XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System体积电阻
低能记忆应用的相变材料性能设计策略
为了降低数据写入的能量消耗，迫切需要开发新型存储材料。为了开发用于非挥发性存储器（如存储级存储器）的具有极低操作能量的新型相变材料 (PCM)，我们通过数值模拟对 PCM 的物理特性进行了贝叶斯优化。在该数值模拟中，同时求解了电势和温度分布。研究发现，具有低热导率、低熔化温度以及低接触电阻与体积电阻之比的 PCM 会导致基于 PCM 的存储器应用的操作能量较低。最后，我们开发了 PCM 的设计策略。应通过降低操作能量 E 来开发新型 PCM，描述为 E = j (1 + C ) DT / D z ，其中 j 是 PCM 的热导率，DT 是熔化温度，C 是接触电阻与体积电阻之比，D z 是 PCM 的厚度。本研究结果阐明了热性能和电性能之间的关系，从而降低了以前研究中隐藏的操作能量。根据设计策略，与传统的 Ge-Sb-Te 化合物相比，相变存储器应用中的操作能量可以降低到 1/100 以下。2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可证开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
CP23 II SEM EMS
B第1部分.0回答以下2*8 = 16 1.1命名用于电源变压器核心的特殊类型的钢类型1.2定义术语电阻率。1.3涡流是什么意思？1.4提及绝缘材料的特性？1.5解释术语 - 强制性和磁滞损失。1.6什么是介电偏振？1.7列出碳纳米管的应用1.8我们在哪里使用Megger？1.9什么是超导性？1.10命名一些可以用作导电材料的合金。2.0回答以下六个3*6 = 18 2.1状态至少三个标准，以选择变压器芯和电旋转机的材料。2.2什么是“居里点？它提供了什么信息？2.3定义：残余磁性和磁饱和度。2.4区分“ Ferri”和“ Ferro”磁性材料。2.5什么是R值？2.6什么是介电常数？它对介电材料有什么影响？2.7解释术语：体积电阻和表面电阻2.8解释霍尔效应3.0回答以下四个4*4 = 16 3.1您通过“磁性材料”一词了解什么。命名材料分配的类别。3.2什么是不同类型的绝缘材料？列出可能的固体绝缘材料。3.3光电二极管如何在反向偏置中起作用？3.4纳米技术在农业及其可持续性中的作用是什么？3.5 What is Piezo-electric effect?解释。3.6说明术语：照片发射细胞，照片导电细胞和照片伏特细胞。
材料
摘要：忆阻器件由于结构简单、集成度高、功耗低、运行速度快等特点，在存储器、逻辑、神经网络和传感应用中备受关注。特别是，由有源门控制的多端结构能够并行处理和操纵信息，这无疑将为神经形态系统提供新概念。通过这种方式，可以设计基于晶体管的突触器件，其中突触后膜中的突触权重被编码在源漏通道中，并由突触前终端（门）修改。在这项工作中，我们展示了强关联金属氧化物中可逆场诱导金属-绝缘体转变 (MIT) 的潜力，可用于设计坚固而灵活的多端忆阻晶体管类器件。我们研究了在 YBa 2 Cu 3 O 7 − δ 薄膜上图案化的不同结构，这些结构能够显示栅极可调的非挥发性体积 MIT，由系统内的场诱导氧扩散驱动。这些材料的关键优势是不仅可以在受限的细丝或界面中均匀调整氧扩散，就像在广泛探索的二元和复合氧化物中观察到的那样，而且可以在整个材料体积中均匀调整。与基于导电细丝的器件相比，关联氧化物的另一个重要优势是显著减少了循环间和器件间的差异。在这项工作中，我们展示了几种器件配置，其中漏极-源极通道（突触权重）之间的横向传导由主动栅极可调体积电阻变化有效控制，从而为设计稳健且灵活的基于晶体管的人工突触提供了基础。