
玻璃上 14 μm 多晶硅效率达 15%
液相结晶硅 (LPC-Si) 是一种自下而上的太阳能电池制造方法，有可能避免晶圆切片技术中的材料损失和能源使用。本文使用线形能源（即激光）结晶所需厚度的硅（5 – 40 μ m）。第一部分报告了优化非晶硅接触层以实现更好的表面钝化的努力。第二部分介绍电子接触上的激光环。它通过创建低电阻接触实现电荷收集和填充因子 (FF) 之间的可控权衡，同时在其他区域保留 a-Si:H (i) 钝化。观察到短路电流密度 (J SC ) 高达 33:1 mA cm 2 ，超过了该技术之前报告的所有值。开路电压 (V OC ) 高达 658 mV，也超过了之前在低体掺杂浓度 (1 10 16 cm 3 ) 下公布的所有值。激光环将 J SC 降低了 0.6 mA cm 2