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脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
化合物半导体光刻热点的形成机理及控制
关键词：光刻热点、GaAs 蚀刻、SiN 沉积、工艺集成 摘要 光刻技术能否持续对精细几何图形进行图案化，主要挑战之一是整个晶圆和加工场内的最佳焦点存在差异。晶圆图案化侧的这些差异通常是可以理解的，可以很好地表征，并且在选择和优化焦点设置时可以进行校正。然而，晶圆背面的意外和变化的畸形会影响曝光过程中的场平衡（由于基板高度差异而导致的焦点偏移）。这会导致存在污染的地方图案分辨率较差。这些缺陷通常被称为“热点”。在本研究中，研究并表征了一种具有可重复双重像差的故障模式。结果表明，由于一种由 Si x N y 沉积和 GaAs 湿法蚀刻组成的新型集成缺陷模式，形成了意想不到的背面台面。然后，这些台面在金属互连光刻过程中产生热点，导致产量损失 1% 或更多。本研究证明了检测、表征和最小化图案化畸变对于持续改进器件、提高产量和降低化合物半导体制造成本的重要性。引言光刻是半导体行业中不可或缺的技术，是蚀刻、沉积和离子注入的前身[1-4]。保持正确且一致的聚焦和剂量控制对于确保侧壁角度和特征尺寸以满足器件功能和可靠性需求至关重要[2]。因此，先进的光刻技术对于实现器件性能和提高半导体行业的芯片产量至关重要[5]。使用浸没式光刻、双重或多重图案化、分辨率增强技术等创新方法，可以在阿贝衍射极限的几分之一处对器件特征进行图案化[1,6-8]。除了实现更密集的图案化和更小的特征尺寸外，稳健的光刻部署还面临着许多实际挑战[5,9-11]。其中一个挑战是
断口分析方法适用于了解固体
从十八世纪开始，断口学就被广泛应用于研究金属材料断裂表面的宏观外观 [1]，而从十九世纪末开始，断口学又广泛应用于研究脆性材料，例如陶瓷和玻璃 [2]。然而，模拟技术只适用于固态材料 [3,4]。裂纹发生后的断口形貌信息可用于确定裂纹起始区。本文介绍了在对不合格芯片进行故障分析时获得的一些结果。图 1 所示的结果包括微尺度断口学特征，例如扭曲纹 (th)、速度纹 (vh)、瓦尔纳线 (w)、条纹 (s) 和停止线 (a) [5]。施加在芯片上的驱动力可以是直接的，也可以是间接的。当驱动力直接接触芯片时，它通常与裂纹起始区有关，例如从芯片侧壁分支的裂纹、机械分离晶圆的效应、超声波引线键合的键合焊盘上的凹坑效应或由于芯片放置不当导致的芯片边缘脱落。当驱动力与芯片间接接触时，在树脂去封装之前对封装进行宏观分析对于观察封装上的划痕或压痕等机械特征至关重要。这对于防止对断裂机制的误解至关重要。本文的目的是展示去封装的方法和断口分析的应用，作为理解发光二极管 (LED) 芯片裂纹起源的新视角。如今的 LED 芯片的长宽比至少比硅集成电路 (IC) 小五倍。LED 芯片封装在杯状预制硅胶中以增强光反射，而不是使用带有平底 IC 的深色环氧树脂封装剂。用于分析硅 IC 芯片裂纹的无损技术是 X 射线显微镜和扫描声学显微镜 (SAM) [6,7]。LED 的小长宽比对 X 射线显微镜处理和寻找裂纹线是一个挑战，我们最不希望丢失客户退货样品。SAM 正在传输和检测反射声波；这在平面 IC 封装中效果很好
可重新配置的反馈现场效应晶体管，带有一个门
