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World File Search System保护帽
解锁longevity-rectent-rectent-inthealth-inthealth in health ...
寿命研究中关注的关注点之一是了解遗传学在确定寿命中的作用。最近的研究已经确定了与寿命相关的特定遗传标记，从而提供了有助于延长寿命的因素的宝贵线索。这样的突破是对Foxo3基因的识别，通常在百岁老人中发现 - 生活到100岁以上的人。该基因参与了各种细胞过程，包括DNA修复和抗压力性，表明其激活可能在促进寿命中起着至关重要的作用。此外，端粒的研究是染色体结束时的保护帽，引起了长寿研究的关注。端粒自然会随着细胞分裂而自然缩短，其长度被认为是细胞衰老的标志。最近的研究探索了维持甚至延长端粒的方法，可能会减慢衰老过程并促进寿命[2]。
RatHat：一种可自我定位的可打印大脑植入系统
几十年来，神经科学家处理立体定位方法的方式并没有发生重大变化。在这里，我们提出了一种新的立体定位方法，它为传统的 U 型框架立体定位装置提供了一种替代方法，降低了成本、缩短了手术时间并提高了可重复性。RatHat 脑植入系统是一种 3D 打印的大鼠立体定位装置，在手术前制作并适合颅骨形状。RatHat 结构直接植入大脑，无需在手术过程中进行头部调平或坐标映射。RatHat 可以与传统的 U 型框架立体定位装置结合使用，但不需要使用微操作器即可成功植入。每个 RatHat 包含几个主要组件，包括用于安装颅内组件的植入物、用于定位钻孔位置的手术模板以及用于防止撞击和碎片损坏的保护帽。每个组件都有独特的功能，可以一起使用或单独使用。我们在四个不同的原理验证实验中证明了 RatHat 的可行性：(1) 三极套管装置、(2) 光极电极组件、(3) 固定电极阵列和 (4) 四极超速驱动器。植入成功、耐用且使用寿命长（长达九个月）。RatHat 打印文件易于创建，可在计算机辅助设计 (CAD) 软件中修改以用于各种应用，并且易于共享，有助于实现开放科学目标和复制。RatHat 已在我们的实验室中适应多种实验范式，应该是一种在啮齿动物中进行立体定位植入手术的有用新方法。
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。