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控制 - 碳足迹IM报告
是由温室气体引起的，这是我们时代最大的挑战之一欧盟（EU）遇到了欧洲绿色协议的问题，并努力将温室气体的净排放量减少到零，从而扩大气候中立。作为这一目标的一部分，新的欧洲公司可持续性报告指令（CSRD）首次进行可持续性报告，旨在为可持续行为引起愤怒。特殊的含义是温室气体Kohlendioxide（CO 2），因为它约为欧盟总温室气体排放的80％。因此，有必要创建有关CO 2排放的透明度。为了以有针对性的方式进行改进，透明度和仅仅是外部报告是不够的。从公司的角度来看，应考虑各种决定。投资决策不仅应该基于经济标准，还应包括对CO 2目标的影响。还表明，消费者越来越多地包括在购买决策中造成的CO 2排放中。尽管可持续性的重要性越来越重要，但控制的主题通常尚未得到充分考虑。在第一篇文章中，卡罗拉·巴斯蒂尼（Karola Bastini）和票价getzin研究了将气候绘图目标整合到薪酬系统中的先决条件。温暖的问候鉴于这些发展以及记录可持续性信息的持续复杂性，控制着新的挑战。因此，本版的重点是关于公司中的生态可持续性和CO 2信息，尤其是在控制方面的程度，并考虑了消费者如何接受此信息。您对DAX 40公司的薪酬系统进行定性检查显示实用的设计选择。鉴于CSRD的引入，许多公司首次有义务报告，Thorsten Knauer，Sandra Winkelmann和Jennifer Zeidler分析了Aktuell公司管理方面的可持续性方面在一项经验研究中被考虑到了多大程度上。讨论了可持续性策略，在控制讲师中的整合，控制和组织方面的整合。由于对CO 2信息的考虑不仅对公司，Bianca Beyer，Rico Chaskel，Simone Euler，Joachim Gassen，Ann-KristinGroßkopf和Thorsten Sellhorn Reactions在用户方面。在现场实验中，解决了CO 2的相关测量和随后的通信中的挑战。最后，汤姆·古比尼（Tom Gubbini）和詹妮弗·泽德勒（Jennifer Zeidler）再次采取了公司的观点，并研究了CO 2信息在报告中的不同表示的效果。很明显，演示文稿的演示可能已经产生积极影响。一般部分始于ChristianDürholt，Thorsten Knauer和ArneVoßmann的贡献，他们在并购决策过程和整体方法中呈现了偏见的经验结果。Stefan Litzki和Nina Topp提供了对Materna整体公司控制的见解。最后，ThomasGünther和XeniaBörner使用经验分析来提供有关建议在业务分析工具上进行投资的信息。该手册是通过控制对话来解决的，我们与弗雷斯尼乌斯董事会成员迈克尔·摩泽尔（Michael Moser）提出了可持续性战略和转型的主题。祝您阅读和2025年健康的阅读和健康的一年！
已发表论文的一些参考文献 - RockMass
地质学、工程地质学、岩石力学和岩石工程领域已发表论文的一些参考文献 1. Aagaard B.、Grøv E. 和 Blindheim OT (1997)：喷射混凝土作为不利岩石条件下岩石支护系统的一部分。国际岩石支护研讨会，地下结构应用解决方案。挪威利勒哈默尔。 2. Aagaard B. 和 Blindheim OT (1999)：挪威三条海底隧道穿越极差薄弱区。ITA 世界隧道大会 '99 论文集，奥斯陆，10 页。 3. Aasen O.、Ödegård H. 和 Palmström A. (2013)：阿尔巴尼亚加压引水隧道规划。挪威水电隧道 II。出版物编号。 22. 挪威隧道协会，2013 年，第 21-27 页。4. Abbiss CP（1979 年）：通过地震勘测和大型水箱试验对 Mundford 白垩的硬度进行了比较。Géotechnique，29，第 461-468 页。5. Abelo B. 和 Schlittler F.（1973 年）：为玻利维亚中央系统提供额外电力。Water Power，1973 年 4 月，第 121-128 页。6. Aglawe JP（1998 年）：高应力地面地下洞室周围的不稳定和剧烈破坏。加拿大金斯敦皇后大学采矿工程系博士论文。正在进行中。7. Aitcin PC、Ballivy G. 和 Parizeau R.（1984 年）：浓缩硅灰在灌浆中的应用。创新水泥灌浆，ACI 出版物 SP-83，1984 年，第 1-18 页。 8. Aksoy OC、Geniş M.、Aldaş UC、Özacar V.、Özer CS 和 Yılmaz Ö.（2012 年）：使用经验方法确定岩体变形模量的比较研究。工程地质学 131-132，19-28。 9. Aldrich MJ（1969 年）：孔隙压力对 Berea 砂岩受实验变形的影响。美国地质学会通报，第 80 卷，第 8 期，第 1577-1586 页。 10. Aleman，VP（1983 年）：悬臂式掘进机的切割率预测，隧道和隧道施工，第 23-25 页。 