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World File Search System保持力
高性能电磁阀 - Moog, Inc.
Moog 是零保持力解除装置的原始设计者和制造商。我们与 McDon-nell Douglas 合作设计了一种解除装置，该装置不会因飞行和降落在航空母舰上时发生的情况而意外解除。这些装置在标准 .060 直径解除环上提供零保持力（它们不会因风阻而束缚和意外解除炸弹）。启动时，这些装置将支撑垂直悬挂的 600 磅重量（销钉或挂绳不会意外拔出）。它们在 18 至 30 VDC 的电压范围内工作，用于危急情况，并且设计和制造为每次都能正常工作。
高性能螺线管 - Moog, Inc.
Moog 是零保持力解除装置的原始设计者和制造商。我们与 McDon-nell Douglas 合作设计了一种解除装置，该装置不会因飞行和降落在航空母舰上时发生的情况而意外解除。这些装置在标准 .060 直径解除环上提供零保持力（它们不会因风阻而束缚和意外解除炸弹）。启动时，这些装置将支撑垂直悬挂的 600 磅重量（销钉或挂绳不会意外拔出）。它们在 18 至 30 VDC 的电压范围内工作，用于危急情况，并且设计和制造为每次都能正常工作。
统一、快速、可靠的 CMOS 兼容电阻开关存储器
摘要：电阻开关随机存取存储器（RRAM）被视为下一代存储器的潜在候选者之一。然而，获得具有高保持力和耐久性、低变化以及CMOS兼容性等全面优异性能的RRAM器件仍然是一个悬而未决的问题。在本文中，我们在HfO x 基RRAM中引入插入TaO x 层来优化器件性能。通过成型操作在TaO x 层中形成了坚固的细丝，局域场和热增强效应以及界面调制可以同时实现。因此，RRAM器件具有大窗口（> 10 3 ）、快速开关速度（~ 10 ns）、稳定的保持力（> 72 h）、高耐久性（> 10 8 次循环）以及循环间和器件间优异的一致性。这些结果表明插入TaO x 层可以显著提高HfO x 基器件的性能，为RRAM的实际应用提供了一种建设性的方法。
商业航空航天 EWIS 技术
806 系列显著节省了尺寸和重量，同时满足了各种商用飞机应用的关键性能基准，包括传感器、有人驾驶车辆的飞行导航航空电子设备、电子速度控制器等。806 系列 Mil-Aero 专为在恶劣的振动、冲击和环境飞机区域以及具有严格电压额定值和高海拔浸没标准的高海拔非加压区域而设计，具有众多设计创新，包括耐用的机械插入件保持力、径向和三波纹垫圈密封。其减小的螺距和重新设计的棘轮可防止脱钩问题，特别是在小外壳尺寸中，解决了外壳尺寸 9 和 11 MIL-DTL-38999 系列 III 连接器的主要问题之一。
Timken® 调心滚子轴承整体式带座轴承单元 ...
根据您如何为特定应用配置轴承，产品可带来多种优势。• 多种尺寸可供选择，可适应从 35 毫米到 380 毫米（1 7/16 英寸到 15 英寸）的轴径。• 高效的按单生产。快速交付针对特定应用的定制配置。• 安装更快捷。机加工支脚、螺纹拉拔器孔、黑色氧化物内圈和多种轴锁定选择使这款重型装置的安装更加简单。• 提高在高污染环境中的性能。多种主密封和辅助盖可供选择。• 双向轴膨胀。双螺母轴承座特性允许双向膨胀。• 增加正常运行时间。坚固的钢制外壳、多种密封选择和高性能 Timken 球面滚子轴承可增加装置的正常运行时间。• 增加轴的保持力并减少轴损坏。偏心锁系列设计用于在精密研磨轴上的反转应用中保持紧密。
用于电子皮肤应用的超薄纸微型超级电容器
作为候选材料，最近已经开发出采用真空沉积法在柔性基底上制造的电池；然而，使用昂贵的阴极材料、基于物理气相沉积的电解质以及面积有限的制造工艺使装置结构庞大且过于复杂。[9–11] 厚基底会导致有限的灵活性（大弯曲半径）、降低的长期循环性能和高工艺成本，这与皮肤兼容电子产品的要求相矛盾。[6] 由于这些缺点，迫切需要低成本、大面积、高产量的印刷微型超级电容器（μ SC）。这导致了薄的平面装置的发展，它提供高功率密度（快速充电，以秒为单位）和循环能力（超过 10 000 次循环），具有易于制造和可扩展、直接的溶液处理方法的优点。[12,13] 使用不同的印刷方法，由各种碳同素异形体、导电聚合物和 Mxenes 印刷的 μ SC 被制造为电极。 [13–16] 超薄电化学储能装置采用聚酰亚胺 [17]、聚对二甲苯 C [18] 或带有载体支撑的 PET 箔 [19] 等薄基板。与无机类似物相比，导电聚合物通常被认为较差，因为其能量输送适中、化学稳定性高、循环性有限。然而，低成本印刷到柔性基板上或聚合成支架的可能性允许制造具有良好电容循环保持力的多孔电极。[20,21]
由二维硫化镓控制制备原生超薄非晶态氧化镓，用于新兴电子应用
事实证明，二维层状材料的氧化有利于形成氧化物/二维材料异质结构，这为低功耗电子设备的新范式打开了大门。硫化镓（II）（𝜷-GaS）是一种六方相 III 族单硫属化物，是一种宽带隙半导体，单层和少层形式的带隙超过 3 eV。其氧化物氧化镓（Ga 2 O 3）兼具大带隙（4.4-5.3 eV）和高介电常数（≈ 10）。尽管这两种材料都具有技术潜力，但原子级厚度的𝜷-GaS 的受控氧化仍未得到充分探索。本研究重点关注使用氧等离子体处理对𝜷-GaS 进行受控氧化，以解决现有研究中的重大空白。结果表明，在暴露于 10 W 的 O 2 时，能够形成厚度为 4 nm 的超薄天然氧化物 (GaS x O y )，从而形成 GaS x O y /GaS 异质结构，其下方的 GaS 层保持完整。通过将此类结构集成在金属电极之间并施加电压斜坡或脉冲等电应力，研究了它们在电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 中的应用。所产生的氧化物的超薄特性可实现低操作功率，能耗低至每次操作 0.22 nJ，同时分别保持 350 次循环和 10 4 s 的耐久性和保持力。这些结果表明基于氧化的 GaS x O y /GaS 异质结构在电子应用，特别是低功耗存储设备中具有巨大的潜力。