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World File Search System侧袋
TECHNOTES - 复合材料制造技术中心
目标 CH-53K STA 315 舱壁上的 T 型法兰复合材料部件由于高压釜固化而出现大量废品率。在固化周期内，袋侧低压区会反复出现缺陷（凸起），导致 T 型法兰半径出现折痕。这些缺陷导致舱壁袋侧半径上的 T 型法兰废品率为 20%。为了消除这些反复出现的缺陷并最终将废品率降至最低，ManTech 开发了此项目，以评估三角填料成型工具方法在带有 T 型法兰的 CH-53K 部件制造过程中的应用，确保形成足够的三角区域和袋侧半径。评估了使用成型三角填料（形状与填料区域（包括榫接）相匹配）的情况。这样做是为了确保在铺层过程中重复应用准确数量且形状正确的材料。
Monarch Eaton GAF Progaf 过滤袋
nn 过滤袋的结构由多达 12 层的介质组成，每层介质的细度越来越高 nn 100% 聚丙烯设计代表“无硅”材料 1，结合在经济且易于处理的过滤袋中 nn PROGAF 过滤袋由最细的疏水性聚丙烯纤维制成，需要用水溶液润湿（每盒 PROGAF 过滤袋都附有详细的使用说明） nn 伊顿强烈建议使用插入工具，以便于将过滤袋插入袋式过滤器外壳，并确保过滤袋在抑制篮内的正确对齐
动作后β同步，由速度效应IHI从同侧到对侧运动皮层
研究文章：新研究| Sensory and Motor Systems Post-Movement Beta Synchronization Induced by Speed Effects IHI from Ipsilateral to Contralateral Motor Cortex https://doi.org/10.1523/ENEURO.0370-24.2025 Received: 26 August 2024 Revised: 3 February 2025 Accepted: 21 February 2025 Copyright © 2025 Zhang et al.这是根据Creative Commons Attribution 4.0国际许可条款分发的开放访问文章，只要将原始工作正确归因于任何媒介，它允许在任何媒介中进行无限制的使用，分发和复制。
IRS21867S 600 V、4 A、高侧和低侧栅极驱动器
描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。
商品 #111 带咬阀的补水袋
注意：如果携带，将计入 4 套最低 ACU OCP 完整制服（FRACU、Patagonia、Crye 等均获授权）不包括 V 型上衣、战斗衬衫等。游骑兵学校装箱单 - 可选物品