11. Alemdag S.、Gurocak Z. 和 Gokceoglu C. (2015)：一种基于简单回归的岩体变形模量估算方法。J. Afr. Earth Sci. 110，75–80。12. Alemdag S.、Gurocak Z.、Cevik A.、Cabalar AF 和 Gokceoğlu，C. (2016)：使用神经网络、模糊推理和遗传编程对分层沉积岩体的变形模量进行建模。工程地质学 203，70–82。13. Allen H. 和 Johnson AW (1936)：确定土壤膨胀特性的测试结果。公路研究委员会会议记录，美国 16，220。14. Almén KE.、Andersson JE.、Carlsson L.、Hansson K. 和 Larsson NA。 (1986)：结晶岩的水力测试。单孔测试方法的比较研究。SKB 技术报告 86-27。Svensk Kärnbränslehantering AB。15. Alonso E. 和 Berdugo IR (2005)：含硫酸盐粘土的膨胀行为。Proc. Int. Conf. Problematic Soils。法马古斯塔，2005 年。
elocta®（efmoroctocog alfa）粉末和溶剂用于注入
为英国和爱尔兰共和国开处方信息（PI），请在处方前请参阅产品特征摘要（SMPC）。Composition: Each vial contains respectively, nominally 250 IU, 500 IU, 750 IU, 1000 IU, 1500 IU, 2000 IU, 3000 IU and 4000 IU efmoroctocog alfa and approximately 83 IU/mL, 167 IU/mL, 250 IU/mL, 333 IU/mL, 500 IU/mL, 667重组后，IU/ML，1000 IU/ML和1333 IU/ML重组efmoroctocog Alfa。还含有每瓶0.6 mmol（或14 mg）的钠。指示：血友病患者（先天性因子VIII缺乏）患者的出血治疗和预防。elocta®可用于所有年龄段。剂量和给药：静脉用途。应在治疗血友病的医生的监督下开始治疗。重组因子VIII FC活性的一个IU等效于1毫升正常人血浆中的VIII量。elocta®应在几分钟内静脉注射。给药率应取决于患者的舒适度，不应超过10 ml/min的替代疗法的剂量和持续时间取决于VIII因子缺乏因素的严重程度，基于出血的位置和范围以及患者的临床状况。剂量指南：按需：重组因子VIII FC所需剂量的计算基于经验发现，即每公斤体重1 IU因子VIII VIII VIII VIII会使血浆VIII VIII活性提高2 IU/DL。用于治疗出血发作和手术时的Elocta®剂量，请参阅SMPC第4.2节。使用以下公式确定所需剂量：所需单位=体重（kg）×所需因子VIII上升（％）（IU/DL）×0.5（IU/kg per IU/dl）。要施用的金额和给药频率应始终定向在单个情况下的临床有效性。预防：对于长期预防，建议的剂量为每公斤体重VIII的50 IU，每公斤体重为3至5天。可以根据患者反应在25至65 IU/kg的范围内调整剂量（请咨询SMPC第5.1和5.2节）。在某些情况下，尤其是在年轻患者中，可能需要较短的剂量间隔或更高剂量。老年人：≥65岁的患者经验有限。小儿种群：对于12岁以下的儿童，可能需要更频繁或更高剂量。对于青少年（≥12岁），剂量建议与成人相同。有关重建的说明，请参阅SMPC第6.6节。禁忌症：对活性物质或任何赋形剂的过敏性。使用的特殊警告和预防措施：超敏反应：Elocta®可能会产生过敏性高敏反应。应告知患者过敏反应的迹象，并建议立即停止使用药物并与医生联系。在发生冲击的情况下，应实施标准的冲击医疗治疗。抑制剂：对因子VIII的中和抗体（抑制剂）的形成是嗜血杆菌患者管理的已知并发症。应通过适当的临床观察和实验室测试来仔细监测接受凝血因子VIII产品的患者的抑制剂。如果未达到预期因子VIII活性等离子体水平，或者不使用适当的剂量控制出血，则应对VIII抑制剂的存在进行测试。在抑制剂较高的患者中，VIII因子疗法可能不有效，应考虑其他治疗选择。心血管事件：在现有心血管危险因素的患者中，用VIII因子取代治疗可能会增加心血管风险。与导管相关的并发症：如果需要使用中央静脉通路装置（CVAD），则应考虑与CVAD相关并发症的风险，包括局部感染，菌血症和导管部位血栓形成。可追溯性：为了提高生物药产品的可追溯性，应清楚记录管理产品的名称和批次数。儿科人口：列出的警告和预防措施适用于成年人，儿童和青少年。赋形剂相关的考虑因素：Elocta®每个小瓶的含量少于1 mmol钠（23 mg），即基本上是“无钠”。相互作用：尚未报道人类凝血因子VIII（rDNA）与其他药物的相互作用。尚未进行相互作用研究。生育能力，怀孕和泌乳：基于女性血友病A的罕见发生，在怀孕和哺乳期间使用VIII的使用经验是不可用的。