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半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
半导体制裁对俄罗斯的影响
安斯特雷姆公司总部位于白俄罗斯明斯克，但自苏联时期以来一直是俄罗斯国防工业基地的一部分。这些工厂中的大部分制造设备都来自西方。例如，2007 年，安斯特雷姆从美国芯片制造商超微半导体公司 (AMD) 购买了一条 130 纳米 (nm) 11 生产线。这笔交易由俄罗斯国有银行 VEB 资助，该银行经常支持对俄罗斯军事或外交政策重要的交易。12 这项 130 纳米制造技术是在 2001 年左右率先推出的，因此即使在购买时，它也远远落后于尖端技术，尽管它仍然可用于制造多种类型的军用芯片。与此同时，米克朗从欧洲芯片制造商意法半导体公司购买了制造技术，使其能够在 2011 年左右生产 90 纳米芯片。13
半导体制造网络安全联盟
目标 • 建立一套广泛的制造业网络安全方法，结合经验教训并拥抱开放式协作 • 开发和推广基于标准的半导体行业特定框架，以提高网络安全并加速为整个供应链实施可行的解决方案 • 结合汽车和医疗等行业的最佳实践，旨在实现工厂安全协议的现代化
靶向横纹肌肉瘤细胞的核苷的快速脂质体制剂
横纹肌肉瘤（RMS）是最常见的小儿软组织肉瘤。高危患者迫切需要更有效和毒性较小的疗法。肽引导的靶向药物输送可以增加封装药物的治疗指数并改善患者的福祉。要将此策略应用于RMS，我们在筛选肽与RMS细胞表面结合的肽中鉴定了肽F3。f3与核仁素结合，核酸素蛋白在RMS细胞的表面上，与健康组织相比，在RMS患者活检中，在mRNA水平上大量表达。，我们开发了F3装饰的pegypated Lipo躯体的快速微流体配方和化学治疗药物长春新碱的远程负载。的大小，表面电荷，药物负荷以及靶向脂质体的保留。增强的细胞结合和摄取。重要的是，对于RMS细胞系，带有长文克里斯丁蛋白的F3官能化脂质体的细胞毒性比非靶向脂质体高出11倍。这些结果策略表明，F3官能化的脂质体有望将有针对性的药物输送到RMS，并在体内进行进一步的保证。
布法罗 - 罗切斯特 - 桑嘴群区域技术中心的申请：纽约半导体制造和研究技术创新走廊（纽约SMA
在高性能计算和高级制造技术领域的交汇处，布法罗 - 罗切斯特 - 隔离学（BRS）走廊的位置可迅速解决美国半导体制造业的脆弱性。在纽约州北部的布法罗，罗切斯特和锡拉丘兹（与伊萨卡，伊萨卡，奥本和巴达维亚·米萨斯一起）在短短二十年内经历了重大转变，从持续的经济下降到不断增长索引系统。我们的联盟由来自公共部门，工业，高级，经济和劳动力发展以及劳动力的领导人组成，将建立纽约半导体制造和研究技术创新走廊（NY SMART I-Corridor）。ny Smart I-Corridor将建立在我们的制造实力的基础上，成为半导体制造业的全球领导者 - 重点是为服务不足的社区创造经济机会，鉴于半导体制造业背后的增长机会和强大的区域/国家动力，带来了巨大的福利。
从石油公司到美国计算机和半导体制造的溢出：污迹状态 - 行业区分和重述常规narrati
美国半导体和计算技术的历史强调了美国国家，尤其是军队的支持作用，以回答今天在硅谷有影响的自由主义者否认国家援助。在这种史学中有些隐含，是演员和组织的主要作用，这些角色和组织模糊了公共和私人之间的区别。这种行业的某些行业 - 电信，航空航天，汽车制造 - 确实在史学中数字，但应该进一步扩展该类。这样一个行业 - 石油 - 在美国的计算和半导体制造业的发展中非常有影响力。石油公司在半导体和计算机上进行了大量投资。从石油公司到计算和半导体制造的人员和技术也有“石油溢出”。石油出现在这些技术历史上的许多舞会个人和组织的传记中，从Fairchild半导体到Edsger Dijkstra。这些关系可能对急需的过渡到更可持续的能源制度具有重要意义。
半导体制造中使用的含 PFAS 湿化学品
在大多数湿法蚀刻、CMP、电镀和其他晶圆清洗操作中，晶圆上暴露于湿法化学处理步骤的区域是由光刻掩模操作定义的非常特殊的区域。因此，在评估湿法化学工艺的复杂性和挑战性时，必须考虑所制造集成电路特征的尺寸和几何复杂性。虽然半导体通常由直径一般为 200 毫米或 300 毫米、厚度约为 800 微米的晶体硅晶圆制成，但单个集成电路器件结构通常具有以纳米为单位的关键尺寸，因此属于分子尺度。器件特征（而非整个晶圆）的尺寸和材料复杂性对湿法化学处理提出了挑战。
表征由YVO4晶体制成的颗粒...
使用Lasemlation方法在激光脉冲频率和执行时间下从DE离子水和铵溶液中的YVO 4晶体和铵溶液中产生颗粒。流体中的激光消融产生相对较少的材料，因此本研究的目的是测试表征方法在这种情况下的可用性方面。然后使用表征方法的结果得出有关制造过程后粒子大小和结构的结论。被测试的方法是动态光扩展（DLS），框架光谱，X射线和扫描电子显微镜（SEM），具有整合的能量 - 感知X -Ray光谱（ED）。dls和SEM成功确定了颗粒的大小，该粒子的大小为100-1000 nm。这意味着创建了亚微米颗粒。拉曼光谱和EDS设法证明了化学结构在去离子水中的样品似乎相当不变。对于铵溶液中的样品，ED和框架谱的结果尚不清楚。X-射线差异对激光前景尝试中产生的少量材料没有结果。
半导体制造格局的变化
在数字时代，半导体器件已在几乎所有行业中无处不在，医疗保健领域也不例外。这些微电子技术使从磁共振成像 (MRI) 到胰岛素泵 ( 1 ) 等多种技术成为可能。患者使用移动传感器跟踪生命体征，临床医生通过计算机平台交换数据——如果没有半导体芯片（计算机内存和处理能力的基础），计算机平台将无法运行。事实上，50% 的医疗设备都使用半导体 ( 2 )。因此，现代医疗保健的持续成功取决于半导体行业的健康和盈利能力。在过去的半个世纪里，芯片制造业不断发展，一致性、吞吐量和效率都有了显著的提高。现代芯片制造的经济性使得能够大规模生产价格实惠的消费级和工业级计算设备 ( 3 )。然而，随着近年来政治和经济力量的变化，该行业经历了重大重组，威胁到当前的现状。