遗传因素在确定人身高方面起着至关重要的作用。矮小的身材通常会影响多个家庭成员,因此,家族性矮小的身材(FSS)代表了生长障碍的显着比例。传统上,FSS被认为是代表特发性短身材的子类别(ISS)的良性多基因条件。然而,遗传研究的进步表明,FSS也可以是单基因的,以常染色体显性方式遗传,并且可能是由不同的机制引起的,包括原发性板障碍,生长激素的发音/不敏感性或通过基本内细胞内途径的破坏。这些发现强调了较远的矮个地位形式的更广泛的表型光谱,这可能与ISS表现出轻度的表现。鉴于重叠的特征和在没有基因检测的情况下与单基因FSS区分多基因的难度,一些研究人员将其重新定义为描述性术语,该术语涵盖了任何家族性地位,无论其基本原因如何。这种转变强调了诊断和管理家庭内部矮小的身材的复杂性,反映了影响人类成长的各种遗传景观。
理解强自旋轨道耦合的窄带半导体中自旋极化载流子弛豫的基本散射过程,对于自旋电子学的未来应用至关重要。[1–8] 一个核心挑战是利用自旋轨道相互作用,在没有外部磁场的情况下实现高效的信息处理和存储。[6–12] 当表面或界面发生反转不对称时,或当自旋轨道相互作用存在于块体中时,可引起较大的拉什巴效应。[13–17] 结果,电子态的自旋简并度被提升,其自旋分裂变为 Δ E = 2 α R | k |,它一级线性依赖于动量| k |和拉什巴效应的强度,用所谓的拉什巴参数 α R 表示。 [18,19] 较大的 Rashba 效应被认为是实现增强自旋极化电流控制、[20,21] 高效自旋注入 [10,22] 和自旋电荷相互转换、[23–26] 较大自旋轨道扭矩、[5,27] 的关键。