因此，仅在明确指示时，应在怀孕和母乳喂养期间使用VIII因子。不希望的效果：请咨询SMPC第4.8节，以获取不良效果的完整列表。Hypersensitivity or allergic reactions (which may include angioedema, burning and stinging at the infusion site, chills, flushing, generalised urticaria, headache, hives, hypotension, lethargy, nausea, restlessness, tachycardia, tightness of the chest, tingling, vomiting, wheezing) have been observed rarely and may in some cases progress to severe anaphylaxis （包括震惊）。中和抗体的开发（抑制剂）可能发生在接受VIII因子治疗的患者中，包括Elocta®。如果发生这种抑制剂，则该疾病将表现为临床反应不足。在这种情况下，建议联系专门的血友病中心。临床试验中报告的不良反应包括以下内容：
埃塞俄比亚面包烘焙商业计划书 pdf 下载 2017 2018
受保护的文件：支付 Br1200 付款方式电报频道链接：CBE birr 代码：*847#1#1*977684566#700# 仅限埃塞俄比亚居民个人账户电报：0977684566 账户 CBE：1000138514618 联系地址电子邮件：tahirkasim10@gmail.com 短信服务：+251923345749 可行性研究 2018：面包店项目可行性研究拟议地点：亚的斯亚贝巴市政府，阿拉达分城；Woreda-05；房屋编号 083 联系人：由 BIMAS Consulting Services PLC 编写执行摘要：好面包是营养、方便和奢华的罕见组合。拟议项目旨在利用现代生产技术生产高品质烘焙食品。随着人们对健康面包认识的不断提高，预计未来几年该产品的市场将快速增长。背景信息：项目发起人对市场进行了研究，并得出结论，预期业务是一项有吸引力的投资。计划的生产能力将最初基于两班制，第一、第二、第三和第四至第十年的产能利用率分别为 70%、80%、90% 和 100%。市场分析：尽管附近有成熟的竞争对手，但该项目将因其高品质的产品、专业化和手工制造而具有优势。主要的营销重点将放在社区包容性上，并拥有醒目的标志、店面飘出的新鲜面包的香味和定期的印刷广告。生产计划和技术分析：公司的目标是通过积极参与商业环境并为周边社区创造就业机会来创造收入。生产能力将最初基于两班制，每年的总生产能力如下……组织和管理：公司将建立运营并探索制作外卖和向当地餐馆和专业零售商提供批发面包和烘焙食品的可能性。财务分析： 预计未来几年，所考虑产品的市场将快速增长。财务分析将全面概述项目的财务表现。 附件：[在此处插入附件] 第 2 页，以满足当地的高需求，并通过创造就业机会改善对当地社区的面包供应。 BEDILU KASSAHUN BAKERY 第 3 页 可行性研究 2018 关于项目融资，所需的总投资估计为 6,805,818 比尔，涵盖工作场所、机械、车辆和原材料等成本。其中，约 4,646,818 比尔将来自所有者权益贡献，而 2,159,818 比尔将通过外部银行贷款融资，还款期为 5 年，利率为 11.5%。财务分析显示，该业务将在整个运营期间产生正净利润。在头五年，预计利润分别为 179,214 比尔、2,696,982 比尔、3,114,754 比尔、3,510,292 比尔和 5,087,874 比尔。该项目还将产生正现金流，第一年净现金流入为 422,444.33 比尔，五年期间净现金流入为 28,702,779 比尔。此外，投资成本和损益表预测表明，该项目的初始投资将在三年内完全收回。计算出的税前和税后内部收益率 (IRR) 分别为 49% 和 32%，而按 11.5% 折现的净现值 (NPV) 为 4,185,223 比尔。最后，这项新技术的引入将对国家发展产生积极影响，创造就业机会，为发起人创造收入，促进社会经济发展，并以所得税的形式为政府创造收入。社会重视他的个性和品格，他从事酒店服务业已有十多年。他的新面包店项目旨在利用现代技术制作高品质的面包和糕点。它还希望通过创造就业机会和赚钱来帮助社区。他受过良好的酒店和商业管理教育，经验丰富。这家企业的主要目标是：生产优质食品，拥有可靠的产品来源，成为面包和糕点供应的领导者，为食品行业发展做出贡献，创造就业机会，并获得可持续收入。愿景是成为利润稳定的优质食品生产商之一。这将通过作为一家多元化企业提供良好的客户服务来实现。为了实现这一目标，他们将使用经验丰富的专业人士，公开交流，并奖励绩效。公司重视诚实、员工发展、团队合作、社会支持和社区发展。主要成功因素包括：获得低息信贷、有吸引力的投资政策、国家和平稳定、家庭收入增加、基础设施和分销网点充足、政府激励措施、训练有素的人员、多年的工作经验以及良好的商业信誉。