描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600V。
可以通过 ESSBD 上的 BOL 与 SEA2P 板进行通信。E8 SEA2P 板 ID 为 23706 E9 SEA2P 板 ID 为 23705
XO/CO 海上军官指挥 CDR BENKO, RYAN SANTA BARBARA BLUE (LCS 32) CDR BABCOCK, DONALD MAHAN (DDG 72) LCDR ELLISON, LAUREN GERMANTOWN (LSD 42) LCDR HAYES, CHRISTOPHER PREBLE (DDG 88) CDR HOLT, PRESTON PORTER (DDG 78) CDR HUETER, AMELIA CANBERRA BLUE (LCS 30) LCDR LASHOMB, DAVID MOMSEN (DDG 92) LCDR LILEKS, WAYNE MOBILE (LCS 26) CDR LOVE, PATRICK ST LOUIS (LCS 19) LCDR MARSH, ANDREW FARRAGUT (DDG 99) LCDR MARTIN, PHILLIP MILIUS (DDG 69) LCDR PARK, JONATHAN霍华德 (DDG 83) 帕特森中校,安妮·苏利文 (DDG 68) 理查兹中校,斯科特·哈珀斯费里 (LSD 49) 西姆斯中校,布莱恩·马里内特 (LCS 25) 西斯勒中校,瑞安·保罗·伊格纳修斯 (DDG 117) 斯米罗斯中校,斯蒂芬妮·米切尔 (DDG 57) 斯塔顿中校,丹尼尔·拉梅奇 (DDG 61)
SAP AI Launchpad 是 SAP 业务技术平台 (SAP BTP) 上的多租户软件即服务 (SaaS) 应用程序。客户和合作伙伴可以使用 SAP AI Launchpad 跨多个 AI 运行时实例(例如 SAP AI Core)管理 AI 用例(场景)。SAP AI Launchpad 还通过 Generative AI Hub 提供生成式 AI 功能。
摘要 有效的热管理对电动汽车用锂离子电池的性能和耐久性至关重要。与传统的直通道冷板不同,本文提出并评估了一种具有发散形通道的新型冷板,以最大限度地降低冷板的最高温度和压降。与传统的直通道相比,发散形通道表现出更高的散热能力和更低的摩擦阻力,性能更佳。为了进一步降低局部流动阻力,开发并评估了具有 2 个入口和 1 个出口的发散形通道。研究发现,具有 2 个入口和 1 个出口的新设计可以成功降低压降 7.2%,并将最大温差从 4.69 K 降低到 3.94 K。最后,构建了具有逆流配置的电池冷却模块,实现了更小的最大温差。本研究有助于开发有效且高效的电动汽车电池冷却系统。
晚发型或青少年特发性脊柱侧弯 (AIS) 是一种三维脊柱异常,在 10 至 16 岁儿童中发病率为 1–3%[1–4]。由于 AIS 的病因不明[5],干预措施针对的是解剖结构畸形,而不是畸形的根本原因。最近的证据表明,前庭系统可能在 AIS 的病因中发挥作用[6–9],因为它会影响下丘脑、小脑和前庭脊髓通路[10]。前庭系统由耳石器和三个正交半规管 (SCC) 组成 [11]。每个半规管都与对侧的半规管协同工作。角加速度会导致 SCC 内的毛细胞偏转,从而提供有关运动方向和强度的传入信号 [12, 13]。这些信号共同有助于平衡和姿势控制。角加速度敏感性与管道形态直接相关 [14],这表明任何结构异常都可能导致下游效应,包括平衡受损和姿势肌肉活动受损。由于 SCC 在出生时具有固定的大小和形状 [10, 15, 16],异常可能通过激活负责躯干支撑的棘旁肌在 AIS 的发病机制中起早期致病或促成作用 [3]。先前的研究发现,与正常对照组相比,AIS 患者存在前庭形态异常 [10, 17]。然而,关于 SCC 管道形态在 AIS 中的作用存在争议 [18, 19]。我们的目标是建立一种新颖的半规管成像方法,以评估鳞状细胞癌和 AIS 解剖变异之间的关联。我们测试了 AIS 患者的鳞状细胞癌几何形状的左右差异是否与对照组相比被夸大。
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