要保护加密实现免受侧通道漏洞的影响,开发人员必须采用恒定的时间编程实践。由于这些可能是错误的,因此已经提出了许多侧通道检测工具。尽管如此,此类漏洞仍在加密库中手动发现。虽然Jancar等人最近的一篇论文。表明,开发人员很少执行侧道通道检测,目前尚不清楚现有的检测工具是否首先会发现这些漏洞。为了回答这个问题,我们调查了文献,以建立34个侧通道检测框架的分类。我们提供的分类比较了多个标准,包括所使用的方法,分析的可扩展性或所考虑的威胁模型。然后,我们在选择了5种有前途的检测工具的选择上建立了代表性Cryp-Graphic操作的统一共同基准。此基准测试使我们能够更好地比较每个工具的功能及其分析的可扩展性。此外,我们还提供了最近发布的侧通道漏洞的分类。然后,我们在基准上测试每个漏洞子集以及它们出现的上下文的每个选定工具。我们发现,由于各种原因,现有的工具可能难以找到脆弱性,主要是缺乏对SIMD指示,隐性流和内部秘密生成的支持。根据我们的发现,我们为研究社区和密码图书馆开发人员开发了一系列建议,其目标是提高侧通道检测工具的有效性。
要保护加密实现免受侧通道漏洞的影响,开发人员必须采用恒定的时间编程实践。由于这些可能是错误的,因此已经提出了许多侧通道检测工具。尽管如此,此类漏洞仍在加密库中手动发现。虽然Jancar等人最近的一篇论文。表明,开发人员很少执行侧道通道检测,目前尚不清楚现有的检测工具是否首先会发现这些漏洞。为了回答这个问题,我们调查了文献,以建立34个侧通道检测框架的分类。我们提供的分类比较了多个标准,包括所使用的方法,分析的可扩展性或所考虑的威胁模型。然后,我们在选择了5种有前途的检测工具的选择上建立了代表性Cryp-Graphic操作的统一共同基准。此基准测试使我们能够更好地比较每个工具的功能及其分析的可扩展性。此外,我们还提供了最近发布的侧通道漏洞的分类。然后,我们在基准上测试每个漏洞子集以及它们出现的上下文的每个选定工具。我们发现,由于各种原因,现有的工具可能难以找到脆弱性,主要是缺乏对SIMD指示,隐性流和内部秘密生成的支持。根据我们的发现,我们为研究社区和密码图书馆开发人员开发了一系列建议,其目标是提高侧通道检测工具的有效性。
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性:(a) 50×50 μm 2 ,(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM,并评估了其特性。在本次创建的条件下,没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中,由于氧气的释放,灯丝没有断裂。比较电极尺寸,50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比,可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等,IEEE Transactions on Electron Devices,第 65 卷,第 8 期,第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya,基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产,名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等,ACS Appl. Mater. Interfaces,第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等,微电子可靠性。54,第 541-560 页 (2014)。
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中,发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ,复合陶瓷的硬度降低,断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外,两相间位错的产生, 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因,其在陶瓷断 裂前吸收能量,造成局部强化 [37–38] 。研究发现, 添加 20 mol% TiB 2 时,复合陶瓷的相对密度为 97.91% ,维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ,断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比,在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中,研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染,获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时,烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应,因此,原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度,同时,液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面, 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能,并加速了沿晶界
高温柔性聚合物电介质对于高密度能量存储和转换至关重要。同时拥有高带隙、介电常数和玻璃化转变温度的需求对新型电介质聚合物的设计提出了巨大的挑战。在这里,通过改变悬挂在双环主链聚合物上的芳香侧链的卤素取代基,获得了一类具有可调热稳定性的高温烯烃,所有烯烃均具有不折不扣的大带隙。聚氧杂环丙烷酰亚胺 (PONB) 对位或邻位侧链基团的卤素取代使其具有可调的高玻璃化转变温度(220 至 245°C),同时具有 625–800 MV/m 的高击穿强度。p-POClNB 在 200°C 时实现了 7.1 J/cc 的高能量密度,代表了均聚物中报告的最高能量密度。使用分子动力学模拟和超快红外光谱来探测与介电热性能相关的自由体积元素分布和链松弛。随着对位侧链基团从氟变为溴,自由体积元素增加;然而,由于空间位阻,当处于邻位时,相同侧链的自由体积元素较小。在介电常数和带隙保持稳定的情况下,正确设计 PONB 的侧链基团可提高其高密度电气化的热稳定性。
设计,优化和制造。数值技术,例如有限元分析,验收动力学,第一原理计算和多尺度建模,可以有效地预测机构属性并优化设计。与此同时,人工智能和大数据分析可以通过机器学习发现新材料和反向设计。智能手段与自适应控制系统相结合,实现了生产过程的自动化和实时优化,从而提高了制造效率和精度。尽管数据和计算成本不足,但随着技术的进步,材料科学却朝着更高的精度和自动化方向发展。
企划管理部 IoT应用推进部 社会基础设施解决方案本部 金融及企业解决方案本部 网络系统本部 防卫系统本部 IoT平台本部 系统中心 基础技术中心 信息通信本庄工厂 信息通信沼津工厂
3月23日,由Qiyuan Green Power,Shanghai Boonray Intellighent Technology Co.,Ltd。,Top Gear等共同开发的无人电池交换矿业卡车,并配备了由上海Boonray Intellray Intellighent Technology Co.,Ltd.,Ltd.,Ltd。目前,它已在South Cement的矿山中进行了方案终端申请测试。根据现场测试,“电牛”可以将二氧化碳的排放量减少至少260吨,从而节省至少20万卢比的劳动力成本。