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本研究提出了一种通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟评估振荡条件的新方法,并基于使用TCAD仿真结果计算的信号流图模型和散射参数(S-参数)。使用所提出的方法研究了短路时,碳化硅(SIC)金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型晶体管效应晶体管(MOSFET)。使用该技术计算电路的振荡条件,并与TCAD瞬态模拟计算的振荡条件进行了比较。这些方法之间的栅极电阻抑制振荡。此外,该方法还应用于估计由相反连接的SIC MOSFET组成的电路的稳定性。考虑了两种振荡模式。我们证明,可以使用简单的计算来计算抑制寄生振荡所需的电路参数。