数十年来，由于摩尔法律[1]，互补金属 - 氧化物半导体（CMOS）技术的连续扩展导致了信息技术的革命性发展，该法律规定，微芯片的密度每24个月增加了一倍。但是，由于由短通道效应等现象引起的泄漏电流，MOS场效应晶体管（MOSFET）会遇到限制[2]。尤其是由于载体的热极限，在室温下，子阈值秋千的极限为60 mV/dec [3]。使用隧道效应，使用影响电离的电离效果（i-MOS）[8-11]等各种设备，例如使用影响电离的电离MOS（I-MOS）[8-11] [12-24] [12-24] [12-24]使用反馈现象来克服这些限制。fbfet通过调节诸如p-n-p-n之类的结构中的潜在屏障，使用正反馈机制表现出陡峭的开关特性。第一次提出的FBFET通过将电荷捕获在栅极侧壁间隔物中来调节电势垒。然而，由于间隔区域的附加过程和不稳定性，已经提出了结构，以浓重的掺杂掺杂现有的间隔区区域，或用额外的栅极电极代替它[14，15]。这些结构相对稳定，可以在带有附加栅极电极的单个设备中重新配置p和n型[13]。但是，对于在P和N型操作模式中重新配置的四端设备结构的其他门电压调制是必需的。在这项研究中，我们提出了一个可重新选择的FBFET，可以通过控制单门电压调制来以P和N型模式进行操作。单门电压允许注射孔（P型）或电子（N型），以进行正反馈回路。与其他可重新配置的FET（RFET）[25-29]相反，该FET（25 - 29]）通过阻碍注射不希望的荷载体，对电子和孔显示单极传导，可重新选择的FBFET使用电子和孔进行电流。因此，我们的设备表现出对P和N型配置的对称特征。
管道计划审查申请
公用设施场地平面图：如果要安装新服务，请标明建筑物、服务管线（水、卫生、雨水）、管道尺寸、坡度、材料以及物业上的水井和化粪池系统位置。确认服务管线位置和尺寸与室内管道平面图相符，以避免延误。 楼层平面图：显示所有固定装置位置、所有水平排水管位置和新管道的所有管道尺寸。该楼层平面图应包括带有网格和/或房间号的建筑细节。 屋顶平面图：带有屋顶排水沟的项目必须显示屋顶排水沟的位置以及每个屋顶排水沟服务的屋顶面积。包括每个屋顶排水沟附近的支流面积和侧壁计算。 屋顶等距图：拟议的屋顶排水系统的等距图，显示屋顶排水沟、管道尺寸和屋顶面积。 立管图：供水系统的等距图，显示所有管道尺寸和所有固定装置。 污水、废物和通风立管 (DWV) 图：废物和通风系统的等距图，显示管道尺寸和固定装置。 管道规格：包括管道设备制造商和型号列表、管道材料（包括质量标准（ASTM B88、ASTM D2665 等））、测试和消毒程序。 签名：计划必须由明尼苏达州执业专业工程师或安装管道的明尼苏达州管道承包商 (PC) 的执业水管工大师设计。每张表都必须由设计师签字。 所需计划审查费：请仔细计算所需计划审查费。多付或少付都会延迟您的计划审查。因未付款而退回的支票将收取 30 美元的费用（MS 604.113，subd. 2）。交互式费用工作表可在以下位置找到：http://www.dli.mn.gov/business/plumbing-contractors/plumbing-plan-review-fee-calculator 对先前批准计划的修订：对已批准的管道计划的修订需要额外的审查和费用。必须在计划中明确标明修订内容，并注明修订日期。请联系审核工程师获取更多信息。
联邦登记册/卷。 90，第3号/2025年1月6日，星期一/...