拟议的业务需要总投资 6,805,818 埃及镑。预计股权出资为 990,675.94 埃及镑，其余金额将从银行租赁融资和机械进口等外部来源筹集。设想中的面包店将提供独特而优质的产品，包括酸面包、传统的埃塞俄比亚全麦面包和调味糕点。这些产品采用不需要添加酵母的酸面团方法制作，因此风味浓郁，保质期更长。该项目还将提供采用新鲜胡椒粉和干香料等奢华配料的特色面包。此外，面包店还将提供用啤酒酿造剩余的大麦制成的废谷物面包，以及用于传统埃塞俄比亚风味食品的白面包和小麦三明治面包。该产品每天提供两种款式，满足该地区目前尚未满足的高需求。市场分析强调了亚的斯亚贝巴的面包店面临的挑战，因为优质小麦面包短缺以及该行业的高固定成本要求。根据 CSA（2013/14）的一份报告，埃塞俄比亚有 217 家面包店，其中 57% 为独资企业，30% 为 PLC，5% 为股份公司。2007 年至 2016 年期间，该国平均每年消费 216,000 公吨面包。埃塞俄比亚的面包市场是一个重要的行业，年平均供应量为 1,375,380 吨，其中亚的斯亚贝巴占总供应量的 64% 左右。分析 2007 年至 2016 年的数据，显示总供应量和亚的斯亚贝巴的生产份额稳步增长。通过对埃塞俄比亚面包产品的总体需求分析，我们可以清楚地看出，了解影响市场力量的因素至关重要。面粉用于制作面包，其需求来自其主要最终用户的表现以及影响产品的其他一般因素。这些产品需求状况的关键决定因素包括国民经济表现、人口增长率和城市化。鉴于埃塞俄比亚在政府政策下的经济增长轨迹，过去 11 年平均年均 GDP 增长率为 10.9%，该国的面包市场预计将大幅增长。埃塞俄比亚的经济部门表现出令人印象深刻的增长率，在增长和转型计划实施期间（2011-2014 年），农业、工业和服务业分别经历了 6.6%、20.0% 和 10.7% 的年均增长率。2014 年 10.3% 的经济增长预计将对面包市场产生积极影响，推动各种经济活动的扩大。农业、工业和服务业分别对埃塞俄比亚的 GDP 贡献了 2.3%、2.7% 和 5.3%。下表显示了 2017/18 至 2020/21 年各子行业增加值占 GDP 的百分比。行业 年份 2017/18、2018/19、2019/20、2020/21 农业、狩猎和林业：44.6%、43.1%、42.0%、40.1% 种植业：30.9%、29.8%、29.4%、28.4% 畜牧业和狩猎：9.6%、9.3%、8.9%、8.3% 林业：4.1%、3.9%、3.7%、3.5% 渔业：0.0%、0.1%、0.1%、0.1% 采矿和采石：1.4%、1.5%、1.4%、1.3% 制造业：4.0%、4.1%、4.4%、4.4% 大型和中型制造业：2.6%、2.8%、3.1%、3.2% 小型规模和家庭手工业：1.0%、1.1%、1.1%、1.1% 电力和水利：4.0%、4.9%、6.1%、7.6% 建筑业：14.9%、15.4%、15.5%、16.1% 批发和零售贸易、酒店和餐馆：3.6%、3.6%、3.9%、4.5% 运输和通讯：4.2%、4.3%、4.5%、4.7% 金融中介：2.5%、2.9%、2.4%、2.6% 房地产、租赁和商业活动：9.3%、8.8%、8.4%、7.9% 公共管理和国防：5.4%、5.1%5.0%、4.7% 教育：2.3%、2.2%、2.2%、2.2% 卫生和社会工作：0.9%、0.9%、0.9%、0.9% 其他社区、社会和个人服务：2.3%、2.4%、2.6%、2.4% 有雇员的私人家庭：0.2%、0.3%、0.2%、0.2% 总计：100.7%、100.6%、100.6%、100.7% 数据来源：财政部 预计未来埃塞俄比亚经济的积极表现将持续，2016-2020 年期间年均增长率为 11%。根据政府的“增长和转型计划”，随着经济持续扩张，对所考虑产品的需求也有望增加。人口是商品和服务需求的主要驱动力。 1994年至2007年间，埃塞俄比亚人口年均增长率为2.6%，预计2030年将达到1.29亿。随着人口的增加，对商品和服务的需求也会很高。这反过来又会增加对住宅的需求，从而推动对相关产品的需求。城市化是影响商品和服务需求的另一个主要因素。埃塞俄比亚城市人口增长率预计每年增加4%，主要受农村向城市的迁移推动。下表显示了埃塞俄比亚主要城市地区的人口数量。亚的斯亚贝巴人口最多，为4,041,002人，其次是德雷达瓦387,000人，阿瓦萨328,875人。根据数据，亚的斯亚贝巴占总人口的65%，而德雷达瓦和阿瓦萨分别占8%和7%。另一方面，吉马的人口最少，只有 2%。人口数量的增长预计将增加该国对商品和服务的需求。推动面包市场需求的因素有几个，包括人口增加、家庭收入和生活方式的提高，以及商业和服务业、酒店供应商、大学、医院和其他商业机构的存在。我们的目标市场包括家庭、咖啡馆、酒店服务提供商、大学和医院。为了在市场上取得成功，我们将专注于产品质量、定价策略和分销渠道。产品质量对我们的成功至关重要，我们将努力提供满足客户期望的高质量产品。我们还将通过一致的品牌声明来发展品牌标识和形象。