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克利福德幺正体的周期量子电路 - 伦敦大学学院发现
局部和时间周期动力学与随机幺正有多相似？在本研究中，我们使用量子计算中的 Clifford 形式来解决这个问题。我们分析了一个无序的 Floquet 模型，该模型的特点是在一个空间维度中存在一系列局部、时间周期和随机量子电路。我们观察到，演化算子在周期的半整数倍时享有额外的对称性。据此，我们证明，在扰乱时间之后，即当任何初始扰动传播到整个系统时，当所有量子位都用 Pauli 算子测量时，演化算子无法与 (Haar) 随机幺正区分开来。这种不可区分性随着时间的推移而降低，这与更受研究的 (时间相关) 随机电路的情况形成了鲜明对比。我们还证明了 Pauli 算子的演化表现出一种混合形式。这些结果要求局部子系统的维度很大。在相反的状态下，我们的系统显示出一种新颖的局部化形式，它是由有效的单侧壁产生的，它可以防止扰动从一个方向穿过侧壁，但不能从另一个方向穿过侧壁。
确定温室中的热量需求和...
生产期间在温室中的热能需求对于确定生产经济学和可行性研究很重要。这是因为评估未来在温室部门的投资需要准确的能源需求和成本估算。为此，考虑到该地区的气象条件，植物的最佳温度需求以及温室的技术规格，计算了温室和供暖成本所需的热能。使用两种不同的覆盖材料来确定热能需求：聚乙烯侧壁和屋顶（PE）和聚碳酸酯侧壁 +聚乙烯屋顶（PC + PE）。此外，对8种不同的温室组合进行了计算，包括没有热筛和热筛网的这些温室的不同绝缘状态（较差，中等和良好的绝缘）。通过研究的结果，当使用PC覆盖材料而不是PE覆盖材料作为温室侧壁的覆盖材料时，消耗的能量量减少了4.5％。与PE和PC+PC+PE+PE+PE Greenhouses相比，如果使用了良好的隔热热屏幕，则用PE和PC+PE盖覆盖，如果使用了良好的隔热热屏幕，则消耗的能量量将分别降低23.1％-22.4％。可以通过低热传递系数覆盖材料和隔热良好的热屏幕节省的加热能量和燃料成本可以降低25.8％。该研究的结果将指导气候相似的地区的温室生产商，以确定消费的能源，温室设计，投资评估以及温室部门政策。
微电子的血浆| IEE NPSS
图5：硅等离子体蚀刻的示意图。在光孔中的模式转移到SIO 2（SIO 2）中（此处未显示，也使用等离子体蚀刻）后，硅（Si）暴露于AR /Cl 2 /O 2等离子体。Cl 2仅攻击SI而不是SIO 2。在蚀刻线时，将暴露的Si侧壁氧化：血浆中的氧与Si形成SiO 2的薄层Si结合。此“氧化物”层可保护侧壁免受Cl 2蚀刻。该特征的底部也被氧化。，但氩离子（AR+）垂直加速了RF偏置打击仅特征的底部（而不是侧面）去除薄氧化物层并暴露基础的Si（XSI），以将其蚀刻为Cl 2。暴露的硅（XSI）被氯原子蚀刻，从而释放了气态SICL 4。（来源：TEL）
25-06-24-OEC-Broschüre-什么是碳黑色。indd.indd
炭黑用于多种材料组中，以增强其物理，电气和光学特性。其最大的批量用途是作为橡胶产品中的增强和穿孔添加剂。在橡胶复合，天然和合成的弹药中，将碳黑色，埃勒曼硫硫，加工油和各种有机加工化学品混合在一起，然后加热以生产各种硫化橡胶产品。在这些应用中，碳黑色提供了加固并改善韧性，泪液强度，电导率和其他物理特性。碳黑色是轮胎组件（例如胎面，侧壁和内部衬里），机械橡胶商品（“ MRG”）的轮胎组件（例如胎面，侧壁和内部衬里）中最广泛使用和成本效益的橡胶固定剂（通常称为橡胶碳黑色）橡胶商品（例如软管，皮带，垫圈和密封件）。
低速风洞 - 洛克希德·马丁
墙壁和天花板上覆盖有隔音板。试验段地板由木板组成，上面覆盖有 Mezz-Tread 胶合板。图 5 显示了通过两个试验段向下游看的视图。每个试验段的屋顶和地板都是平行的，而侧壁略微发散以解释边界层的增长。两个试验段都没有角圆角。低速试验段在侧壁的下游端有全高槽，以使使用中的试验段与大气压力隔离。空载试验段速度范围在 V/STOL 段为 20 到 150 英尺（6 到 45 米）每秒，在低速段为 40 到 300 英尺（12 到 90 米）每秒。这些对应于 V/STOL 段的动态压力范围为 0.5 到 26 磅/平方英尺（25 到 1250 帕斯卡），低速段的动态压力范围为 2 到 105 磅/平方英尺（100 到 5000 帕斯卡）。
将电机缩放到兆瓦和材料选项NASA电池技术和我的职业道路
wh/l）设计很可能会在TR -TRE时会遇到侧壁破裂 - 电池应最大程度地减少对细胞TR压力缓解的收缩2。提供足够的细胞间距和热排斥 - 几乎可以确保传播的直接接触 - 所需的间距与
uv-nanoimprint和高效率硅金属的深反应性离子蚀刻：低成本的高吞吐量，具有出色的分辨率和重复性
摘要：随着元信息开始发现工业应用，有必要开发可扩展且具有成本效益的制造技术，这些技术可提供低于100 nm的分辨率，同时提供高吞吐量和较大的面积图案。在这里，我们证明了使用UV纳米印刷光刻和深层反应离子蚀刻（Bosch和低温）的使用。可靠的过程，用于制造高模式有限的硅矩形支柱。证明了结构的质量，跨表镜的质量，这些镜头表明了衍射有限的聚焦，并接近NIR波长λ∈（1.3 µm，1.6 µm）的理论效率。我们演示了一个过程，该过程消除了博世过程的特征性侧壁表面粗糙度，从而使90度垂直侧壁光滑。我们还证明，在Bosch侧面表面粗糙度（或45 nm的压痕（或扇贝））的情况下，元表面镜头的光学性能不会受到不利影响。为实现全晶片覆盖而定义了下一步的开发步骤。