基于任务计划系统。fmps是土耳其设计的，相当于联合任务计划系统（JMP）。15。AIM-9X街区II侧壁导弹是一种短距离空对空中导弹，可提供高探测者，增强的对策拒绝能力，低阻力/高攻击机身以及整合头盔安装的提示系统的能力。此潜在的销售将包括AIM -9倍指导部分备件，主动的光学目标探测器，圈养空气训练导弹（CATM）和CATM指导单元。16。AIM – 1220C – 8高级中型中型空对空导弹（AMRAAM）是一款超音速，空中发射的，空中拦截导弹，其具有数字技术和微型型固态电子设备。Amraam功能包括向下/射击，对多个目标的多次发射，对电子对策的阻力以及拦截高而低空和低飞行和机动目标。此潜在销售将包括圈养空气训练导弹（CATM）以及Amraam指导部分和控制部分备件。17。GBU – 39小直径炸弹增量1（SDB – I）是一个250磅的GPS辅助导航系统，具有小的自主，白天或夜晚，不利天气，不利的天气，常规的，空气到地面精确的Glide武器能力，能够击中固定的固定固定的固定固定固定和固定的非固定目标。旨在为飞机提供大量炸弹的能力。飞机能够携带四个SDB代替1,000磅炸弹。18。19。此潜在销售将包括此潜在的销售包括SDB – I指导测试车和GBU – 39/B战术训练回合。AGM – 88高速防反辐射导弹（HARM）是一种战术空气向下的导弹，旨在抑制或破坏地面向空中导弹雷达，早期警告雷达和雷达导向的防空火炮系统。此潜在的销售包括危害指导部分，控制部分，弹头和火箭汽车备件。AGM – 88E高级反辐射导弹（AARGM）武器系统是一种空对地的导弹，旨在抑制敌方防御力（SEAD）和破坏敌方防空（死亡）任务。AARGM提供了压制或破坏敌人的雷达，并否认敌人使用防空系统，从而提高了战术飞机的生存能力。
内窥镜透性方法的定量比较手术分析和额叶 - 邻苯甲酸的方法用于外部exposu
目的是最近，内窥镜上眼睑透性方法（SETA）已成为进入海绵窦（CS）的潜在替代方法。先前的几项研究试图定量地比较传统的开放前外侧颅底接近和透性暴露。但是，这些比较仅限于骨开口和轨迹提供的暴露区域，并且无法说明随后必要的手术操作提供的主要暴露途径。作者定量地比较了额颞骨（FTOZ）方法提供的手术通道和适用的Periclinoid手术操纵后的SETA，评估每个关键结构中关键结构的手术暴露，并讨论最佳方法选择。方法SETA和FTOZ方法是在8个Cadaveric头上进行的随后适用的手术操作。颅神经（CNS）II – VI和颈内动脉的暴露长度；跨层次，额叶和上颌骨（前）三角形的空间区域；曝光总面积；并比较了攻击的角度。结果在方法之间的结果是可比的，而FTOZ方法中的访问明显更大。在方法之间，CN III，V1，V2和V3的内部暴露的长度是可比的。FTOZ方法提供了CNS IV（20.9±2.36 mm vs 13.4±3.97 mm，p = 0.023）和VI（14.1±2.44 mm vs 9.22±3.45 mm，p = 0.066）的暴露略有增加。FTOZ还提供了明显更大的垂直（44.5°±6.15°VS 18.4°±1.65°，p = 0.002）和水平（41.5°±5.40°Vs 15.3°±5.06°，P <0.001）的范围更大，因此较大的攻击范围很大，并且是显着的自由度，并且是对攻击的范围。 = 0.021）和Infratrochlear（p = 0.007）三角形，以及海绵状内部颈动脉的暴露明显更大（17.2±1.70 mm vs 8.05±2.37 mm，p = 0.001）。在FTOZ中，总暴露面积也明显更大，该面积为CS的侧壁提供了广泛的访问以及内部通路的可能性。结论这是第一个定量确定在必要的手术手术后，目标区域中FTOZ和跨渗透方法的相对优势的研究。理解这些数据将有助于根据目标病变的大小和位置选择最佳方法和操作集。
用于纳米制造的X射线光刻技术：有未来吗？
在X射线光刻（XRL）过程中，一些对X射线敏感并在特定溶剂中照射后改变溶解速率的材料（称为抗蚀剂）通过掩模暴露于X射线源并被图案化。掩模由重Z元素（Au，W等）组成，用作吸收区，而载体基板由低衰减元素（Si，Be，金刚石，SiC，SiNx等）组成（Tormen等人，2011年）。 XRL 的概念最早由 H. Smith 和 Spears 于 1972 年提出（Spears and Smith，1972；Smith 等，1973），由于其波长更短、穿透深度更大（比传统紫外光刻技术更短），引起了微纳米制造界的关注，为构建具有高深宽比、厚光刻胶和几乎垂直侧壁的微型器件提供了新的可能性（Maldonado 等，1975；Maydan 等，1975）。XRL 是 LIGA 工艺 [德语缩写 Lithographie Galvanoformung Abformung，意为光刻电沉积、成型（Becker 等，1986）] 的基本步骤，包括在显影的光刻胶结构中电沉积金属，以获得模具或电极，用于后续的复制工艺，如成型或电火花加工。 X 射线可分为软 X 射线和硬 X 射线（或深 X 射线），软 X 射线的能量范围为 150 eV 至约 2 keV，硬 X 射线（或深 X 射线）的能量则大于 5 keV。软 XRL 适用于光刻胶厚度有限的高分辨率结构（< 50 nm）。深 XRL（DXRL）通常用于 LIGA 工艺及照射厚光刻胶（数百微米）。目前，同步辐射设备中已有 XRL 技术。半导体行业对 XRL 的兴趣与技术节点的定义有关。该术语指的是特定的半导体制造工艺及其设计规则：最初，节点号定义了栅极长度或半节距（HP），而目前（22 nm 以下）它与采用特定技术制造的特定一代芯片有关。由于波长比紫外线更短，XRL 有可能确保所有技术节点的“分辨率储备”。此外，它不需要像紫外光刻那样在每个技术节点上都使用不同的设备。然而，该技术的潜力尚未得到充分发挥，因为人们首先关注的是紫外光刻，然后是极紫外光刻（Tormen 等人，2011 年）。最近，XRL 引起了 Next 2 节点（10 纳米技术节点以外）及以后的新关注，这主要是由于软 X 射线干涉光刻的潜力（Wu 等人，2020 年，Mojarad 等人，2015c 年）。