定价策略是另一个关键因素，我们将以实惠的价格为目标，同时持续监控竞争对手的价格。如有必要，我们将审查和调整价格，以确保产品在市场上保持竞争力。我们将使用各种分销渠道，包括直接销售给消费者、通过第三方批发商、零售商和代理商进行间接销售，以有效地覆盖我们的目标市场。为设想的烘焙项目选择最合适的分销渠道，建议在面包店的场地租用至少一家工厂直销店。这将使企业能够有效地接触目标市场。为了使产品对最终用户有吸引力，应采用贸易促销策略。拟建工厂将为批量购买产品的客户提供折扣和信贷服务。假设促销成本将占项目整个运营寿命期间年销售收入的 1%。面包店项目的生产计划包括将其置于战略位置，以便使用基本公用设施、运输原材料和成品到市场的基础设施。项目选定的地点是亚的斯亚贝巴市政府，阿拉达分局；Wor.-05，H.No. 083。设想的面包店项目计划在第一、第二、第三和第四年分别以 70%、80%、90% 和 100% 的产能开始生产。假设生产能力为每天 10,000 片面包，年总生产能力为 2,500 公吨。该项目还计划安装高质量的面包和糕点烘焙机，8 小时内可烘焙 5,000 片 250 克的面包。机器总成本为 82,733.00 美元，按现行汇率相当于 2,316,524.00 埃及镑。**采购原材料和公用设施**对于面包烘焙项目，所需的主要原材料是不同类型的面粉，可以从当地或国内市场采购。这些原材料的估算年成本在几个表格中提供。*表 4.5 显示了不同产能利用率下的小麦粉消耗量。*表 4.6 显示了不同水平的用水量。*表 4.7 显示了面包店使用的各种机器的用电量。 * 表 4.8 显示了盐、糖、酵母、油和发酵粉等辅助材料的消耗量。 **原材料成本** 这些原材料的成本是根据不同的产能利用率（70%、80%、90% 和 100%）估算的。表 4.9 列出了基本原材料的总成本，表 4.10 列出了辅助材料的总成本。 **公用设施要求和成本** 面包店需要电和水等公用设施，根据不同的产能利用率（70%、80%、90% 和 100%），这些设施的成本估计如表 4.11 所示。 **其他投资活动和成本** 该报告还估算了建筑施工或改建、办公设备和家具以及面包店项目所需的其他投资的成本。请注意，这个释义版本不是原文的准确翻译，而是要点的总结。此处给出文章文本行政级别员工的办公空间必须满足表 4.12 中列出的业务要求，其中包括财务详细信息。所需办公家具和设备清单如下：- 金属文件柜（4 个抽屉）：1 个 @ 5,500 ET - 带玻璃的木制架子：1 个 @ 4,500 ET - 带架子的柜台：3 个 @ 3,200 ET - 计算机及配件：4 个 @ 12,500 ET - 电脑桌：4 个 @ 1,800 ET - 文书桌：4 个 @ 2,500 ET - 文书椅：4 个 @ 2,300 ET - 管理椅：2 个 @ 3,500 ET - 管理桌：2 个 @ 4,200 ET - 急救箱（金属制，小型）：1 个 @ 950 ET - 带扶手的客椅，皮革：10 个 @ 2,100 ET - 打印机，LaserJet：1 个 @ 7,500 ET 办公空间的总成本为 140,850 ET。 **人员配备和薪酬** 该面包店共有四个部门 28 名员工。以下是每个部门的工资： * 总经理办公室：1 名总经理（9,500 美元/月）、1 名执行秘书（3,500 美元/月） * 生产和技术部：7 名员工（仓库保管员、生产领班、搅拌机操作员、机器操作员），总工资为每年 252,000 美元 * 采购和营销部：8 名员工（营销人员、销售人员、采购人员、联络人员），总工资为每年 258,000 美元 * 行政和财务部：11 名员工（行政和财务主管、人事官员、待命电工、会计/出纳员、司机、清洁工/看门人、保安），总工资为每年 346,200 美元 **总员工成本** 这家面包店的总员工成本为每年 1,012,200 美元。 **员工福利** 员工工资的 10% 将用于员工福利，总计每月 8,435 美元，每年 101,220 美元。**总计** 包括员工福利在内的总员工成本为每月 92,785 美元，每年 1,113,420 美元。 **财务分析假设** 对于面包店的财务分析，做出了以下假设：* 项目寿命：5 年* 维修和保养费用：总成本的 1.5%（车辆除外，为 3%）* 折旧率：+ 建筑物和相关土木工程：5%+ 机械设备：20%+ 车辆：20%+ 办公家具和设备：20%+ 预营业利息：20%* 营运资金要求：运营成本、原材料、水电费、工资、管理费用、销售费用、燃料、油、润滑剂、维修和保养、应收账款和应付账款的最低覆盖天数。* 折现率：项目年度 11.5%* 所得税率：税前收入的 35%* 资金来源：外部银行贷款和股权贡献。**财务预测**基于这些假设，财务分析将提供完整的财务预测，包括损益表、现金流量表和资产负债表。面包房项目的财务分析按年度进行，并取得了显著成果，下文将对此进行详细讨论。包括营运资金在内的项目总投资成本估计为 5,941,459 比尔。