信号流程

研究基于信号流程图模型的多芯片SIC MOSFET电路的寄生振荡

本研究提出了一种通过技术计算机辅助设计（TCAD）模拟评估振荡条件的新方法，并基于使用TCAD仿真结果计算的信号流图模型和散射参数（S-参数）。使用所提出的方法研究了短路时，碳化硅（SIC）金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型晶体管效应晶体管（MOSFET）。使用该技术计算电路的振荡条件，并与TCAD瞬态模拟计算的振荡条件进行了比较。这些方法之间的栅极电阻抑制振荡。此外，该方法还应用于估计由相反连接的SIC MOSFET组成的电路的稳定性。考虑了两种振荡模式。我们证明，可以使用简单的计算来计算抑制寄生振荡所需的电路参数。