空气夹套式自动 CO2 培养箱型号 NU-5510 NU...
DHD 自动流气套式自动 CO 2 培养箱型号：NU-5510/E 操作和维护手册 1.0 一般说明 NuAire DHD 自动流气套式自动 CO 2 培养箱旨在提供可靠受控的体外环境，以实现最佳组织细胞培养生长。该培养箱还提供了在接近体温的温度下储存和保存胚胎、配子和动物组织细胞培养物的环境。有五个参数有助于实现最佳生长条件。这些是： 1.湿度 2.精确的温度控制 3.精确的 CO 2 控制 4.无菌性 5.可靠性 与所有 NuAire 设备一样，该孵化器的设计旨在提供最高质量的性能标准，并配备匹配的计算机技术、精确的温度控制和 CO 2 气体控制系统，将最先进的技术与多年的设计、质量和制造经验相结合。为了实现上述目标，该孵化器具有以下特点： 1.1 孵化器室 DHD Autoflow 内室的设计和尺寸提供了大容量和易用性。培养箱壁由安装在培养箱侧面、底部、顶部和背面的物理箔加热元件直接加热，温度均匀性达到 +0.3 C。具有高“R”等级的太空时代高密度绝缘材料覆盖了培养箱内腔的整个外表面。1.2 培养箱鼓风机和 HEPA 过滤器 连续运转的风扇电机驱动上部空气室和侧壁管道系统内的鼓风机叶轮。空气在培养箱内不断循环，使每立方英寸的体积保持均匀的温度。这种气流分布均匀，速度非常低，不会影响培养物的生长。大型可更换 HEPA 滤芯不断过滤在培养箱内循环的空气。1.3 孵化器控制电子设备 NuAire 孵化器控制电子设备是一种先进的微计算机控制系统，专门设计用于满足培养室环境的精确控制要求，为培养物生长提供最佳的可编程条件。微计算机具有状态指示器、控制参数的 LED 显示屏和五个触摸控制键盘，方便操作员高效输入数据。EEPROM 可在断电或断电期间无限期存储这些值（电源容错）。微型计算机配有只读存储器 (ROM)，其中包含可执行软件、随机存取存储器 (RAM) 用于临时存储，以及电子可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 用于控制设定点和参数。微型计算机包含一个完整的内部诊断软件包，允许对故障组件进行故障隔离检测。
高纵横比硅沟槽的蚀刻。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时，高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响，这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题，从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上，但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而，侧壁上的膜不受离子轰击（除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域），因此不会被蚀刻，从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性，因为钝化膜也沉积在掩模表面上，从而降低了其有效蚀刻速率。据悉，蚀刻工艺内置有沉积组件，可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长，因此此处的沉积物较厚（> 25 nm），并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是，从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩，从而减小了这一临界尺寸，这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此，可实现的深度减小，电池电容也减小了。显然，通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽，底部的立体角增加，从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成，但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺，以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键，因为减薄工艺按要求，等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷（例如 SiH 4 ）和含 F 气体（例如 NF 3 ）的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层