总固定投资成本的主要明细包括建筑改造工程 285,000 埃塞俄比亚比尔、机械设备 2,316,524 埃塞俄比亚比尔和车辆 2,000,000 埃塞俄比亚比尔。预期的面包店项目需要足够的资金来支付初始营运资金，以确保活动顺利进行。相关营运资金明细汇总显示，原材料成本为 1,041,000 埃塞俄比亚比尔，工资和福利为 278,355 埃塞俄比亚比尔，公用事业为 17,795 埃塞俄比亚比尔，燃料、石油和润滑油为 47,375 埃塞俄比亚比尔。公司的财务结构包括两个来源：发起人的股权贡献（216 万埃塞俄比亚比尔）和通过银行定期贷款从外部融资者获得的资金（465 万比尔）。该项目所需的总投资成本估计约为 681 万比尔。贷款偿还计划表明，银行贷款总额（包括利息，利率为 11.5%）将在五年内全额偿还。该项目预计在 2018 年 11 月底之前支付 4,646,000 比尔，并按季度等额分期偿还。预计公司的盈利能力将产生重大成果，详细说明将在后续章节中说明。预计该项目第一年将产生 179,214 比尔的净利润，第二年将增加到 2,696,982 比尔，第五年将达到 509 万比尔。净利润与股权之比和总投资回报率都很有吸引力，整个运营年度的现金流为正，到第五年末将产生 4310 万比尔。预计回报期为三年。重要的财务效率比率表明该项目流动性强，业绩良好。财务衡量结果显示： - 投资回收期为三年。 - 税后内部收益率 (IRR) 为 32%，税前为 49%。 - 以 11.5% 利率折现的净现值 (NPV) 为 4,185,223 比尔。该项目为 28 人创造了就业机会，并在五年内产生了约 786 万比尔的企业税和工资税。通过出口增值农产品，它还具有外汇节约效果。**营运资金摘要** 面包店第一年的营运资金需求估计为 1,463,444 比尔。其中包括以下成本： * 原材料：1,041,000 比尔 * 工资和福利：278,355 比尔 * 公用事业：17,795 比尔 * 燃料、机油和润滑剂：47,375 比尔 * 保险：18,212 比尔 * 维修和保养：60,707 比尔 * 其他一般费用：120,000 比尔 **投资摘要** 面包店的投资需求估计为： * 总固定投资：5,342,374 比尔（包括设备、家具和建筑装修） * 营运资金（原材料）：1,041,000 比尔 * 营运资金（管理和一般费用）：422,444 比尔 * 总初始投资：6,805,818 比尔 **预计损益表** 面包店预计前五年的收入为： * 第 1 年：4,628,350 比尔 * 第 2 年：7,875,000 比尔 * 第 3 年：8,859,375 比尔 * 第 4 年：9,843,750 比尔 * 第 5 年：12,686,560 比尔 预计前五年的支出为： * 工资和福利：1,947,379 比尔（第 5 年） * 公用事业：124,494 比尔（第 5 年） * 燃料、油和润滑剂：232,006 比尔（第 5 年） * 保险：89,189 比尔（第 5 年） * 维修和保养：比尔 297,296（第 5 年） * 其他一般费用：比尔 240,000（第 1 年） 预计前五年的毛利润为： * 第 1 年：比尔 2,754,550 * 第 2 年：比尔 6,806,983 * 第 3 年：比尔 7,658,124 * 第 4 年：比尔 8,509,265 * 第 5 年：比尔 11,218,626 **预计损益表** 面包店的预计损益表显示，未来五年利润稳步增长。第一年，公司预计净利润为 2,696,982 美元，而第二年，这一数字将上升到 3,114,754 美元。到第三年，净利润达到 5,400,449 美元，到第四年，超过 7,827,498 美元。**现金流量表** 现金流量表显示未来五年内总现金流入大幅增加，从 6,805,818 美元增加到 21,394,933 美元。该公司预计到第五年末累计现金流入将达到 43,097,107 美元。**资产负债表** 资产负债表显示未来五年内总资产稳步增加，从 6,805,818 美元增加到 12,109,338 美元。这是由于流动资产（如营运资金）和固定资产（如机械设备）的增加。 **关键统计数据** * 股本：2,159,818 美元 * 贷款本金：4,646,000 美元 * 净利润：5,087,874 美元（第四年） * 累计现金流入：43,097,107 美元（第五年末） 请注意，我试图保留文本的原始含义和结构，同时使用更简洁明了的语言。如果您希望我做任何进一步的调整，请告诉我！ 3,095,719 2,178,354 1,150,856 -负债合计 4,646,000 4,829,844 4,840,585 4,879,142 4,950,057 5,058,759 所有者权益投资资本 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 留存收益 170,253 2,562,133 2,959,016 3,334,777 4,833,480 资本描述 (197,113) (197,113) (197,113) (197,113) (197,113)法定储备金（5%）8,961 134,849 155,738 175,515 254,394所有者权益合计2,159,818 2,141,919 4,659,687 5,077,459 5,472,997 7,050,579负债及股东权益合计6,805,818 6,971,763 9,500,272 9,956,602 10,423,053 12,109,338* 工资和福利：1,947,379 比尔（第 5 年） * 公用事业：124,494 比尔（第 5 年） * 燃料、机油和润滑油：232,006 比尔（第 5 年） * 保险：89,189 比尔（第 5 年） * 维修和保养：297,296 比尔（第 5 年） * 其他一般费用：240,000 比尔（第 1 年） 预计前五年的毛利润为： * 第 1 年：2,754,550 比尔 * 第 2 年：6,806,983 比尔 * 第 3 年：7,658,124 比尔 * 第 4 年：8,509,265 比尔 * 第 5 年：11,218,626 比尔 **预计损益表** 面包店的预计收入报表显示，未来五年利润稳步增长。第一年，公司预计净利润为 2,696,982 美元，第二年，这一数字将上升到 3,114,754 美元。到第三年，净利润达到 5,400,449 美元，到第四年，超过 7,827,498 美元。**现金流量表** 现金流量表显示，未来五年总现金流入大幅增加，从 6,805,818 美元增加到 21,394,933 美元。该公司预计到第五年年底累计现金流入将达到 43,097,107 美元。**资产负债表** 资产负债表显示，未来五年总资产稳步增长，从 6,805,818 美元增加到 12,109,338 美元。这是由于流动资产（如营运资本）和固定资产（如机械设备）增加所致。**关键统计数据** * 股本：2,159,818 美元 * 贷款本金：4,646,000 美元 * 净利润：5,087,874 美元（第四年） * 累计现金流入：43,097,107 美元（第五年末）请注意，我试图在使用更简洁明了的语言的同时保留文本的原始含义和结构。如果您希望我进行任何进一步的调整，请告诉我！ 3,095,719 2,178,354 1,150,856 -负债合计 4,646,000 4,829,844 4,840,585 4,879,142 4,950,057 5,058,759 所有者权益投资资本 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 留存收益 170,253 2,562,133 2,959,016 3,334,777 4,833,480 资本描述 (197,113) (197,113) (197,113) (197,113) (197,113)法定储备金（5%）8,961 134,849 155,738 175,515 254,394所有者权益合计2,159,818 2,141,919 4,659,687 5,077,459 5,472,997 7,050,579负债及股东权益合计6,805,818 6,971,763 9,500,272 9,956,602 10,423,053 12,109,338* 工资和福利：1,947,379 比尔（第 5 年） * 公用事业：124,494 比尔（第 5 年） * 燃料、机油和润滑油：232,006 比尔（第 5 年） * 保险：89,189 比尔（第 5 年） * 维修和保养：297,296 比尔（第 5 年） * 其他一般费用：240,000 比尔（第 1 年） 预计前五年的毛利润为： * 第 1 年：2,754,550 比尔 * 第 2 年：6,806,983 比尔 * 第 3 年：7,658,124 比尔 * 第 4 年：8,509,265 比尔 * 第 5 年：11,218,626 比尔 **预计损益表** 面包店的预计收入报表显示，未来五年利润稳步增长。第一年，公司预计净利润为 2,696,982 美元，第二年则升至 3,114,754 美元。第三年，净利润达到 5,400,449 美元，第四年则超过 7,827,498 美元。**现金流量表** 现金流量表显示，未来五年总现金流入大幅增加，从 6,805,818 美元增至 21,394,933 美元。公司预计到第五年年底累计现金流入将达到 43,097,107 美元。**资产负债表** 资产负债表显示，未来五年总资产稳步增长，从 6,805,818 美元增至 12,109,338 美元。这是由于流动资产（如营运资本）和固定资产（如机械设备）增加所致。**关键统计数据** * 股本：2,159,818 美元 * 贷款本金：4,646,000 美元 * 净利润：5,087,874 美元（第四年） * 累计现金流入：43,097,107 美元（第五年末）请注意，我试图在使用更简洁明了的语言的同时保留文本的原始含义和结构。如果您希望我进行任何进一步的调整，请告诉我！ 3,095,719 2,178,354 1,150,856 -负债合计 4,646,000 4,829,844 4,840,585 4,879,142 4,950,057 5,058,759 所有者权益投资资本 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 留存收益 170,253 2,562,133 2,959,016 3,334,777 4,833,480 资本描述 (197,113) (197,113) (197,113) (197,113) (197,113)法定储备金（5%）8,961 134,849 155,738 175,515 254,394所有者权益合计2,159,818 2,141,919 4,659,687 5,077,459 5,472,997 7,050,579负债及股东权益合计6,805,818 6,971,763 9,500,272 9,956,602 10,423,053 12,109,338到第四年，这一数字就超过了 7,827,498 美元。**现金流量表** 现金流量表显示，未来五年内总现金流入大幅增加，从 6,805,818 美元增加到 21,394,933 美元。公司预计到第五年末累计现金流入将达到 43,097,107 美元。**资产负债表** 资产负债表显示，未来五年内总资产稳步增加，从 6,805,818 美元增加到 12,109,338 美元。这是由于流动资产（如营运资金）和固定资产（如机械设备）的增加。 **关键统计数据** * 股本：2,159,818 美元 * 贷款本金：4,646,000 美元 * 净利润：5,087,874 美元（第四年） * 累计现金流入：43,097,107 美元（第五年末） 请注意，我试图保留文本的原始含义和结构，同时使用更简洁明了的语言。如果您希望我做任何进一步的调整，请告诉我！ 3,095,719 2,178,354 1,150,856 -负债合计 4,646,000 4,829,844 4,840,585 4,879,142 4,950,057 5,058,759 所有者权益投资资本 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 留存收益 170,253 2,562,133 2,959,016 3,334,777 4,833,480 资本描述 (197,113) (197,113) (197,113) (197,113) (197,113)法定储备金（5%）8,961 134,849 155,738 175,515 254,394所有者权益合计2,159,818 2,141,919 4,659,687 5,077,459 5,472,997 7,050,579负债及股东权益合计6,805,818 6,971,763 9,500,272 9,956,602 10,423,053 12,109,338到第四年，这一数字就超过了 7,827,498 美元。**现金流量表** 现金流量表显示，未来五年内总现金流入大幅增加，从 6,805,818 美元增加到 21,394,933 美元。公司预计到第五年末累计现金流入将达到 43,097,107 美元。**资产负债表** 资产负债表显示，未来五年内总资产稳步增加，从 6,805,818 美元增加到 12,109,338 美元。这是由于流动资产（如营运资金）和固定资产（如机械设备）的增加。 **关键统计数据** * 股本：2,159,818 美元 * 贷款本金：4,646,000 美元 * 净利润：5,087,874 美元（第四年） * 累计现金流入：43,097,107 美元（第五年末） 请注意，我试图保留文本的原始含义和结构，同时使用更简洁明了的语言。如果您希望我做任何进一步的调整，请告诉我！ 3,095,719 2,178,354 1,150,856 -负债合计 4,646,000 4,829,844 4,840,585 4,879,142 4,950,057 5,058,759 所有者权益投资资本 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 2,159,818 留存收益 170,253 2,562,133 2,959,016 3,334,777 4,833,480 资本描述 (197,113) (197,113) (197,113) (197,113) (197,113)法定储备金（5%）8,961 134,849 155,738 175,515 254,394所有者权益合计2,159,818 2,141,919 4,659,687 5,077,459 5,472,997 7,050,579负债及股东权益合计6,805,818 6,971,763 9,500,272 9,956,602 10,423,053 12,109,338
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US